画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S5DH | 0.2267 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S5DHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | TSZU52C13 | 0.0669 | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | HER604GH | 0.5466 | ![]() | 9050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER604GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | M3Z30VC | 0.0294 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z30 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z30VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||
![]() | T15JA06G-K | 2.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | T15JA | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-T15JA06G-K | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 5 µA @ 800 V | 15 a | 単相 | 800 V | ||||||||||
![]() | BZV55B47 | 0.0357 | ![]() | 6977 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | TPAR3G | 0.2997 | ![]() | 9303 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPAR3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TPAR3GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 3 a | 120 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | 58pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | PCRKA20065F8M1 | - | ![]() | 9083 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 前回購入します | PCRKA20065 | - | 488-PCRKA20065F8M1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | V10PL63-M3/i | 0.6700 | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10PL63 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 6,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 580 mV @ 10 a | 250 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 10a | 2100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-80-5651 | - | ![]() | 1996年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-5651 | - | 112-VS-80-5651 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS30ASR04N | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | VS30 | - | 112-VS-VS30ASR04N | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPR2-040 BK | - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | CPR2 | - | 影響を受けていない | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPR4F-010 BK | - | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-4 、軸 | CPR4F | 標準 | GPR-4am | - | 影響を受けていない | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 10 mA | 250 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | CPR1F-040BK | - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | CPR1F | - | 影響を受けていない | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBHM2150L-HF | 0.2665 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-269AA | CDBHM2150 | ショットキー | MBS | - | 1 (無制限) | 641-CDBHM2150L-HFTR | 3,000 | 0.9 V @ 2 a | 50 µA @ 150 v | 2 a | 単相 | 150 v | ||||||||||||||
![]() | DFL1508S-E3/77 | 0.7700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DFL1508 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | MT3506A-BP | 5.4060 | ![]() | 4852 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 5 平方メートル、MT-35a | MT3506 | 標準 | MT-35A | ダウンロード | 353-MT3506A-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 600 V | 35 a | 3フェーズ | 600 V | |||||||||||||
![]() | DBL155G | 0.2700 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL155 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 600 V | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | MURS520A-BP | 0.3000 | ![]() | 6627 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | murs520 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 353-MURS520A-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SK15 | 0.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半導体Inc。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2439-SK15TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BR34 | 0.5000 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 箱 | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 平方、BR-3 | 標準 | BR-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-BR34 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 400 V | 3 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
![]() | DB155L-BP | 0.0971 | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.321 "、8.15mm) | DB155 | 標準 | DBL-1 | ダウンロード | 353-DB155L-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1.5 a | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | PB3508-BP | 1.1696 | ![]() | 7232 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、PB | PB3508 | 標準 | PB | ダウンロード | 353-PB3508-bp | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 800 V | 35 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | RS805-BP | 0.6251 | ![]() | 6516 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip rs-6 | RS805 | 標準 | RS-6 | ダウンロード | 353-RS805-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 600 V | 8 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | M3P100A-80 | - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 5-SMDモジュール | 標準 | 5-SMD | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15 V @ 100 a | 10 mA @ 800 v | 100 a | 3フェーズ | 800 V | ||||||||||||||
![]() | HZ6A1-90-E | 0.1000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | gbj20d | 0.9120 | ![]() | 6810 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ20 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1242-GBJ20D | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 10 a | 5 µA @ 200 V | 20 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | MBL2S-TP | 0.0886 | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | MBL2 | 標準 | MBLS-1 | ダウンロード | 353-MBL2S-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 400 Ma | 10 µA @ 200 v | 500 Ma | 単相 | 200 v | |||||||||||||
jans1n4617c-1/tr | 116.4206 | ![]() | 1797 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4617c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 2.4 v | 1.4オーム | |||||||||||||
![]() | KBU8K | 0.7425 | ![]() | 6174 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU8 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | kbu8kgn | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V |
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