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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q064A13E12D1E | - |  | 2973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,122 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | CY7C1440KV25-250BZXIT | 66.4475 | | 7991 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1440 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
 | IS61LF102418B-7.5TQ-TR | - | | 2346 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | w25q128jvejq tr | - | | 1578 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | w25q128jvejqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
 | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR | - | | 2603 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29vzzzad8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | Cy7C1355C-133BGXC | - | | 7399 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1355 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | S29AL016J70BFA013 | 2.1383 | | 2881 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AL016 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA （8.15x6.15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | Cy7C109BNL-15VC | - | | 5600 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） | Cy7C109 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | Cy62128bnll-55zxi | - | | 2213 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | Cy62128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
 | A3116520-C | 193.7500 | | 6441 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A3116520-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| IS43QR85120B-083RBLI-TR | 9.5494 | | 3476 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||
 | S25FL512SAGMFMG13 | 12.9500 | | 5960 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| M3004316045NX0PTAR | 10.5203 | | 2614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | ミスター（磁気抵抗ラム） | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 800-M3004316045NX0PTARTR | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | ラム | 256k x 16 | 平行 | 45ns | |||||||
 | w25n04kvzeiu tr | 5.5500 | | 9229 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25N04KVZEIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
 | S25HL02GTDPBHV050 | 35.8600 | | 103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | S25HL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | PG-BGA-24-805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi-デュアルi/o | - | |||
 | MT47H32M16CC-3：b | - | | 8218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA（12x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| NDS76PBA-16IT TR | 2.1688 | | 4532 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS76PBA-16ITTR | 2,500 | |||||||||||||||||||
| MT29F128G08EBEBB95A3WC1-M | - | | 4090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | IDT71V432S10PF | - | | 8948 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V432 | sram- sdr | 3.135V〜3.63V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V432S10PF | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | ||
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | | 6034 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
| C-1333D3S9/8G-TAA | 70.0000 | | 5889 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-1333D3S9/8G-TAA | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT45DB321D-SU-SL383 | - | | 1351 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 528バイトx 8192ページ | spi | 6ms | |||||
| 70V05L12J | - | | 4346 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC（24.21x24.21 | - | 800-70V05L12J | 1 | 揮発性 | 64kbit | 12 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||||
| S25FL116K0XBHI023 | - | | 3523 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL116 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
| EDF8164A3PK-JD-FD | - | | 1829年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||
 | A5180168-C | 95.7500 | | 8067 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A5180168-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| C-3200D4SR16S/4G | 50.0000 | | 5933 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-3200D4SR16S/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | cat24c02li-ga | - | | 8225 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | CAT24C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AIT：c | 29.0250 | | 8414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT：c | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | IS25LQ010A-JDLE | - | | 9125 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | IS25LQ010 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-tssop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 400µs |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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