画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46R16320D-6TLA2-TR | 10.3500 | ![]() | 5279 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C12481KV18-400BZXC | - | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C12481 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
25LC080DT-I/ST | 0.7500 | ![]() | 1756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | mtfc128gaoanea-wt es | - | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | 箱 | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||||||
MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 | 5.4363 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | ||||
![]() | MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR | - | ![]() | 2093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:b | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | 70825S25PFGI8 | - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lqfp | sram | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | - | 800-70825S25PFGI8TR | 1 | 33.3 MHz | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 25ns | |||||||
![]() | SST39WF400A-90-4C-B3KE-T | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39WF400 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 256k x 16 | 平行 | 40µs | |||
![]() | 70V38L20PFI | - | ![]() | 7540 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V38L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 1.125mbit | 20 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | 20ns | |||
![]() | 7008L25PF | - | ![]() | 4597 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7008L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 25 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | AT49SV163DT-80CU | - | ![]() | 6396 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-VFBGA 、CSPBGA | AT49SV163 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 48-cbga (7x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 276 | 不揮発性 | 16mbit | 80 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | Cy7C1512TV18-250BZXC | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1041BNV33L-15VXCT | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | RC28F256P33TFE | - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -RC28F256P33TFE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns | |
![]() | S29AL016J70TFM010 | 3.1421 | ![]() | 5688 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29AL016 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 192 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
M24C04-DRDW3TP/K | 0.3800 | ![]() | 3080 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M24C04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 4ms | |||
![]() | E11043000 | - | ![]() | 6240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | 7132SA25J8/c | - | ![]() | 7693 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7132SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | PC28F640P30T85B TR | - | ![]() | 9432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | mtfc64gjvdn-3m wt tr | - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | Cy7C1515AV18-200BZC | - | ![]() | 8872 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1515 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C136-55Nxi | - | ![]() | 6918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-BQFP | Cy7C136 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-PQFP (10x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | MT29F256G08EBHAFJ4-3R:a | - | ![]() | 3973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 24LC014HT-E/MNY | 0.5100 | ![]() | 7074 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24LC014H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | IDT71V3557SA85BGI | - | ![]() | 8786 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | IDT71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3557SA85BGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 4.5mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
R1LV0816ABG-7SI#B0 | - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | R1LV0816A | sram | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA (7.5x8.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | CT8G4RFS824A.9FB1-C | 87.5000 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-CT8G4RFS824A.9FB1-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy62167DV30LL-55BVXIT | 12.2325 | ![]() | 5226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62167 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | MX25L25655FXCI-10G | 3.8760 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-TBGA 、CSPBGA | MX25L25655 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 30µs、3ms |
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