画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 5962-9166203MXA | 416.0638 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 84-bpga | 5962-9166203 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PGA (27.94x27.94 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-9166203MXA | 3 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | 7025L35JI | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 7025L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | AT25HP256-10PI-1.8 | - | ![]() | 8639 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25HP256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT25HP256-10PI1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 10ms | |||
![]() | Cy27C256A-45pi | 2.7700 | ![]() | 3821 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | Cy27C256 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | EDFA232A2MA-GD-FR TR | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | |||||
![]() | PCA24S08AD 、112 | - | ![]() | 8228 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | PCA24 | Eeprom | 2.5V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | i²c | - | ||||
MR2A16AVYS35 | 36.9500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MR2A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 35 ns | ラム | 256k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | Cy7B139-35JC | 25.0000 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | Cy7B139 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.23x24.23 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 36kbit | 35 ns | sram | 4k x 9 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | IS42S16320F-6TLI-TR | 11.4600 | ![]() | 6207 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 71V65803S150BGI8 | 28.5570 | ![]() | 9722 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71v65803 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.8 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS65C256AL-25TLA3-TR | 2.7498 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS65C256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | S34MS01G200BHA000 | - | ![]() | 3316 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-2 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 45 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | S29JL032H90TAI310 | 2.5400 | ![]() | 714 | 0.00000000 | スパンション | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
X28HC256J-90 | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | X28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 30 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
![]() | GS8662T36BGD-400I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8662T | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(13x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8662T36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S70GL02GT12FHVV20 | 25.7425 | ![]() | 7220 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 2Gbit | 120 ns | フラッシュ | 256m x 8 | CFI | - | ||||||||
![]() | AT24C01B-PU | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C01 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | M95040-DRMN8TP/K | 0.4500 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M95040 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 4ms | ||||
![]() | MEM-DR316L-HL04-ER16-C | 48.5000 | ![]() | 9262 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR316L-HL04-ER16-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C245A-45pc | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | MT54W512H36BF-7.5 | 23.6300 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 500 PS | sram | 512K x 36 | HSTL | - | ||||
![]() | MX66U51235FME-13G | 98.4000 | ![]() | 9455 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX66U51235 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
S25FL256LDPBHI020 | 4.1600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-l | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 73 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | |||||||||
![]() | GD25Q32ESIGR | 0.9400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||
![]() | AT93C86-10SC | - | ![]() | 9764 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | at93c86 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
![]() | MEM-DR416L-HL01-ER21-C | 132.5000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR416L-HL01-ER21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
CAT93C66V | - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C66 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||
![]() | Cy7C1361B-100AC | - | ![]() | 2924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1361 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 70V9079S12PF | - | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9079 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
CAT24AA08TDI-GT3 | 0.3800 | ![]() | 3429 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 | CAT24 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | TSOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 400 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms |
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