SIC
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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
JANTX2N4150S Microchip Technology JANTX2N4150S 9.9883
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/394 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 2N4150 1 W to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 70 v 10 a 10µA npn 2.5V @ 1a 、10a 40 @ 5a 、5V -
MS2N4931 Microsemi Corporation MS2N4931 257.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク sicで中止されました - - - - - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 - - - - -
NPTB00004A MACOM Technology Solutions NPTB00004A 20.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション - チューブ アクティブ 100 V 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NPTB00004 0Hz〜6GHz hemt 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1465-1410 ear99 8541.29.0095 95 1.4a 50 Ma 4W 14.8db - 28 v
DMN1019USN-7 Diodes Incorporated DMN1019USN-7 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 DMN1019 モスフェット（金属酸化物） SC-59-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 12 v 9.3a（ta） 1.2V 、2.5V 10mohm @ 9.7a 、4.5V 800MV @ 250µA 50.6 NC @ 8 V ±8V 2426 PF @ 10 V - 680MW
IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 -
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 IPD80R モスフェット（金属酸化物） PG-to252-3-11 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 800 V 1.9a（tc） 10V 2.8OHM @ 1.1A 、10V 3.9V @ 120µA 12 NC @ 10 V ±20V 290 PF @ 100 V - 42W
JAN2N4150 Microchip Technology Jan2N4150 10.1612
RFQ
 ECAD 2019年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/394 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 2N4150 1 W to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 70 v 10 a 10µA npn 2.5V @ 1a 、10a 40 @ 5a 、5V -
JANSR2N2369AUB Microchip Technology jansr2n2369aub 214.4100
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/317 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 2N2369A 360 MW ub ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 15 V 400na npn 450mv @ 10ma 、100ma 20 @ 100MA、1V -
DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated DMN3016LK3-13 0.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 DMN3016 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 12.4a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 11a 、10V 2.3V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 PF @ 15 V - 1.6W
DMN53D0U-13 Diodes Incorporated DMN53D0U-13 0.0428
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 DMN53 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない DMN53D0U-13DI ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 50 v 300ma（ta） 1.8V 、5V 2OHM @ 50MA 、5V 1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±12V 37.1 PF @ 25 V - 520MW
IRGP6660DPBF Infineon Technologies IRGP660DPBF -
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 330 W TO-247AC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 400V 、48A 、10OHM15V 70 ns - 600 V 95 a 144 a 1.95V @ 15V 、48a 600µj（オン）、1.3mj（オフ） 95 NC 60ns/155ns
VS-20MT120UFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFP -
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 16-MTPモジュール 20MT120 240 w 標準 MTP - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない VS20MT120UFP ear99 8541.29.0095 105 フルブリッジインバーター npt 1200 v 40 a 4.66V @ 15V 、40a 250 µA いいえ 3.79 NF @ 30 V
VS-50MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 12-MTPモジュール 50MT060 658 w 標準 MTP - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない VS50MT060WHTAPBF ear99 8541.29.0095 15 ハーフブリッジ - 600 V 114 a 3.2V @ 15V 、100A 400 µA いいえ 7.1 nf @ 30 v
VS-70MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WHTAPBF -
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 12-MTPモジュール 70MT060 347 w 標準 MTP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない VS70MT060WHTAPBF ear99 8541.29.0095 105 ハーフブリッジ npt 600 V 100 a 3.4V @ 15V、140A 700 µA いいえ 8 nf @ 30 v
IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies IHW20N135R5XKSA1 4.8000
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IHW20N135 標準 288 W PG-to247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V 、20A 、10OHM15V - 1350 v 40 a 60 a 1.85V @ 15V 、20a 950µj （オフ） 170 NC - /235ns
IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies IHW50N65R5XKSA1 4.7800
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IHW50N65 標準 282 w PG-to247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V、25A 、8OHM、15V 95 ns - 650 V 80 a 150 a 1.7V @ 15V 、50a 740µj（180µj （オフ） 230 NC 26ns/220ns
IXYN80N90C3H1 IXYS IXYN80N90C3H1 43.1400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys XPT™、Genx3™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック Ixyn80 500 W 標準 SOT-227B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 シングル - 900 V 115 a 2.7V @ 15V 、80a 25 µA いいえ 4.55 nf @ 25 v
IRFR7540TRPBF Infineon Technologies IRFR7540TRPBF 1.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies strongirfet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IRFR7540 モスフェット（金属酸化物） d-pak（to-252aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 90a 6V 、10V 4.8mohm @ 66a 、10V 3.7V @ 100µA 130 NC @ 10 V ±20V 4360 PF @ 25 V - 140W
STGW15H120F2 STMicroelectronics STGW15H120F2 2.1291
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 前回購入します -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 STGW15 標準 259 W TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V、15A 、10OHM 、15V トレンチフィールドストップ 1200 v 30 a 60 a 2.6V @ 15V 、15a 380µj（on 370µj （オフ） 67 NC 23ns/111ns
STGW25H120DF2 STMicroelectronics STGW25H120DF2 6.4800
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 STGW25 標準 375 w TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V 、25a 、10ohm15V 303 ns トレンチフィールドストップ 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V 、25a 600µj（オン）、700µj（オフ） 100 NC 29ns/130ns
FMMT591QTA Diodes Incorporated FMMT591QTA 0.3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FMMT591 500 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 1 a 100NA PNP 350MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、5V 150MHz
ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP6A13FQTA 0.5800
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 ZXMP6A13 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 900ma（ta） 4.5V 、10V 400mohm @ 900ma 、10V 3V @ 250µA 2.9 NC @ 4.5 v ±20V 219 PF @ 30 V - 625MW
ZXMP6A16DN8QTA Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8QTA 1.4200
RFQ
 ECAD 7232 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ZXMP6A16 モスフェット（金属酸化物） 1.81W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 2 P-Channel （デュアル） 60V 2.9a 85mohm @ 2.9a 、10V 1V @ 250µA 24.2NC @ 10V 1021pf @ 30V ロジックレベルゲート
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2022UFDF-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド DMN2022 モスフェット（金属酸化物） u-dfn2020-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 7.9a（ta） 1.5V 、4.5V 22mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 250µA 18 NC @ 8 V ±8V 907 PF @ 10 V - 660MW
CSD23382F4T Texas Instruments CSD23382F4T 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 テキサスの楽器 femtofet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-xfdfn CSD23382 モスフェット（金属酸化物） 3ピコスタル ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 250 pチャネル 12 v 3.5a（ta） 1.8V 、4.5V 76mohm @ 500ma 、4.5v 1.1V @ 250µA 1.35 NC @ 4.5 v ±8V 235 pf @ 6 v - 500MW
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n7002bfe、lm 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k781g、lf 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6K781 モスフェット（金属酸化物） 6-wcspc（1.5x1.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 12 v 7a（ta） 1.5V 、4.5V 18mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±8V 600 pf @ 6 v - 1.6W
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1A01 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn4901、lf -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2N6661 Microchip Technology 2N6661 15.9000
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 モスフェット（金属酸化物） to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2N6661MC ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 90 v 350MA （TJ） 5V、10V 4ohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA ±20V 50 pf @ 24 v - 6.25W
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-G 0.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N7000 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 200MA （TJ） 4.5V 、10V 5OHM @ 500MA 、10V 3V @ 1MA ±30V 60 pf @ 25 v - 1W （TC）
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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