画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CG6897KGA | - | ![]() | 3052 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C131-30JI | - | ![]() | 6406 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C131 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 8kbit | 30 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 30ns | ||
![]() | Cy7C1145KV18-400ZXC | 31.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1145 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 450 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | CG6752ATT | - | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
CAT25C08Y-TE13 | - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT25C08 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | CG6848AT | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | FM93CS66M | 0.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93CS66 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||
![]() | Cy7C1324F-117AI | - | ![]() | 7613 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1324 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 揮発性 | 2mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 18 | 平行 | - | |
![]() | Cy7C166-15VC | 4.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 24-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C166 | sram-標準 | 4.5v〜5.5V | 24-SOJ | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 15 ns | sram | 16k x 4 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C1399B-15ZXCT | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy7C1399 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 71V124SA12PHI | - | ![]() | 4853 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V124 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||
![]() | 71V25761S166PF | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71v25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |
![]() | Cy7C1020CV33-15ZSXEKJ | - | ![]() | 2811 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1020 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 512kbit | 15 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 24C04AE/p | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24C04A | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 1ms | |
![]() | 71V3557S85PF | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4.5mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | Cy14V101LA-BA25XIES | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 71256SA20TPI | - | ![]() | 4844 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | 71256S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||
CY7C1472V33-200AXCKJ | 137.3700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1472 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 5962-8764813QYA | 24.0000 | ![]() | 192 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-CLCC 、ウィンドウ | 5962-8764813 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 32-CLCC(13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 200 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | Cy14B256L-SP25XI | 7.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | CY14B256 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | 7164L20TP | - | ![]() | 3960 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | 7164L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | ||
![]() | Cy7C1570V18-375BZC | 159.5900 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1570 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 375 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | QS86446-15V | 14.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 高品質の半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
S26KS512SDPBHI020A | - | ![]() | 6792 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Hyperflash™ks | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | 71V416L15Y | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 71V416L15PHI | 2.2600 | ![]() | 7799 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | cy62147dv30ll-55bvit | 2.1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62147 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 200 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||
![]() | FM25V02-PG | 13.8600 | ![]() | 962 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | NM93C46MT8X | 0.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||
![]() | 71V3576S150PF | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3576 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - |
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