画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PJQ4463AP_R2_00001 | 0.5000 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | PJQ4463 | モスフェット(金属酸化物) | DFN333-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 60 V | 4.2a(ta) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 879 PF @ 30 V | - | 2.1W | |||||||||||||||||||
![]() | IPP80N04S3H4AKSA1 | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP80N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 40 v | 80a(tc) | 10V | 4.8mohm @ 80a 、10V | 4V @ 65µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3900 PF @ 25 V | - | 115W | ||||||||||||||||||||
![]() | IPP50R399CP | 1.0000 | ![]() | 1527 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 560 v | 9a(tc) | 10V | 399mohm @ 4.9a 、10V | 3.5V @ 330µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 890 PF @ 100 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMV170UN 、215 | - | ![]() | 9261 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PMV1 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 1a(ta) | 1.8V 、4.5V | 165mohm @ 1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 1.65 NC @ 4.5 v | ±8V | 83 PF @ 10 V | - | 325MW | |||||||||||||||||||
![]() | fgd3n60undf | 1.2700 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | FGD3N60 | 標準 | 60 W | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V、3A 、10OHM15V | 21 ns | npt | 600 V | 6 a | 9 a | 2.52V @ 15V、3a | 52µj(on 30µj(オフ) | 1.6 NC | 5.5ns/22ns | |||||||||||||||||||
![]() | PXP010-20QXJ | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | PXP010 | モスフェット(金属酸化物) | MLPAK33 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 10.8a | 1.8V 、4.5V | 10mohm @ 10.6a 、4.5v | 1V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ±12V | 1730 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA )、21W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4933NT1G | - | ![]() | 8891 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | NTMFS4933 | モスフェット(金属酸化物) | 5-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 30 V | 20a(ta)、210a(tc) | 4.5V 、10V | 1.2mohm @ 30a 、10V | 2.2V @ 250µA | 62.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 10930 PF @ 15 V | - | 1.06W | |||||||||||||||||||
![]() | STH410N4F7-6AG | 6.9500 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 自動車、AEC-Q101、STRIPFET™F7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | STH410 | モスフェット(金属酸化物) | H2PAK-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 40 v | 200a(tc) | 10V | 1.1mohm @ 90a 、10V | 4.5V @ 250µA | 141 NC @ 10 V | ±20V | 11500 PF @ 25 V | - | 365W | |||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n50t | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 500 V | 5.3a(tc) | 10V | 730mohm @ 2.65a 、10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1450 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R125CPATMA1 | 7.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™cp | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB60R125 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 25a(tc) | 10V | 125mohm @ 16a 、10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 100 V | - | 208W | |||||||||||||||||||
![]() | RQ6A050ZPTR | 0.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RQ6A050 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 26mohm @ 5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 35 NC @ 4.5 v | ±10V | 2850 PF @ 6 V | - | 950MW | |||||||||||||||||||
sup90142e-ge3 | 3.2700 | ![]() | 5809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP90142 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 90a | 7.5V 、10V | 15.2mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 87 NC @ 10 V | ±20V | 31200 PF @ 100 V | - | 375W | |||||||||||||||||||||
![]() | IXTN120N25 | - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | ixys | Megamos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | IXTN120 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227B | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 250 v | 120a(tc) | 20mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 250µA | 360 NC @ 10 V | 7700 PF @ 25 V | - | 730W | |||||||||||||||||||||
![]() | CM100RL-12NF | - | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 540 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ブレーキ付きの3相インバーター | - | 600 V | 100 a | 2.2V @ 15V 、100A | 1 Ma | いいえ | 15 nf @ 10 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPE115 | 0.2100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 20 v | 4.4a(ta) | 2.5V 、4.5V | 30mohm @ 3a 、4.5v | 1.25V @ 250µA | 22.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 1770 pf @ 10 v | - | 530MW | ||||||||||||||||||||
STP2N95K5 | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SuperMesh5™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | STP2N95 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 950 v | 2a(tc) | 10V | 5OHM @ 1A 、10V | 5V @ 100µA | 10 NC @ 10 V | 30V | 105 PF @ 100 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM4ND60CI C0G | - | ![]() | 5832 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM4ND60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 2.2OHM @ 1.4A 、10V | 3.8V @ 250µA | 17.2 NC @ 10 V | ±30V | 582 PF @ 50 V | - | 41.6W | |||||||||||||||||||
IPI50R250CPXKSA1 | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | IPI50R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to262-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 13a(tc) | 10V | 250mohm @ 7.8a 、10V | 3.5V @ 520µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1420 PF @ 100 V | - | 114W | |||||||||||||||||||||
![]() | FF225R12ME4PB11BPSA1 | 177.0133 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econodual™3 | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FF225R12 | 20 MW | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 6 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 450 a | 2.15V @ 15V 、225a | 3 Ma | はい | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | aou3n60 | 0.3076 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-251-3 | aou3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 785-1182-5 | ear99 | 8541.29.0095 | 80 | nチャネル | 600 V | 2.5a | 10V | 3.5OHM @ 1.25A 、10V | 4.5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 370 PF @ 25 V | - | 56.8W | ||||||||||||||||||
![]() | SI7407DN-T1-GE3 | - | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7407 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 9.9a | 1.8V 、4.5V | 12mohm @ 15.6a 、4.5V | 1V @ 400µA | 59 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.5W | ||||||||||||||||||||
![]() | DMG1026UVQ-7 | 0.1196 | ![]() | 1329 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | DMG1026 | モスフェット(金属酸化物) | 650MW | SOT-563 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 440ma(ta) | 1.8OHM @ 500MA 、10V | 1.8V @ 250µA | 0.45pc @ 4.5V | 32pf @ 25V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||
![]() | G080N10T | 1.9400 | ![]() | 5661 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G080N10T | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | nチャネル | 100 V | 180a(tc) | 4.5V 、10V | 7.5mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 107 NC @ 4.5 v | ±20V | 13912 PF @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SI7946DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SI7946 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a 、10V | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||
![]() | DMP2036UVT-13 | 0.1069 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | - | DMP2036 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | - | 6a(ta) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFD220 | 0.5200 | ![]() | 913 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD220 | モスフェット(金属酸化物) | 4-dip 、hexdip 、hvmdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 200 v | 800ma(ta) | 10V | 800mohm @ 480ma 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 1W | |||||||||||||||||||
![]() | RFP4N05L | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-RFP4N05L-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTV250N075TS | - | ![]() | 8193 | 0.00000000 | ixys | trenchmv™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | プラス220SMD | IXTV250 | モスフェット(金属酸化物) | プラス220SMD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 250a(tc) | 10V | 4mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ±20V | 9900 PF @ 25 V | - | 550W | |||||||||||||||||||||
![]() | ISC011N06LM5ATMA1 | 4.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | ISC011N | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 37a | 4.5V 、10V | 1.15mohm @ 50a 、10V | 2.3V @ 116µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 11000 pf @ 30 v | - | 3W (TA )、 188W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NVTFS014P04M8LTAG | 1.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | NVTFS014 | モスフェット(金属酸化物) | 8-WDFN (3.3x3.3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | pチャネル | 40 v | 11.3a | 4.5V 、10V | 13.8mohm @ 15a 、10V | 2.4V @ 420µA | 26.5 NC @ 10 V | ±20V | 1734 PF @ 20 V | - | 3.2W |
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