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トランジスタ（100539）

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VS-ENQ030L120S	-	RFQ	7672	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	シャーシマウント	emipak-1B	ENQ030			216 W	標準	emipak-1B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	98	3つのレベルインバーター														溝	1200 v	61 a		2.52V @ 15V 、30a				230 µA	はい	3.34 NF @ 30 V
VS-FA38SA50LCP	-	RFQ	8292	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FA38		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSFA38SA50LCP	ear99	8541.29.0095	180		nチャネル		500 V	38a（tc）	10V	130mohm @ 23a 、10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	500W （TC）
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VS-GA200SA60SP	-	RFQ	1004	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200			781 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGA200SA60SP	ear99	8541.29.0095	180	シングル														-	600 V			1.3V @ 15V 、100A				1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
vs-ga200th60s	-	RFQ	8699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GA200			1042 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsga200th60s	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ														-	600 V	260 a		1.9V @ 15V				5 µA	いいえ	13.1 nf @ 25 v
VS-GB100NH120N	-	RFQ	6945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100			833 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル														-	1200 v	200 a		2.35V @ 15V 、100A				5 Ma	いいえ	8.58 nf @ 25 v
VS-GB150TH120U	-	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB150			1147 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ														-	1200 v	280 a		3.6V @ 15V、150a				5 Ma	いいえ	12.7 nf @ 30 v
VS-GB200NH120N	-	RFQ	3076	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB200			1562 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル														-	1200 v	420 a		1.8V @ 15V				5 Ma	いいえ	18 nf @ 25 v
VS-GB300AH120N	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB300			2500 W	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル														-	1200 v	620 a		1.9V @ 15V				5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v
VS-GB300NH120N	-	RFQ	3595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB300			1645 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル														-	1200 v	500 a		2.45V @ 15V、300A				5 Ma	いいえ	21.2 nf @ 25 v
VS-GB400TH120N	-	RFQ	8302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB400			2604 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsgb400th120n	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ														-	1200 v	800 a		1.9V @ 15V				5 Ma	いいえ	32.7 NF @ 25 V
VS-GB50LP120N	-	RFQ	1848年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB50			446 w	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB50LP120N	ear99	8541.29.0095	24	シングル														-	1200 v	100 a		1.7V @ 15V				1 Ma	いいえ	4.29 nf @ 25 v
VS-GB70NA60UF	-	RFQ	2412	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB70			447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB70NA60UF	ear99	8541.29.0095	180	シングル														npt	600 V	111 a		2.44V @ 15V、70a				100 µA	いいえ
VS-GB75SA120UP	-	RFQ	1928年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB75			658 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB75SA120UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル														npt	1200 v			3.8V @ 15V 、75a				250 µA	いいえ
VS-GB75TP120U	-	RFQ	2388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB75			500 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75TP120U	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ														-	1200 v	105 a		3.2V @ 15V				2 Ma	いいえ	4.3 nf @ 30 v
VS-GT100TP120N	-	RFQ	7011	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT100			652 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT100TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ														溝	1200 v	180 a		2.35V @ 15V 、100A				5 Ma	いいえ	12.8 nf @ 30 v
VS-GT300FD060N	670.5450	RFQ	4047	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します	175°C （TJ）	シャーシマウント	デュアルint-a-pak（4 + 8）	GT300			1250 w	標準	デュアルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT300FD060N	ear99	8541.29.0095	12	3つのレベルインバーター														トレンチフィールドストップ	600 V	379 a		2.5V @ 15V 、300A				250 µA	いいえ	23.3 nf @ 30 v
VS-GT400TH120U	-	RFQ	5234	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 8）	GT400			2344 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT400TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ														溝	1200 v	750 a		2.35V @ 15V 、400A				5 Ma	いいえ	51.2 nf @ 30 v
VS-GT50TP120N	-	RFQ	9172	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT50			405 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT50TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ														溝	1200 v	100 a		2.35V @ 15V 、50a				5 Ma	いいえ	6.24 NF @ 30 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²