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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
STK11C68-SF45TR	-	RFQ	8063	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-SOIC （0.342 "、幅8.69mm）	STK11C68	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		不揮発性	64kbit	45 ns	nvsram	8k x 8	平行	45ns
S71VS128RB0AHKCL0	-	RFQ	2917	Infineon Technologies	vs-r	トレイ	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	56-VFBGA	S71VS128	フラッシュ、 psram	1.7V〜1.95V	56-VFRBGA （7.7x6.2	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止		100	108 MHz	不揮発性、揮発性	128mbit（フラッシュ）、32mbit（ram）		フラッシュ、ラム	-	平行	-
IS49NLC18320-33BI	-	RFQ	3085	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
SST39LF040-55-4C-NHE-T	2.6400	RFQ	6380	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	SST39LF040	フラッシュ	3V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	750		不揮発性	4mbit	55 ns	フラッシュ	512k x 8	平行	20µs
Cy7C1328A-133AI	3.9100	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1328	sram- sdr	3.15V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4 ns	sram	256k x 18	平行	-
S29JL032J60BHI313	-	RFQ	4971	Infineon Technologies	JL-J	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	S29JL032	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	48-FBGA （8.15x6.15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		不揮発性	32mbit	60 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	60ns
Cy62147GE30-45BVXIT	6.5100	RFQ	1894年年	Infineon Technologies	mobl®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62147	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		揮発性	4mbit	45 ns	sram	256k x 16	平行	45ns
MX30LF2G18AC-TJ	3.8610	RFQ	6780	マクロニックス	MX30LF	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop	-		3 （168 時間）		1092-MX30LF2G18AC-TJ			96		不揮発性	2Gbit	16 ns	フラッシュ	256m x 8	onfi	20NS 、600µs
IDT71V416IL12Y8	-	RFQ	3924	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	IDT71V416	sram-非同期	3V〜3.6V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71v416yl12y8	3A991B2A	8542.32.0041	500		揮発性	4mbit	12 ns	sram	256k x 16	平行	12ns
24cs512-e/st	-	RFQ	5758	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	24CS512	Eeprom	1.7V〜5.5V	8-tssop	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-24CS512-E/ST	ear99	8542.32.0051	100	3.4 MHz	不揮発性	512kbit	400 ns	Eeprom	64k x 8	i²c	5ms
IS61LV12824-8TQ-TR	-	RFQ	5904	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LV12824	sram-非同期	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		揮発性	3mbit	8 ns	sram	128k x 24	平行	8ns
71v546x5S133pfg	-	RFQ	5205	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V546	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4.2 ns	sram	128k x 36	平行	-
W972GG8JB-18	-	RFQ	5503	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-WBGA （11x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	189	533 MHz	揮発性	2Gbit	350 PS	ドラム	256m x 8	平行	15ns
70T3589S200BC8	181.7127	RFQ	1107	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	256-lbga	70T3589	sram- デュアルポート、同期	2.4V〜2.6V	256-CABGA （17x17）	ダウンロード	ROHS非準拠	4 （72 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	揮発性	2mbit	3.4 ns	sram	64k x 36	平行	-
IS42S32160D-6BL	13.5037	RFQ	3860	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	240	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
25LC040AT-H/SN16KVAO	-	RFQ	9118	マイクロチップテクノロジー	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C（ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	25LC040	Eeprom	2.5V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		3A001A2A	8542.32.0051	3,300	10 MHz	不揮発性	4kbit		Eeprom	512 x 8	spi	5ms
S99-50331 p	-	RFQ	7203	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止								-		3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止		1
IS49NLS93200-25B	-	RFQ	8248	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
IS42S32400D-6B	-	RFQ	5793	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
MX29LV800CTMI-55Q	-	RFQ	8002	マクロニックス	MX29LV	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅）	MX29LV800	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	44ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	16		不揮発性	8mbit	55 ns	フラッシュ	1m x 8	平行	55ns
70T3519S166BFG	317.9181	RFQ	8681	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	208-LFBGA	70T3519	sram- デュアルポート、同期	2.4V〜2.6V	208-CABGA （15x15	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	7	166 MHz	揮発性	9mbit	3.6 ns	sram	256k x 36	平行	-
S29GL256P10FAI022	9.1700	RFQ	4187	Infineon Technologies	GL-P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	400		不揮発性	256mbit	100 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	100ns
mtfc16gjdec-h1 wt	-	RFQ	6348	Micron Technology Inc.	E•MMC™	バルク	廃止	-25°C〜85°C（タタ			mtfc16g	フラッシュ -ナンド	1.65v〜3.6V		-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	1		不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	MMC	-
Cy7C1512Kv18-250bzc	150.1850	RFQ	3898	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1512	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	680	250 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-
71V632S7PFG8	-	RFQ	8183	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v632	sram- sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	66 MHz	揮発性	2mbit	7 ns	sram	64k x 32	平行	-
MT25TL256BBA8ESF-0AAT	12.1200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	MT25TL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-sop2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi	8ms、2.8ms
at93c46en-sh-t	0.3000	RFQ	44	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	93C46	Eeprom	1.8V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	4,000	2 MHz	不揮発性	1kbit		Eeprom	64 x 16	3線シリアル	5ms
IDT71V3577S85PF8	-	RFQ	3787	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IDT71V3577	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71V3577S85PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4.5mbit	8.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS61LF12836A-7.5TQI-TR	-	RFQ	9553	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LF12836	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS43LD16128C-25BLI	-	RFQ	4534	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LD16128C-25BLI			171	400 MHz	揮発性	2Gbit	5.5 ns	ドラム	128m x 16	HSUL_12	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²