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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WD40EKIGR | 0.3676 |  | 3820 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD40EKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | ||||||||
 | MT58L64L18CT-10 | 7.0500 | | 22 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| 7130SA12PDG | - | | 9740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 48-dip（0.600 "、15.24mm） | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | - | 800-7130SA12PDG | 1 | 揮発性 | 8kbit | 12 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||
 | AS6C1608B-45TIN | 11.6114 | | 8327 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | AS6C1608 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1450-AS6C1608B-45TIN | ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | MT29F2G01ABAGDWB-IT：G TR | 2.8500 | | 712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-updfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T：TR | - | | 7205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F512G08EBHAFJ4-3T：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| BR24H16F-5ACE2 | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | 1 （無制限） | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 3.5ms | |||||||||
 | Cy7C0241-15axi | 19.7800 | | 302 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C0241 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 72kbit | 15 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||
 | CAT28F512GI-90T | - | | 8795 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC （11.43x13.97 | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 90ns | |||||
 | 24FC16T-E/ST | 0.3400 | | 177 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 24FC16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
 | MT29F2G08ABAEAH4-IT：e | - | | 1690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||||
| IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 3.2589 | | 8408 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | 揮発性 | 64mbit | 40 ns | psram | 8m x 8 | ハイパーバス | 40ns | ||||||
| 24AA014HT-I/ST | 0.4050 | | 8612 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 24AA014 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
| Cy7C1019DV33-10BVXI | 2.5200 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1019 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | 120 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||||||
| PCA24S08AD112 | - | | 6572 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY15B108QN-20LPXI | 31.5350 | | 9444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-LP 、F-Ram™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-UQFN | Cy15B108 | フラム（強誘電性ラム） | 1.8V〜3.6V | 8-gqfn （3.23x3.28） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラム | 1m x 8 | spi | - | ||||
| INT70P1783 | - | | 2407 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Cy2149-35pc | 5.6700 | | 175 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 18-dip（0.300 "、7.62mm） | Cy2149 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 35 ns | sram | 1k x 4 | 平行 | 35ns | ||||
 | IS66WVO32M8DALL-200BLI | 6.9500 | | 47 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVO32M8 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | psram | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 40ns | |||
| 5962-8700205UA | 227.7712 | | 7258 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 表面マウント | 48-lcc | 5962-8700205 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 48-lcc（ 14.22x14.22） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 800-5962-8700205UA | 34 | 揮発性 | 16kbit | 45 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 45ns | |||||
 | AT24CM01-UUM-T | - | | 7017 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | AT24CM01 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | |||
| 7006S17J | - | | 5437 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 7006S17 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 128kbit | 17 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 17ns | ||||
 | 71V416L12BE8 | 7.5317 | | 1310 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga （9x9） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
 | 576110-001-C | 15.7500 | | 9276 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-576110-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C25422KV18-333BZXI | 283.3800 | | 34 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25422 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 1 | 333 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
 | 71V65703S85PFG | 15.9151 | | 9476 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 71v65703 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
 | AK6481cm | - | | 3588 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-lssop（0.173 "、幅4.40mm） | AK6481 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SSOP | ダウンロード | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 5 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | spi | - | ||||||
| EDFA232A2MA-GD-FR TR | - | | 7730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | |||||
 | 25LC080D-E/SN | 0.8000 | | 4917 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
 | 71V2556S133BG | 2.0100 | | 192 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 119-BGA | 71v2556 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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