画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT28EW512ABA1LJS-0AAT | - | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||||
![]() | S29GL128P11DGI017 | - | ![]() | 8727 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | at25te001-sshn-t | 1.0600 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | at25te001 | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991 | 8542.32.0071 | 4,000 | ||||||||||||||
![]() | AT49LV001NT-90PC | - | ![]() | 4306 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT49LV001 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT49LV001NT90PC | ear99 | 8542.32.0071 | 12 | 不揮発性 | 1mbit | 90 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | Cy7C1360S-166AXC | 11.6500 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1360 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 26 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||||
![]() | MT53B1DADS-DC | - | ![]() | 8664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||||
![]() | STK11C68-SF45 | 8.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK11C68 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 58 | 不揮発性 | 64kbit | 45 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | SM662PBD BFSS | 49.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PBDBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | S29GL512T12TFN010 | - | ![]() | 2637 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-t | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 120 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | 確認されていません | ||||||||
![]() | S25FS512SDSMFV010 | 9.4325 | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FS512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 80 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | 4ZC7A08710-C | 812.5000 | ![]() | 7680 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4ZC7A08710-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1380DV33-200BZI | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1380dv33-200bzi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | AS6C1608B-45bin | 9.6673 | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C1608 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS6C1608B-45bin | ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | MT46H16M32LFCG-6 IT:b | - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 152-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 152-VFBGA(14x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | M24C08-FMH6TG | 0.2300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 5-ufdfn | M24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 5-UFDFPN (1.7x1.4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | NSEC53K008-AT | 18.8618 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand (mlc) | 3.3V | 153-FBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NSEC53K008-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5 | - | |||||||
![]() | W632GU8NB12I | 5.3270 | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C14702xc | 127.9900 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | - | - | - | Cy7C14702 | SRAM -ZBT | 2.375V〜2.625V | - | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||||
![]() | Cy7C2565xv18-633bzxc | 493.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2565 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 1 | 633 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
93lc86at-e/st | - | ![]() | 5707 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | |||||
![]() | CY14MB064Q2B-SXI | - | ![]() | 6556 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy14MB064 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 194 | 40 MHz | 不揮発性 | 64kbit | nvsram | 8k x 8 | spi | - | ||||
S25FS128SAGBHI200 | - | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FS-S | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FS128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | ||||
![]() | M24C04-WMN6P | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24C04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CG7837AAT | - | ![]() | 4475 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL512SAGMFIG10 | 9.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | DS24B33+T &R | 3.2100 | ![]() | 4384 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | to-226-3 | DS24B33 | Eeprom | 2.8V〜5.25V | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 不揮発性 | 4kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1-Wire® | - | ||||
![]() | IS61VPS102436B-166B3li | 87.0000 | ![]() | 4199 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS102436 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S29AL016J70TFI010A | - | ![]() | 4200 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 2832-S29AL016J70TFI010A | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CG6078AAT | - | ![]() | 9004 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 200 | ||||||||||||||||||||
![]() | DS2502G+T&R | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 2-SFN | DS2502 | eprom -otp | 2.8V〜6V | 2-SFN (6x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 2,500 | 不揮発性 | 1kbit | eprom | 128 x 8 | 1-Wire® | - |
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