画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GS81302QT37GE-300I | 220.9200 | ![]() | 1841年年 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS81302QT37 | sram- クアッドポート、同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga(15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81302QT37GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 4m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1370S-167AXI | 28.9500 | ![]() | 211 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 適用できない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | w631gg8nb15j tr | - | ![]() | 8939 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB15JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | M25P10-AVMN3TP/X TR | - | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ(CT) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | CN547-80027 | - | ![]() | 1516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S90FHI023 | 4.7250 | ![]() | 1548 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | AM27S281/BLA | 29.9900 | ![]() | 773 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.300 "、7.62mm) | AM27S281 | - | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | 80 ns | プロム | 1k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MX29GL256FUXFI-11G | 7.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga、CSPBGA | MX29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | 93LC46B-I/WF15K | - | ![]() | 9906 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 93LC46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | ||||
![]() | MX29LV040CQC-70G | - | ![]() | 2915 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | チューブ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | MX29LV040 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC(11.43x14.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 30 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 93LC46AXT-I/SN | 0.3150 | ![]() | 7530 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93LC46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93LC46AXT-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | マイクロワイヤ | 6ms | |||
![]() | Cy7C1370KV25-167BZI | 46.3925 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1370 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IDT70824L35PF | - | ![]() | 9693 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | IDT70824 | サラム | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 70824L35PF | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 64kbit | 35 ns | ラム | 4k x 16 | 平行 | 35ns | |||
![]() | 71321SA35J8 | - | ![]() | 6226 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR | 25.0400 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E768M32D4DE-046WT:ETR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||||
![]() | M3004316045NX0PBCR | 10.5203 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 484-BGA | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 484-CABGA (23x23 | - | ROHS3準拠 | 800-M3004316045NX0PBCRTR | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | ラム | 256k x 16 | 平行 | 45ns | ||||||||
![]() | AT25256B-MAHL-T | 1.2600 | ![]() | 9537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
M95256-DRMF3TG/K | 1.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | M95256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-mlp (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 4ms | |||||
93LC56BT-I/OT | 0.3200 | ![]() | 234 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 93LC56 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | |||||
![]() | 5962-9166205mya | - | ![]() | 9481 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 表面マウント | 84フラットパック | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-FPACK | - | 800-5962-9166205mya | 1 | 揮発性 | 64kbit | 45 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 45ns | |||||||||
![]() | SST38VF6401-90-5C-EKE | 8.1000 | ![]() | 5406 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | SST38VF6401 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | ||||
602-10001 | - | ![]() | 2118 | 0.00000000 | Parallax Inc. | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | - | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | - | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 550 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||||||
34VL02T/OT | 0.4400 | ![]() | 1148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -20°C〜85°C(Ta) | 表面マウント | SOT-23-6 | 34VL02 | Eeprom | 1.5V〜3.6V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 34AA04T-I/SN | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 34AA04 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 350 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | 24AA014T-I/SN | 0.3600 | ![]() | 2563 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24AA014 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
70V3579S6BF8 | 125.0496 | ![]() | 1708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70V3579 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1.125mbit | 6 ns | sram | 32K x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | MR25H128APDF | 7.0792 | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | MR25H128 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | |||||||||||||||||
M27C512-10F1 | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | M27C512 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ウィンドウ付きの28CDIPフリットシール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 13 | 不揮発性 | 512kbit | 100 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | AT25SF041-SHD-T | - | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 5µs 、2.5ms | ||||
![]() | AT28LV010-20JU-630 | 61.3600 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT28LV010 | Eeprom | 3V〜3.6V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 750 | 不揮発性 | 1mbit | 200 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms |
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