画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT27C020-12TC | - | ![]() | 3060 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT27C020 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27C02012TC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | AT45DB021E-SHN-B | 1.3400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB021 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -AT45DB021E-SHN-B | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 70 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 264バイトx 1024ページ | spi | 8µs、3ms | ||
71256L20YGI | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71256L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 270 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AT29C020-12TI | - | ![]() | 2980 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT29C020 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | AA783422-C | 385.0000 | ![]() | 8508 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-AA783422-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 71V3577S75PFGI8 | 7.9158 | ![]() | 1981年年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | upd44164362bf5-e40-eq3-a | 37.1700 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | wbmisc | - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25HS01GTFAMHA010 | 19.8100 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 16-SOIC | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||||
![]() | AT25010A-10PU-2.7 | - | ![]() | 2003年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25010 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | MEM-DR316L-SL02-ER10-C | 51.2500 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR316L-SL02-ER10-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | S29GL128S90FHI010 | 6.2300 | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | 25LC128-I/MF | 1.5900 | ![]() | 8397 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 25LC128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-dfn-s(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | AT25080B-MAPDGV-E | - | ![]() | 3840 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | Cy7C194-45VC | 3.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 24-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C194 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 45 ns | sram | 64k x 4 | 平行 | 45ns | |||
![]() | R1RP0416DSB-2LR #D0 | 24.1800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | at25ff041a-mahn-t | 0.5900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25FF041 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 2m x 2 | spi -quad i/o | 22µs、2.6ms | |||
![]() | S29AL008J70TFN023 | 3.4475 | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29AL008 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT42L64M64D2MP-25 IT:a | - | ![]() | 7307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 220-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 220-FBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | EM6HC08EWUG-10H | 3.6828 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | EM6HC08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HC08EWUG-10HTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | S29GL512T11DHIV10 | 10.2300 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | Cy7C1381KVE33-133AXIT | 35.0175 | ![]() | 3024 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1381 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 4x70G78061-C | 145.0000 | ![]() | 8456 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70G78061-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 5962-8866516UA | - | ![]() | 3937 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 68フラットパック | 5962-8866516 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 68-fpack | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-8866516UA | 廃止 | 9 | 揮発性 | 32kbit | 35 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 35ns | |||
![]() | 70825L35PFGI | - | ![]() | 2365 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lqfp | sram | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | - | 800-70825L35PFGI | 1 | 25 MHz | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||||
![]() | AS6C1616-55BINTR | - | ![]() | 5538 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C1616 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | S25FL128P0XMFI003M | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | CP7908ATT | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | IS25WP080D-JKLE | 1.0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WP080 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs |
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