画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71016S12YI | - | ![]() | 9302 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IDT71016 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71016S12yi | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | |||
CAT34C02VP2GI-T3 | - | ![]() | 4651 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | CAT34C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | AM27S37/BUA | 103.5200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-CLCC | AM27S37 | プロム | 4.5v〜5.5V | 32-CLCC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | 45 ns | プロム | 1k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | CY7C1414TV18-200BZXC | 64.0600 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1414 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | 適用できない | 3A991B2A | 5 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
![]() | S25FL128LAGMFA010 | - | ![]() | 4028 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128LAGMFA010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FM24CL64B-GTR | 3.4300 | ![]() | 9253 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24CL64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.65V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | |||
![]() | S99PL032J0030 | - | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1354S-200bgc | 11.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1354 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S30MS01GP25TFW500 | - | ![]() | 9568 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 96 | ||||||||||||||||||
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | cy15e004q-sxe | 2.1200 | ![]() | 236 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy15E004 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2832-CY15E004Q-SXE | 236 | 16 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | 確認されていません | |||||
![]() | IS46R86400D-6TLA1-TR | 8.6250 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS46R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CG8771AF | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
7164L25dB | - | ![]() | 5911 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm) | 7164L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | |||||
BR25010-10TU-2.7 | 0.5702 | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR25010 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR2501010TU2.7 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | EDW2032BBBG-6A-FR TR | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 170-TFBGA | EDW2032 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.65V | 170-FBGA(12x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.5 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ラム | 64m x 32 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy62137FV30LL-45BVXIT | 3.4400 | ![]() | 5668 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62137 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | S29GL064S70DHI040 | 3.7975 | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,600 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | CAT93C66YI-TE13 | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT93C66 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-tssop | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT93C66YI-TE13-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 500 ns | Eeprom | 256 x 16、512 x 8 | マイクロワイヤ | - | |||
![]() | AT25SF321B-SSHB-B | 0.4581 | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25SF321 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1265-AT25SF321B-SSHB-B | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | Cy7C1514V18-200BZXC | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1514 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 102 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | S29PL032J70BAI120 | 9.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | pl-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29PL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 56 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||||
![]() | 70v9159l6pf | - | ![]() | 3605 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9159 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 72kbit | 6.5 ns | sram | 8k x 9 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C14251Kv18-250bzi | 49.4300 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C14251 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 9 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | A4501461-C | 30.0000 | ![]() | 9097 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A4501461-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S28HS512TGABHV010 | 13.8600 | ![]() | 7914 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 1,690 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 5.45 ns | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 1.7ms | |||||||||
hn58x25256fpiag#S0 | 4.1768 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | hn58x25256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 5 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | Cy14b101l-sp45xit | - | ![]() | 6055 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT40A256M16GE-083EAAT:b | - | ![]() | 1175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S34MS04G204TFB013 | - | ![]() | 6640 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | aec-q100、ms-2 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S34MS04 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | 45 ns | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | 45ns |
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