画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
7132LA100PDG | - | ![]() | 7673 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7132la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-3389 | ear99 | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 16kbit | 100 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | PC28F256P30BFF | 6.9000 | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Alliance Memory | Strataflash™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | フラッシュ-MLCもありません) | 1.7V〜2V | 64-easybga (10x13) | - | 3 (168 時間) | 1450-PC28F256P30BFFTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | CFI | - | |||||||
![]() | S29GL128S10TFIV10 | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29GL128S10TFIV10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1312Bv18-250bzc | 35.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | S29GL128S13FAEV10 | 74.0600 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-S29GL128S13FAEV10 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 900 | 不揮発性 | 128mbit | 130 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV51216 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 20 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 20ns | |||||
CAT93C86SE-26685T | - | ![]() | 8457 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C86 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 100 ns | Eeprom | 1k x 16、2K x 8 | マイクロワイヤ | - | |||||||
![]() | BQ4011YMA-70N | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip モジュール(0.61 "、15.49mm) | BQ4011 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-dipモジュール( 18.42x37.72) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | w63ah2nbvade tr | 4.1409 | ![]() | 3602 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVADETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | M29W800FB70N3E | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | AT27BV512-70TU | - | ![]() | 6318 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT27BV512 | eprom -otp | 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 234 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | X4VGV-C | 102.5000 | ![]() | 7416 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-X4VGV-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
MT53E1G32D2FW-046 IT:a | 27.1500 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT:a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | |||||
![]() | MR4A16BUYS45 | 46.6050 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MR4A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 54-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR4A16BUYS45 | ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 不揮発性 | 16mbit | 45 ns | ラム | 1m x 16 | 平行 | 45ns | |||
![]() | w66cp2nquagj tr | 6.6300 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66CP2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66cp2nquagjtr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | ||
![]() | w25q16fwsnsq | - | ![]() | 1699 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWSNSQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | ||||
S25FL512SDSBHV210 | 10.3400 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | |||||||||
![]() | IS21TF08G-JQLI-TR | - | ![]() | 5695 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21TF08G | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | |||
MR1A16AMA35 | 15.3663 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga | MR1A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (8x8) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR1A 16AMA35 | ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 不揮発性 | 2mbit | 35 ns | ラム | 128k x 16 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | Cy14B104L-ZS25XI | - | ![]() | 2813 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 25 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | M3008316045NX0PBCR | 28.5418 | ![]() | 5927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 484-BGA | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 484-CABGA (23x23 | - | ROHS3準拠 | 800-M3008316045NX0PBCRTR | 1 | 不揮発性 | 8mbit | 45 ns | ラム | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||||||
![]() | Cy7C1460AV25-167BZXI | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1460 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F8G08FACWP:C Tr | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | IS43LD32128C-25BPLI-TR | - | ![]() | 1550 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 51-32598Z01-A | - | ![]() | 1126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | sicで中止されました | 51-32598 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
IS43LR16320C-6BL-TR | 5.9250 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS43TR16256AL-15HBLI | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | W9864G6JB-6I | 3.0164 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | W9864G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9864G6JB-6I | ear99 | 8542.32.0024 | 286 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 16 | lvttl | - |
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