SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 逆回復時間( trr) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce
PJQ4463AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4463AP_R2_00001 0.5000
RFQ
ECAD 4927 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN PJQ4463 モスフェット(金属酸化物) DFN333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 60 V 4.2a(ta) 4.5V 、10V 68mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 879 PF @ 30 V - 2.1W
IPP80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S3H4AKSA1 -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IPP80N モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-1 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 40 v 80a(tc) 10V 4.8mohm @ 80a 、10V 4V @ 65µA 60 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 115W
IPP50R399CP Infineon Technologies IPP50R399CP 1.0000
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-1 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 560 v 9a(tc) 10V 399mohm @ 4.9a 、10V 3.5V @ 330µA 23 NC @ 10 V ±20V 890 PF @ 100 V - 83W
PMV170UN,215 NXP USA Inc. PMV170UN 、215 -
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PMV1 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 1a(ta) 1.8V 、4.5V 165mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 250µA 1.65 NC @ 4.5 v ±8V 83 PF @ 10 V - 325MW
FGD3N60UNDF onsemi fgd3n60undf 1.2700
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 FGD3N60 標準 60 W TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 400V、3A 、10OHM15V 21 ns npt 600 V 6 a 9 a 2.52V @ 15V、3a 52µj(on 30µj(オフ) 1.6 NC 5.5ns/22ns
PXP010-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP010-20QXJ 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN PXP010 モスフェット(金属酸化物) MLPAK33 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 10.8a 1.8V 、4.5V 10mohm @ 10.6a 、4.5v 1V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ±12V 1730 pf @ 10 v - 1.7W (TA )、21W(TC)
NTMFS4933NT1G onsemi NTMFS4933NT1G -
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn NTMFS4933 モスフェット(金属酸化物) 5-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 30 V 20a(ta)、210a(tc) 4.5V 、10V 1.2mohm @ 30a 、10V 2.2V @ 250µA 62.1 NC @ 4.5 v ±20V 10930 PF @ 15 V - 1.06W
STH410N4F7-6AG STMicroelectronics STH410N4F7-6AG 6.9500
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 stmicroelectronics 自動車、AEC-Q101、STRIPFET™F7 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 STH410 モスフェット(金属酸化物) H2PAK-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 200a(tc) 10V 1.1mohm @ 90a 、10V 4.5V @ 250µA 141 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 25 V - 365W
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor fqpf9n50t 0.9600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 5.3a(tc) 10V 730mohm @ 2.65a 、10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 PF @ 25 V - 50W (TC)
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R125CPATMA1 7.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™cp テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 IPB60R125 モスフェット(金属酸化物) PG-to263-3-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 25a(tc) 10V 125mohm @ 16a 、10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 100 V - 208W
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor RQ6A050ZPTR 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 RQ6A050 モスフェット(金属酸化物) TSMT6(SC-95) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 12 v 5a(ta) 1.5V 、4.5V 26mohm @ 5a 、4.5V 1V @ 1MA 35 NC @ 4.5 v ±10V 2850 PF @ 6 V - 950MW
SUP90142E-GE3 Vishay Siliconix sup90142e-ge3 3.2700
RFQ
ECAD 5809 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 SUP90142 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 200 v 90a 7.5V 、10V 15.2mohm @ 30a 、10V 4V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±20V 31200 PF @ 100 V - 375W
IXTN120N25 IXYS IXTN120N25 -
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 ixys Megamos™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック IXTN120 モスフェット(金属酸化物) SOT-227B - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 nチャネル 250 v 120a(tc) 20mohm @ 500ma 、10V 4V @ 250µA 360 NC @ 10 V 7700 PF @ 25 V - 730W
CM100RL-12NF Powerex Inc. CM100RL-12NF -
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール 540 w 標準 モジュール ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 100 a 2.2V @ 15V 、100A 1 Ma いいえ 15 nf @ 10 v
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0.2100
RFQ
ECAD 34 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット(金属酸化物) 6-tsop ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 4.4a(ta) 2.5V 、4.5V 30mohm @ 3a 、4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 NC @ 4.5 v ±12V 1770 pf @ 10 v - 530MW
STP2N95K5 STMicroelectronics STP2N95K5 -
RFQ
ECAD 5657 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STP2N95 モスフェット(金属酸化物) TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 950 v 2a(tc) 10V 5OHM @ 1A 、10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 PF @ 100 V - 45W
TSM4ND60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND60CI C0G -
RFQ
ECAD 5832 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ sicで中止されました -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM4ND60 モスフェット(金属酸化物) ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 4a(tc) 10V 2.2OHM @ 1.4A 、10V 3.8V @ 250µA 17.2 NC @ 10 V ±30V 582 PF @ 50 V - 41.6W
IPI50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI50R モスフェット(金属酸化物) PG-to262-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 500 V 13a(tc) 10V 250mohm @ 7.8a 、10V 3.5V @ 520µA 36 NC @ 10 V ±20V 1420 PF @ 100 V - 114W
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4PB11BPSA1 177.0133
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Infineon Technologies econodual™3 トレイ アクティブ -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FF225R12 20 MW 標準 モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 6 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 450 a 2.15V @ 15V 、225a 3 Ma はい 13 nf @ 25 v
AOU3N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aou3n60 0.3076
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 アルファ&オメガ半導体Inc. - チューブ 新しいデザインではありません -50°C〜150°C (TJ 穴を通して to-251-3 aou3 モスフェット(金属酸化物) TO-251-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 785-1182-5 ear99 8541.29.0095 80 nチャネル 600 V 2.5a 10V 3.5OHM @ 1.25A 、10V 4.5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 370 PF @ 25 V - 56.8W
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7407DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®1212-8 SI7407 モスフェット(金属酸化物) PowerPak®1212-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 9.9a 1.8V 、4.5V 12mohm @ 15.6a 、4.5V 1V @ 400µA 59 NC @ 4.5 v ±8V - 1.5W
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ-7 0.1196
RFQ
ECAD 1329 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 DMG1026 モスフェット(金属酸化物) 650MW SOT-563 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 60V 440ma(ta) 1.8OHM @ 500MA 、10V 1.8V @ 250µA 0.45pc @ 4.5V 32pf @ 25V ロジックレベルゲート
G080N10T Goford Semiconductor G080N10T 1.9400
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Goford Semiconductor - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220 ダウンロード ROHS準拠 影響を受けていない 3141-G080N10T ear99 8541.29.0000 50 nチャネル 100 V 180a(tc) 4.5V 、10V 7.5mohm @ 30a 、10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 4.5 v ±20V 13912 PF @ 50 V - 370W (TC)
SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7946DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8デュアル SI7946 モスフェット(金属酸化物) 1.4W PowerPak®SO-8デュアル ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 150V 2.1a 150mohm @ 3.3a 、10V 4V @ 250µA 20NC @ 10V - ロジックレベルゲート
DMP2036UVT-13 Diodes Incorporated DMP2036UVT-13 0.1069
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) アクティブ - - - DMP2036 - - - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10,000 - 6a(ta) - - - - - -
IRFD220 Harris Corporation IRFD220 0.5200
RFQ
ECAD 913 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) IRFD220 モスフェット(金属酸化物) 4-dip 、hexdip 、hvmdip ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 200 v 800ma(ta) 10V 800mohm @ 480ma 、10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 260 PF @ 25 V - 1W
RFP4N05L Fairchild Semiconductor RFP4N05L 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-RFP4N05L-600039 1
IXTV250N075TS IXYS IXTV250N075TS -
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 ixys trenchmv™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント プラス220SMD IXTV250 モスフェット(金属酸化物) プラス220SMD ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 250a(tc) 10V 4mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 25 V - 550W
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC011N06LM5ATMA1 4.0900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn ISC011N モスフェット(金属酸化物) PG-TDSON-8-17 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 37a 4.5V 、10V 1.15mohm @ 50a 、10V 2.3V @ 116µA 170 NC @ 10 V ±20V 11000 pf @ 30 v - 3W (TA )、 188W (TC)
NVTFS014P04M8LTAG onsemi NVTFS014P04M8LTAG 1.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERWDFN NVTFS014 モスフェット(金属酸化物) 8-WDFN (3.3x3.3) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 pチャネル 40 v 11.3a 4.5V 、10V 13.8mohm @ 15a 、10V 2.4V @ 420µA 26.5 NC @ 10 V ±20V 1734 PF @ 20 V - 3.2W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫