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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS22TF64G-JCLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF64G-JCLA1 50.6532
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 ECAD 7392 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF64G-JCLA1 152 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
70V28S15PF Renesas Electronics America Inc 70V28S15PF -
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 ECAD 9452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します - 800-70V28S15PF 1
MT61M512M32KPA-14 N:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 N：c 42.1050
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 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT61M512M32KPA-14N：c 1
W25Q16CVSSJG TR Winbond Electronics w25q16cvssjg tr -
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 ECAD 3288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q16CVSSJGTR ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
S25FL127SABBHIC03 Infineon Technologies S25FL127SABBHIC03 -
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 ECAD 6680 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
IS43TR81024B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBL 20.8861
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 ECAD 2010年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81024B-125KBL 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
70V9199L9PFGI Renesas Electronics America Inc 70V9199L9PFGI -
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 ECAD 2398 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V9199 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 揮発性 1.125mbit 9 ns sram 128k x 9 平行 -
EMF8132A3PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FD -
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 ECAD 9861 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMF8132 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,680
70261L20PFG Renesas Electronics America Inc 70261L20PFG -
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 ECAD 3317 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70261L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261L20PFG 廃止 1 揮発性 256kbit 20 ns sram 16k x 16 平行 20ns
71V67603S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67603S133pfg -
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 ECAD 4148 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71v67603 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14：a -
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 ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K256 sgram -gddr6 1.31V〜1.39V 180-FBGA（12x14） ダウンロード ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
W74M25JVSFIQ TR Winbond Electronics W74M25JVSFIQ TR 3.4754
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 ECAD 8941 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W74M25 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M25JVSFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
71V321S25PF Renesas Electronics America Inc 71V321S25PF -
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 ECAD 5777 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71V321S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 16kbit 25 ns sram 2k x 8 平行 25ns
71342SA45J Renesas Electronics America Inc 71342SA45J -
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 ECAD 5957 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 71342SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 32kbit 45 ns sram 4k x 8 平行 45ns
BR24T02FVT-WGE2 Rohm Semiconductor BR24T02FVT-WGE2 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24T02 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
SFEM064GB2ED1TB-A-CE-111-STD Swissbit SFEM064GB2ED1TB-A-CE-111-STD 27.1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 swissbit EM-30 トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-BGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
CY7C1041CV33-10ZSXA Infineon Technologies Cy7C1041CV33-10ZSXA -
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 ECAD 4857 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS25WP064D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JKLE-TR 1.3012
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 ECAD 6796 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP064D-JKLE-TR 4,500 166 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
CY15B108QN-50BKXI Infineon Technologies Cy15b108qn-50bkxi 44.3400
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga Cy15B108 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 480 50 MHz 不揮発性 8mbit 9 ns フラム 1m x 8 spi -
CY7C1423AV18-267BZC Infineon Technologies Cy7C1423AV18-267BZC -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1423 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 267 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
AA940922-C ProLabs AA940922-C 113.5000
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 ECAD 8352 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-AA940922-C ear99 8473.30.5100 1
MT48LC8M16A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A：L -
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 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
M25P05-AVDW6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVDW6TP TR -
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 ECAD 7261 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M25P05-A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 15ms、5ms
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EKIGR 0.3676
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 ECAD 3820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
MT58L64L18CT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18CT-10 7.0500
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 ECAD 22 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1
7130SA12PDG Renesas Electronics America Inc 7130SA12PDG -
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 ECAD 9740 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-pdip - 800-7130SA12PDG 1 揮発性 8kbit 12 ns sram 1k x 8 平行 12ns
AS6C1608B-45TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1608B-45TIN 11.6114
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 ECAD 8327 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C1608 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS6C1608B-45TIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 16mbit 45 ns sram 2m x 8 平行 45ns
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDWB-IT：G TR 2.8500
RFQ
 ECAD 712 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T：TR -
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 ECAD 7205 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F512G08EBHAFJ4-3T：ATR 廃止 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
BR24H16F-5ACE2 Rohm Semiconductor BR24H16F-5ACE2 0.7300
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） Eeprom 1.7V〜5.5V 8ソップ ダウンロード 1 （無制限） 2,500 1 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 i²c 3.5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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