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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
byg10ghm3_a/h	0.1551	RFQ	1161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns	400 V	1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
1N1585	1.9500	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1585	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	400 V	1.3 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	16a	-
60EPS08	-	RFQ	4354	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	60EPS08	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	標準回復> 500ns	800 V	1.1 V @ 60 a		100 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	60a	-
1SMA5949	0.0935	RFQ	1962年年	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA5949		1.5 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					500 NA @ 76 v						100 V	250オーム
MMSZ5239C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	2048	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5239C-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000			900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 7 V						9.1 v	10オーム
BZG04-30-HM3-18	0.2079	RFQ	3904	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-30		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000			1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 30 V						36 v
jans1n4121d-1	101.3100	RFQ	2313	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.1 v						33 v	200オーム
TPAR3J	0.2997	RFQ	3538	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	TPAR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TPAR3JTR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns	600 V	1.55 V @ 3 a	120 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	58pf @ 4V、1MHz
jantxv1n4618-1/tr	5.2535	RFQ	6313	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4618-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V						2.7 v	1500オーム
SIDC07D60F6X1SA3	-	RFQ	4782	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC07D60	標準		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	600 V	1.6 V @ 22.5 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	22.5a	-
jans1n823-1	125.8050	RFQ	4610	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
KYZ35K6	2.0423	RFQ	500	diotec半導体	-	箱	アクティブ			穴を通して	do-208aa		標準		DO-208	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-kyz35k6		8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	600 V	1.1 V @ 35 a	1.5 µs	100 µA @ 600 V	-50°C〜175°C	35a	-
NTE5990	7.1000	RFQ	7	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	DO-203AA		標準		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5990	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	400 V	1.3 V @ 40 a		15 mA @ 400 v	-65°C〜190°C	40a	-
CDLL3822	10.1250	RFQ	2442	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3822		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						3.6 v	10オーム
ZMY13-GS08	0.4200	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY13		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					500 NA @ 10 V						13 v	9オーム
BB804SF1E6327HTSA1	-	RFQ	6591	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	TO-236-3	BB804			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000								47.5pf @ 2V、1MHz	1ペア共通カソード	18 v			1.71	C2/C8	200 @ 2V 、100MHz
RGP15M-E3/73	-	RFQ	4641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	RGP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1000 V	1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
ral1g	0.0705	RFQ	5258	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-Ral1gtr		8541.10.0000	2,500	高速回復= <500ns	400 V	1.3 V @ 1 a	150 ns	3 µA @ 400 v	-50°C〜175°C	1a	-
Jan1n4127-1	4.1100	RFQ	5376	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4127			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v						56 v	300オーム
SS515FSH	0.1596	RFQ	8761	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128	SS515	ショットキー		SOD-128	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-SS515FSHTR	ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns	150 v	950 mv @ 5 a		10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	5a	126pf @ 4V、1MHz
es1glw	0.0972	RFQ	5549	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W		標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-es1glwtr	ear99	8541.10.0080	20,000	高速回復= <500ns	400 V	1.3 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
CBR1-L020M	-	RFQ	5167	Corp	-	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	穴を通して	4-sip	CBR1-L020	標準		BM	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	CBR1-L020M PBFREE	ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v		1.5 a		単相	200 v
1N4739G R0G	0.0627	RFQ	1481	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4739		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 v	5オーム
NTE5201A	12.8800	RFQ	72	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa			10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-NTE5201A	ear99	8541.10.0050	1											28 v	7.5オーム
2EZ43D5/TR12	-	RFQ	2794	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ43		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 32.7 v						43 v	35オーム
PDZ36BGW115	-	RFQ	1414	Nexperia USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1
MMSZ5229C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	3585	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5229C-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000			900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						4.3 v	22オーム
1N4900A/TR	26.0850	RFQ	8765	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	DO-204AA			400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4900A/TR	ear99	8541.10.0050	1											12.8 v	200オーム
1N4758CPE3/TR8	1.1550	RFQ	4671	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4758		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
SFAF1603GHC0G	-	RFQ	2695	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	SFAF1603	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	150 v	975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	16a	130pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²