SIC
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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
MRFG35002N6AT1 NXP USA Inc. MRFG35002N6AT1 -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 8 v 表面マウント PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz フェットフェット PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 - 65 Ma 158mw 10db - 6 v
NXH040F120MNF1PG onsemi NXH040F120MNF1PG -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 onsemi - トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール NXH040 炭化シリコン（原文） 74W （TJ） 22-PIM（33.8x42.5 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 488-NXH040F120MNF1PG ear99 8541.29.0095 28 4 nチャネル 1200V（1.2kv） 30a（tc） 56mohm @ 25a 、20V 4.3V @ 10MA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
IRF830BPBF Vishay Siliconix IRF830bpbf 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 IRF830 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5.3a（tc） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 5V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 325 PF @ 100 V - 104W
4AK17-91 Renesas Electronics America Inc 4AK17-91 22.2500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
IPI100P03P3L-04 Infineon Technologies IPI100P03P3L-04 -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI100P モスフェット（金属酸化物） PG-to262-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない SP000311117 ear99 8541.29.0095 500 pチャネル 30 V 100a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 80a 、10V 2.1V @ 475µA 200 NC @ 10 V +5V、 -16V 9300 PF @ 25 V - 200W （TC）
IPB80N04S2-H4ATMA2 Infineon Technologies IPB80N04S2-H4ATMA2 -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3-2 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 80a（tc） 10V 3.7mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 300W （TC）
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0.4400
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） モスフェット（金属酸化物） 4-dip、hexdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 196 nチャネル 100 V 1.1a（tc） 10V 400mohm @ 600ma 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 25 v - 1W （TC）
DRF1510 Microchip Technology DRF1510 -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-DRF1510 ear99 8541.29.0095 1
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor fdd5n50ftm 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.55OHM @ 1.75A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 40W （TC）
SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet®geniv テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®1212-8 SIS472 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®1212-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15.3a 4.5V 、10V 7.5mohm @ 10a 、10V 2.4V @ 250µA 21.5 NC @ 10 V +20V、 -16V 1000 pf @ 15 V - 3.2W
MG25P12E1 Yangjie Technology MG25P12E1 64.5125
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjieテクノロジー - バルク アクティブ 175°C （TJ） シャーシマウント モジュール 20 MW 三相ブリッジ整流器 - - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-MG25P12E1 ear99 8 三相インバーター - 1200 v 25 a 2.25V @ 15V、25a 1 Ma はい 1.45 nf @ 25 v
IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies IPA95R750P7XKSA1 2.5300
RFQ
 ECAD 485 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™p7 チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック IPA95R750 モスフェット（金属酸化物） PG〜220-FP ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 950 v 9a（tc） 10V 750mohm @ 4.5a 、10V 3.5V @ 220µA 23 NC @ 10 V ±20V 712 PF @ 400 v - 28W （TC）
IPU50R950CEBKMA1 Infineon Technologies IPU50R950CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ce チューブ sicで中止されました -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 IPU50R モスフェット（金属酸化物） PG-to251-3 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 500 V 4.3a（tc） 13V 950mohm @ 1.2a、13V 3.5V @ 100µA 10.5 NC @ 10 V ±20V 231 PF @ 100 V - 34W （TC）
SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK185N60E-T1-GE3 4.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix e テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powerbsfn SIHK185 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®10x12 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 19a（tc） 10V 185mohm @ 9.5a 、10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1085 PF @ 100 V - 114W
STP5N95K5 STMicroelectronics STP5N95K5 2.1100
RFQ
 ECAD 876 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STP5N95 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 950 v 3.5a 10V 2.5OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 100µA 12.5 NC @ 10 V ±30V 220 PF @ 100 V - 70W
DMT47M2SFVW-13 Diodes Incorporated DMT47M2SFVW-13 0.2451
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-POWERVDFN DMT47 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない DMT47M2SFVW-13DI ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 15.4a 10V 7.5mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 12.1 NC @ 10 V ±20V 897 PF @ 20 V - 2.67W
PJL9804_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9804_R2_00001 0.1494
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PJL9804 モスフェット（金属酸化物） 1.25W 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-PJL9804_R2_00001TR ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a（ta） 28mohm @ 6a 、10V 2.1V @ 250µA 7.8NC @ 10V 343pf @ 15V -
IRLR3717TRPBF Infineon Technologies IRLR3717TRPBF -
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001553200 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 20 v 120a（tc） 4.5V 、10V 4mohm @ 15a 、10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ±20V 2830 pf @ 10 v - 89W
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBOSA1 -
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜125°C シャーシマウント モジュール BSM100 430 W 標準 モジュール - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 フルブリッジ - 600 V 130 a 2.45V @ 15V 、100A 500 µA いいえ 4.3 nf @ 25 v
NP82N10PUF-E1-AY Renesas np82n10puf-e1-ay 2.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263-3 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-NP82N10PUF-E1-AY ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 82a（tc） 5.8V 、10V 15mohm @ 41a 、10V 3.3V @ 250µA 96 NC @ 10 V ±20V 4350 PF @ 25 V - 1.8W
GWM220-004P3-SL IXYS GWM220-004P3-SL -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 ixys - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 17-SMD 、フラットリード GWM220 モスフェット（金属酸化物） - ISOPLUS-DIL™ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 36 6 N-Channel（3 フェーズブリッジ） 40V 180a - 4V @ 1MA 94NC @ 10V - -
PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN6R1-40HLX 1.8800
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 PSMN6R1 モスフェット（金属酸化物） 64W LFPAK56D ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 2 nチャンネル（デュアル） 40V 40a（ta） 6.1mohm @ 10a 、10v 2.1V @ 1MA 22.2NC @ 5V 3000pf @ 25V ロジックレベルゲート
SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 1.8574
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 10-Polarpak® Sie802 モスフェット（金属酸化物） 10-Polarpak® ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 60a（tc） 4.5V 、10V 1.9mohm @ 23.6a 、10V 2.7V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 7000 pf @ 15 V - 5.2W
C3M0060065L-TR Wolfspeed, Inc. C3M0060065L-TR 12.5800
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 wolfspeed C3M™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜175°C 表面マウント 8-POWERSFN sicfet （炭化シリコン） 通行料金 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 650 V 39a 15V 79mohm @ 13.2a、15V 3.6V @ 3.64MA 46 NC @ 15 V +19V、-8V 1170 pf @ 400 v - 131W
UPA2371T1P-E1-A Renesas upa2371t1p-e1-a 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 表面マウント 4-uflga UPA2371 モスフェット（金属酸化物） - 4-EFLIP （1.62x1.62） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-upa2371t1p-e1-a ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 24V 6a - - - - -
IPB60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360CFD7ATMA1 2.8900
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™cfd7 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 IPB60R360 モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 360mohm @ 2.9a 、10V 4.5V @ 140µA 14 NC @ 10 V ±20V 679 PF @ 400 v - 43W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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