SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
0W665-006-XDW onsemi 0W665-006-XDW -
RFQ
ECAD 6231 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 - ROHS3準拠 影響を受けていない 488-0W665-006-XDWTR 廃止 5,000
EM6HE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6HE08EW9G-10H 7.1250
RFQ
ECAD 6136 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA EM6HE08 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W971GG6NB25I Winbond Electronics w971gg6nb25i 4.0500
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W971GG6NB25I ear99 8542.32.0032 209 800 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
EM08APGCJ-AC000-2 Delkin Devices, Inc. EM08APGCJ-AC000-2 -
RFQ
ECAD 6847 0.00000000 Delkin Devices、Inc。 - トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA em08apg フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-FBGA (11.5x13 - ROHS準拠 3 (168 時間) 3247-EM08APGCJ-AC000-2 廃止 1,520 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
CY7C1019D-10VXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1019D-10VXI 3.1472
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) Cy7C1019 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 2832-CY7C1019D-10VXI 200 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns 確認されていません
S26KS512SDGBHV030 Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDGBHV030 12.4200
RFQ
ECAD 257 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Hyperflash™ks トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-VBGA S26KS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga (6x8) ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 1 133 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 - 確認されていません
AS4C4M32S-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6BCN 5.3800
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C4M32S-6BCN ear99 8542.32.0002 190 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 lvttl -
7025L25GB/2725 Renesas Electronics America Inc 7025L25GB/2725 -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 影響を受けていない 800-7025L25GB/2725 廃止 1
P7700180F2C000 Infineon Technologies P7700180F2C000 -
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
CAT25512YI-G onsemi cat25512yi-g -
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 - 488-CAT25512YI-G 廃止 1
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-wt tr 14.3400
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 - 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR 2,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F8T08EULCHD5-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-T:C Tr 167.8050
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-T:CTR 2,000
MTFC128GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaxauea-wt tr 14.0250
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR 2,000
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046AAT:A TR 15.9600
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AAT:ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
MT29F2T08GELCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QJ:c 39.0600
RFQ
ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ:c 1
MT29F4T08EULEEM4-QA:E TR Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-qa:e tr 105.9600
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F4T08EULEEM4-QA:ETR 2,000
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AIT:a 14.5050
RFQ
ECAD 6586 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AIT:a 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
MTFC32GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-it tr 20.8050
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - 557-MTFC32GASAONS-ITTR 2,000 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 UFS2.1 -
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT:g 3.2005
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT:g 1
IS46TR16512B-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512B-107MBLA1 23.0282
RFQ
ECAD 2296 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46TR16512B-107MBLA1 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
SM671PXC-BFST Silicon Motion, Inc. SM671PXC-BFST 28.3000
RFQ
ECAD 5612 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-Nand (TLC) - 153-BGA (11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PXC-BFST 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.1 -
IS46LD32640C-18BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46LD32640C-18BLA2 1 533 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
NDS36PT5-16AT Insignis Technology Corporation NDS36PT5-16AT 3.2532
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 Insignis Technology Corporation * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1982-NDS36PT5-16AT 108
S29GL256S10DHA020 Infineon Technologies S29GL256S10DHA020 6.2580
RFQ
ECAD 2927 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 64-FBGA (9x9) - ROHS3準拠 影響を受けていない 260 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8 CFI 60ns
04EM08-M4EM627-06D00 Kingston 04EM08-M4EM627-06D00 -
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント フラッシュnand、dram -lpddr4x 1.8V〜3.3V ダウンロード 3217-04EM08-M4EM627-06D00 1 不揮発性 EMMC_5.1 確認されていません
S25FL256SAGMFM003 Infineon Technologies S25FL256SAGMFM003 7.0285
RFQ
ECAD 2925 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 16-SOIC - ROHS3準拠 影響を受けていない 1,450 133 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 750µs
S70GL02GT11FAI030 Infineon Technologies S70GL02GT11FAI030 19.5643
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) - ROHS3準拠 影響を受けていない 180 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8 CFI -
S29GL512N11FFA020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512N11FFA020 -
RFQ
ECAD 5455 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-S29GL512N11FFA020-428 1 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16、64m x 8 CFI 110ns
S25FL256SDSBHV210 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SDSBHV210 -
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-s バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2166-S25FL256SDSBHV210-428 1 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o - 確認されていません
SFEM008GB2ED1TO-I-5E-111-STD Swissbit SFEM008GB2ED1TO-I-5E-111-STD 12.5600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 swissbit EM-30 トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 153-BGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫