画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 0W665-006-XDW | - | ![]() | 6231 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 488-0W665-006-XDWTR | 廃止 | 5,000 | |||||||||||||||||||
![]() | EM6HE08EW9G-10H | 7.1250 | ![]() | 6136 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | EM6HE08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w971gg6nb25i | 4.0500 | ![]() | 8456 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG6NB25I | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||
![]() | EM08APGCJ-AC000-2 | - | ![]() | 6847 | 0.00000000 | Delkin Devices、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | em08apg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 3247-EM08APGCJ-AC000-2 | 廃止 | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | Cy7C1019D-10VXI | 3.1472 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1019 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-CY7C1019D-10VXI | 200 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||
S26KS512SDGBHV030 | 12.4200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Hyperflash™ks | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
![]() | AS4C4M32S-6BCN | 5.3800 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | AS4C4M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C4M32S-6BCN | ear99 | 8542.32.0002 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | lvttl | - | ||
![]() | 7025L25GB/2725 | - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-7025L25GB/2725 | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | P7700180F2C000 | - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | cat25512yi-g | - | ![]() | 4988 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | - | 488-CAT25512YI-G | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gazaqhd-wt tr | 14.3400 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
![]() | MT29F8T08EULCHD5-T:C Tr | 167.8050 | ![]() | 6803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-T:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | mtfc128gaxauea-wt tr | 14.0250 | ![]() | 5269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
MT53E1G16D1FW-046AAT:A TR | 15.9600 | ![]() | 3441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | |||||||||
![]() | MT29F2T08GELCEJ4-QJ:c | 39.0600 | ![]() | 5527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | mt29f4t08euleem4-qa:e tr | 105.9600 | ![]() | 8564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QA:ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
MT53E1G16D1FW-046 AIT:a | 14.5050 | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT:a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | |||||||||
![]() | mtfc32gasaons-it tr | 20.8050 | ![]() | 2712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-ITTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
![]() | MT29F2G01ABAGD12-AUT:g | 3.2005 | ![]() | 6152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT:g | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16512B-107MBLA1 | 23.0282 | ![]() | 2296 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16512B-107MBLA1 | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
SM671PXC-BFST | 28.3000 | ![]() | 5612 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXC-BFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||||
![]() | IS46LD32640C-18BLA2 | - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640C-18BLA2 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
![]() | NDS36PT5-16AT | 3.2532 | ![]() | 4766 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS36PT5-16AT | 108 | ||||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S10DHA020 | 6.2580 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | 04EM08-M4EM627-06D00 | - | ![]() | 5431 | 0.00000000 | キングストン | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | フラッシュnand、dram -lpddr4x | 1.8V〜3.3V | ダウンロード | 3217-04EM08-M4EM627-06D00 | 1 | 不揮発性 | EMMC_5.1 | 確認されていません | |||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGMFM003 | 7.0285 | ![]() | 2925 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 750µs | |||||||
![]() | S70GL02GT11FAI030 | 19.5643 | ![]() | 4642 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 180 | 不揮発性 | 2Gbit | 110 ns | フラッシュ | 256m x 8 | CFI | - | ||||||||
![]() | S29GL512N11FFA020 | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-n | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-S29GL512N11FFA020-428 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16、64m x 8 | CFI | 110ns | |||||||
S25FL256SDSBHV210 | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2166-S25FL256SDSBHV210-428 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | ||||||
![]() | SFEM008GB2ED1TO-I-5E-111-STD | 12.5600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - |
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