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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS46LQ16256AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1 14.3129
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
CG8017AAT Infineon Technologies CG8017AAT -
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
BQ2024DBZR Texas Instruments BQ2024DBZR 0.9234
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 テキサスの楽器 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜70°C（TA） 表面マウント TO-236-3 BQ2024 eprom -otp 2.65V〜5.5V SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 3,000 不揮発性 1.5kbit eprom 32バイトx 6ページ 単一ワイヤ -
S29GL064S70TFA013 Infineon Technologies S29GL064S70TFA013 5.7500
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
AT24C08BY6-YH-T Atmel at24c08by6-yh-t 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Atmel - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT24C08 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-mini ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 8kbit 550 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
AS4C64M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SA-7TCN -
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 ECAD 7016 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C64 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 96 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS29GL01GS-11DHV010 Infineon Technologies IS29GL01GS-11DHV010 -
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 ECAD 7056 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga IS29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
S29GL512S10DHSS23 Infineon Technologies S29GL512S10DHSS23 8.8900
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 ECAD 2382 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
R1QDA7236ABG-19IB0 Renesas Electronics America Inc R1QDA7236ABG-19IB0 23.7400
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1
AT25PE80-MHN-T Adesto Technologies AT25PE80-MHN-T 1.9700
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 ECAD 8601 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-udfn露出パッド AT25PE80 フラッシュ 1.7V〜3.6V 8-udfn （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 6,000 85 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 256バイトx 4096ページ spi 8µs 、4ms
AS7C34098A-15TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TINTR 4.5617
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
S29AL016J70TFM020 Infineon Technologies S29AL016J70TFM020 -
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
CAT25040VE-GT3D onsemi cat25040ve-gt3d -
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT25040VE-GT3DTR 廃止 3,000 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
R1LV0108ESA-7SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV0108ESA-7SI＃B0 -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LV0108 sram 2.7V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 70 ns sram 128k x 8 平行 70ns
S99MS04G20029 Cypress Semiconductor Corp S99MS04G20029 -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク sicで中止されました - 未定義のベンダー 0000.00.0000 1
MT62F1536M64D8EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT：B TR 67.8450
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-023WT：BTR 1,500 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
AT93C46A-10TU-1.8 Microchip Technology AT93C46A-10TU-1.8 -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 93C46A Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 3線シリアル 10ms
70P259L90BYGI Renesas Electronics America Inc 70P259L90BYGI -
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TFBGA 70p259l sram- デュアルポート、非同期 1.7V〜1.9V 100-CABGA ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 90 揮発性 128kbit 90 ns sram 8k x 16 平行 90ns
MT61K512M32KPA-14:C Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14：c 25.3500
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA（12x14） - 557-MT61K512M32KPA-14：c 1 7 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 pod_135 -
MX25R4035FM1IL0 Macronix MX25R4035FM1IL0 0.5200
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MX25R4035 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-1208 ear99 8542.32.0071 98 33 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 100μs10ms
CY7C1049G30-10ZSXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1049G30-10ZSXI 6.8200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1049 sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 45 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns 確認されていません
BR24S08FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24S08FVT-WE2 0.5736
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24S08 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
S29GL512P11FFI012 Cypress Semiconductor Corp S29GL512P11FFI012 13.3400
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 2832-S29GL512P1FI012-TR 3A991B1A 8542.32.0071 38 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 110ns
IS62WV5128DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45HLI -
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS62WV5128 sram-非同期 2.3V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 234 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns
S25FL032P0XNFI010 Cypress Semiconductor Corp S25FL032P0XNFI010 1.0700
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド S25FL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 468 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
AM27C512-120DE Rochester Electronics, LLC AM27C512-120DE 59.9500
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 ECAD 80 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm） AM27C512 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 512kbit 120 ns eprom 64k x 8 平行 -
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FR TR -
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MBM29LV160BE-90PBT Fujitsu MBM29LV160BE-90PBT 1.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 藤井 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント フラッシュ - 3V 48-FBGA - 3277-MBM29LV160BE-90PBTTR ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 確認されていません
DS1245Y-FIR Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1245Y-FIR -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-EDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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