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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS42S16320F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TLI-TR 11.4600
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAAT-FR TR -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB1316 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
W25N02KVTBIR Winbond Electronics W25N02KVTBIR 4.2208
RFQ
 ECAD 1760 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25LT256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EYIGR 3.2239
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） - 1970-GD25LT256EYIGRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
CY7C1482BV33-200BZI Infineon Technologies Cy7C1482BV33-200BZI -
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1482 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 200 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 4m x 18 平行 -
MX66L51255FXDI-10G Macronix MX66L51255FXDI-10G 6.2250
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 マクロニックス - トレイ 新しいデザインではありません 表面マウント 24-tbga MX66L51255 24-cspbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480
CS18LV02565ACR70 Chiplus CS18LV02565ACR70 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chiplus - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28ソップ sram-非同期 5V 28ソップ - 3277-CS18LV02565ACR70 ear99 8542.32.0041 500 揮発性 256kbit sram 32k x 8 平行 70ns 確認されていません
S25FL032P0XNFI011 Nexperia USA Inc. S25FL032P0XNFI011 0.8700
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク 廃止 - 2156-S25FL032P0XNFI011 97
IS43TR85120B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI 8.3085
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR85120B-125KBLI 242 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
70V25L55J8 Renesas Electronics America Inc 70V25L55J8 -
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-LCC 70V25L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 200 揮発性 128kbit 55 ns sram 8k x 16 平行 55ns
MT48LC8M16A2B4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75：G TR -
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
S29GL512P10FFCR20 Infineon Technologies S29GL512P10FFCR20 -
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
71256S35TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S35TDB -
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 71256S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 35 ns sram 32k x 8 平行 35ns
STK14C88-5K35M Simtek STK14C88-5K35M -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Simtek - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 32-CDIP （0.300 "、7.62mm） STK14C88 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-CDIP - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 1 不揮発性 256kbit 35 ns nvsram 32k x 8 平行 35ns
UCS-MR-1X161RV-G-C ProLabs UCS-MR-1X161RV-GC 180.0000
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-ucs-mr-1x161rv-gc ear99 8473.30.5100 1
AM28F020-200EC AMD AM28F020-200EC 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 AMD - チューブ アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - 12V 32-tsop - ROHS非準拠 3277-AM28F020-200EC ear99 8542.32.0070 100 不揮発性 2mbit 200 ns フラッシュ 256k x 8 平行 200ns 確認されていません
CY7C1041CV33-12VXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041CV33-12VXC -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 17 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns 確認されていません
IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
71T75802S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S133PFI -
RFQ
 ECAD 3429 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71T75802 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 1m x 18 平行 -
AS4C512M16D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 641 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.275V〜1.425V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1487 ear99 8542.32.0036 180 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
7134LA35L48M Renesas Electronics America Inc 7134LA35L48M -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 48-lcc sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-lcc（ 14.22x14.22） - 800-7134LA35L48M 1 揮発性 32kbit 35 ns sram 4k x 8 平行 35ns
FM93C56VM8X Fairchild Semiconductor FM93C56VM8X -
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C56 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 10ms
70V18S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V18S12PFI8 -
RFQ
 ECAD 1523 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します - 800-70V18S12PFI8TR 1
70V25L55PF Renesas Electronics America Inc 70V25L55PF -
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V25L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 128kbit 55 ns sram 8k x 16 平行 55ns
IS43TR81280CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL 3.5686
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-107MBL ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
7132LA45FB Renesas Electronics America Inc 7132LA45FB -
RFQ
 ECAD 6769 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 影響を受けていない 800-7132LA45FB 廃止 1
CY62137CVSL-70BAXI Cypress Semiconductor Corp Cy62137CVSL-70Baxi 1.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy62137 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 234 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns 確認されていません
CY7C25632KV18-500BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C25632KV18-500BZXI 304.8100
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C25632 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 1 500 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 - 確認されていません
P07029-B21-C ProLabs P07029-B21-C 113.5000
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-P07029-B21-C ear99 8473.30.5100 1
CAT93C76WGI Catalyst Semiconductor Inc. cat93c76wgi 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C76 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8、512 x 16 マイクロワイヤ -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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