SIC
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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
BLF6G20-75,112 Ampleon USA Inc. BLF6G20-75,112 -
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 Ampleon USA Inc. - トレイ 廃止 65 v シャーシマウント SOT-502A BLF6G20 1.93GHz1.99GHz ldmos SOT502A ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 20 18a 550 Ma 29.5W 19db - 28 v
SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 グッドアーク半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0080 3,000 pチャネル 60 V 3.2a（ta） 4.5V 、10V 105mohm @ 3a、10V - 15 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 30 V - 2W （TA）
PHKD3NQ10T,518 Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T 、518 -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 Nexperia USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -65°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PHKD3 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 934055906518 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 100V 3a 90mohm @ 1.5a 、10V 4V @ 1MA 21NC @ 10V 633pf @ 20V ロジックレベルゲート
PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNEX 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PMGD175 モスフェット（金属酸化物） 260MW 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 870ma 252mohm @ 900ma 、4.5V 1.25V @ 250µA 1.65NC @ 4.5V 81pf @ 15V -
BUK7506-55A127 NXP USA Inc. BUK7506-55A127 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 6.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 6000 PF @ 25 V - 300W （TC）
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R350CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI50R350 モスフェット（金属酸化物） PG-to262-3-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP000680736 ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 500 V 10a（tc） 10V 350mohm @ 5.6a 、10V 3.5V @ 370µA 25 NC @ 10 V ±20V 1020 PF @ 100 V - 89W
IRF6201PBF Infineon Technologies IRF6201PBF -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 95 nチャネル 20 v 27a（ta） 2.5V 、4.5V 2.45mohm @ 27a 、4.5V 1.1V @ 100µA 195 NC @ 4.5 v ±12V 8555 PF @ 16 V - 2.5W
AUIRFS3107-7P International Rectifier auirfs3107-7p 1.0000
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） d2pak（7 リード） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 75 v 240a 10V 2.6mohm @ 160a 、10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 9200 PF @ 50 V - 370W （TC）
64-4045PBF Infineon Technologies 64-4045pbf -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 Infineon Technologies * チューブ 廃止 64-4045 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001521504 ear99 8541.29.0095 75
SI4324DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4324DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4324 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 36a（tc） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 20a 、10v 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 V ±20V 3510 PF @ 15 V - 3.5W
SI2303BDS-T1 Vishay Siliconix SI2303BDS-T1 -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Vishay Siliconix - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 SI2303 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.49a 4.5V 、10V 200mohm @ 1.7a 、10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 15 v - 700MW
RSR015P06HZGTL Rohm Semiconductor RSR015P06HZGTL 0.6500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-96 RSR015 モスフェット（金属酸化物） TSMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 1.5a（ta） 4V 、10V 280mohm @ 1.5a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 500 PF @ 10 V - 700MW
NTD5406NT4G onsemi NTD5406NT4G -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 NTD54 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 12.2a 5V、10V 10mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 32 v - 3W （TA ）、100W（TC）
SIHA240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA240N60E-GE3 2.9600
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix e チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック SIHA240 モスフェット（金属酸化物） TO-220フルパック ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（tc） 10V 240mohm @ 5.5a 、10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 783 PF @ 100 V - 31W （TC）
MCU01N60A-TP Micro Commercial Co MCU01N60A-TP 0.5600
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 MCU01 モスフェット（金属酸化物） dpak（to-252） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 600 V 1.3a（tc） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4.2V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±30V 125 pf @ 20 v - 37.8W
FF300R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R07ME4BOSA1 169.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies econodual™3 トレイ アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール FF300R07 20 MW 標準 Ag-conod-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 2独立 トレンチフィールドストップ 650 V 300 a 1.95V @ 15V 、300A 1 Ma はい 18.5 nf @ 25 v
NTMFS4D8N02HT1G onsemi NTMFS4D8N02HT1G -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 5-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NTMFS4D8N02HT1GTR ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 25 v 21a（タタ75a 4.5V 、10V 4.2mohm @ 20a 、10V 2.1V @ 250µA 13.4 NC @ 10 V ±20V 780 pf @ 12 v - 3.2W
CSD17484F4 Texas Instruments CSD17484F4 0.4800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 テキサスの楽器 femtofet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-xfdfn CSD17484 モスフェット（金属酸化物） 3ピコスタル ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a（ta） 1.8V 、8V 121mohm @ 500ma 、8v 1.1V @ 250µA 1.2 NC @ 4.5 v 12V 195 pf @ 15 v - 500MW
DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated DMG7401SFG-13 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN DMG7401 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 9.8a 4.5V 、20V 11mohm @ 12a 、20V 3V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±25V 2987 PF @ 15 V - 940MW
RM27P30LD Rectron USA RM27P30LD 0.1500
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 Rectron USA - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 2516-RM27P30LDTR 8541.10.0080 25,000 pチャネル 30 V 27a（tc） 4.5V 、10V 30mohm @ 12a 、10v 2.5V @ 250µA ±20V 930 PF @ 15 V - 31.3W
AUIRFR4105 International Rectifier auirfr4105 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 20a（tc） 10V 45mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 700 PF @ 25 V - 68W （TC）
PSMN4R3-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN4R3-100ES、127 -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Nexperia USA Inc. - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 120a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 170 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 50 V - 338W（TC）
PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc. psmn011-80ys 、115 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 PSMN011 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 80 v 67a（tc） 10V 11mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 40 V - 117W
SQJ162EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ162EP-T1_GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント PowerPak®SO-8 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 3,000 nチャネル 60 V 166a（tc） 10V 5mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 3930 PF @ 25 V - 250W
2SK1094-E Renesas Electronics America Inc 2SK1094-E 2.8100
RFQ
 ECAD 663 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor SCT4013DEC11 37.7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm Semiconductor - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247N ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 846-SCT4013DEC11 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 750 V 105a 18V 16.9mohm @ 58a、18V 4.8V @ 30.8ma 170 NC @ 18 V +21V、-4V 4580 PF @ 500 V - 312w
IRFS254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS254BFP001 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 16a（tc） 10V 140mohm @ 8a、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 90W
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T （TE85L -
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K315 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 27.6mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 700MW
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV、L3F 0.2500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 SSM3K44 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 8.5 PF @ 3 V - 150MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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