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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
NTE3301 NTE Electronics, Inc NTE3301 6.7200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 40 W TO-220フルパック ダウンロード ROHS非準拠 2368-NTE3301 ear99 8541.29.0095 1 - - 400 V 15 a 170 a 8V @ 20V 、170a - 150ns/450ns
FGAF20N60SMD onsemi FGAF20N60SMD -
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3フルパック FGAF20 標準 75 W to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V 、20a 、10ohm15V 26.7 ns フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 1.7V @ 15V 、20a 452µj（on 141µj （オフ） 64 NC 12ns/91ns
2SD1767T100Q Rohm Semiconductor 2SD1767T100Q 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SD1767 500 MW MPT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 80 v 700 Ma 500na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、3V 120MHz
2N4860JAN02 Vishay Siliconix 2N4860JAN02 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ 廃止 - 穴を通して to-206aa 2N4860 to-206aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 40 - -
FDS8449 onsemi FDS8449 0.9600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 onsemi PowerTrench® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS84 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 7.6a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 7.6a 、10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 V ±20V 760 PF @ 20 V - 2.5W
FGPF15N60UNDF onsemi FGPF15N60UNDF -
RFQ
 ECAD 9917 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FGPF15 標準 42 w TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2156-FGPF15N60UNDF-488 ear99 8541.29.0095 50 400V、15a 、10ohm15V 82.4 ns npt 600 V 30 a 45 a 2.7V @ 15V 、15a 370µj（67µj （オフ） 43 NC 9.3ns/54.8ns
GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD -
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 ECAD 7236 0.00000000 セミク - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 223 w to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 600V 、20A 、10OHM15V 425 ns トレンチフィールドストップ 1200 v 40 a 60 a 2.5V @ 15V 、20a 2.8MJ 210 NC 30ns/150ns
2N2604 Microchip Technology 2N2604 9.0307
RFQ
 ECAD 2669 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206ab、to-46-3金属缶 2N2604 400 MW to-46-3 ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60 V 30 Ma 10na PNP 300MV @ 500µA 、10mA 60 @ 500µA 、5V -
IRG4BC20SPBF Infineon Technologies IRG4BC20SPBF -
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 60 W TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 480V 、10A、50OHM 、15V - 600 V 19 a 38 a 1.6V @ 15V 、10a 120µj（on ）、 2.05mj （オフ） 27 NC 27ns/540ns
APT50GN60BDQ2G Microchip Technology APT50GN60BDQ2G 7.2700
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 apt50gn60 標準 366 W to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 400V 、50A 、4.3OHM、15V トレンチフィールドストップ 600 V 107 a 150 a 1.85V @ 15V 、50a 1185µj（1565µj（オフ） 325 NC 20NS/230NS
2SA1576A-Q-TP Micro Commercial Co 2SA1576A-Q-TP 0.0410
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1576 200 MW SOT-323 ダウンロード 353-2SA1576A-Q-TP ear99 8541.21.0075 1 50 v 150 Ma 100NA PNP 500MV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
IRFS4228PBF Infineon Technologies IRFS4228PBF 3.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001571734 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 150 v 83a（tc） 10V 15mohm @ 33a 、10V 5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±30V 4530 PF @ 25 V - 330W
IRLR8721TRPBF Infineon Technologies IRLR8721TRPBF -
RFQ
 ECAD 5522 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 65a（tc） 4.5V 、10V 8.4mohm @ 25a 、10V 2.35V @ 25µA 13 NC @ 4.5 v ±20V 1030 PF @ 15 V - 65W
IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon Technologies IKFW90N60EH3XKSA1 12.7500
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop™ チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IKFW90 標準 178 W PG-TO247-3-AI ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V 、75A 、5OHM、15V 107 ns トレンチフィールドストップ 600 V 77 a 300 a 2.3V @ 15V、75a 2.65MJ （オン）、1.3MJ 440 NC 32ns/210ns
FGH40N65UFDTU onsemi FGH40N65UFDTU -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 FGH40 標準 290 w TO-247-3 - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V 、40a 、10ohm15V 45 ns フィールドストップ 650 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.19mj 120 NC 24ns/112ns
FJ6K01010L Panasonic Electronic Components FJ6K01010L 0.4800
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） WSMINI6-F1-B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 12 v 4a（ta） 1.8V 、4.5V 34mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA ±8V 1400 PF @ 10 V - 700MW
NVMFD5853NT1G onsemi NVMFD5853NT1G -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn NVMFD5853 モスフェット（金属酸化物） 3.1W 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 2 nチャンネル（デュアル） 40V 12a 10mohm @ 15a 、10V 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V ロジックレベルゲート
JANS2N3421S Microchip Technology jans2N3421S 60.9302
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/393 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-Jans2N3421S 1 80 v 3 a 5µA npn 500MV @ 200MA 、2a 40 @ 1a 、2V -
FQD5N50CTF onsemi FQD5N50CTF -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 onsemi QFET® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 FQD5 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 4a（tc） 10V 1.4OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 2.5W
SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-E3 1.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SI7892 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 4.2mohm @ 25a 、10V 3V @ 250µA 40 NC @ 4.5 v ±20V 3775 PF @ 15 V - 1.8W
IXA4I1200UC-TUB IXYS ixa4i1200uc-tub 1.8237
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 ixys XPT™ チューブ アクティブ 表面マウント to-252-3 IXA4I1200 標準 45 W TO-252AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 238-IXA4I1200UC-TUB ear99 8541.29.0095 70 600V、3A 、330OHM pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V、3a 400µj（on300µj （オフ） 12 NC 70ns/250ns
HUFA76407D3S onsemi hufa76407d3s -
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 onsemi ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 hufa76 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
MWI200-06A8T IXYS MWI200-06A8T -
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 ixys - チューブ アクティブ - シャーシマウント E3 MWI200 675 w 標準 E3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5 三相インバーター npt 600 V 225 a 2.5V @ 15V 、200A 1.8 Ma いいえ 9 nf @ 25 v
2SK2371(1)-A Renesas Electronics America Inc 2SK2371 -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
BCR141TE6327 Infineon Technologies BCR141TE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BCR141 250 MW PG-SOT23-3-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 50 @ 5MA 、5V 130 MHz 22 Kohms 22 Kohms
BC850C Diotec Semiconductor BC850C -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2796-BC850CTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
RM6N100S4V Rectron USA RM6N100S4V 0.1600
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 ECAD 9753 0.00000000 Rectron USA - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 2516-RM6N100S4VTR 8541.10.0080 30,000 nチャネル 100 V 6a（ta） 10V 140mohm @ 5a、10V 2.5V @ 250µA ±20V 690 PF @ 25 V - 3W
RDD023N50TL Rohm Semiconductor RDD023N50TL -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 RDD023 モスフェット（金属酸化物） CPT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 2a（tc） 4V 、10V 5.4OHM @ 1A 、10V 2V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 151 PF @ 25 V - 20W （TC）
JAN2N2907AUA/TR Microchip Technology jan2n2907aua/tr 19.0190
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/291 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 2N2907 500 MW ua - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan2n2907aua/tr ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
IPLK80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R750P7ATMA1 1.7100
RFQ
 ECAD 6393 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™p7 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 8-powertdfn IPLK80 モスフェット（金属酸化物） PG-TDSON-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 - 800 V - - - - ±20V - -
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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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