SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS22TF128G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1-TR 74.4800
RFQ
ECAD 6033 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS22TF128G-JQLA1-TR 1,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
7132LA100PDG Renesas Electronics America Inc 7132LA100PDG -
RFQ
ECAD 7673 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 48-dip(0.600 "、15.24mm) 7132la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 800-3389 ear99 8542.32.0041 7 揮発性 16kbit 100 ns sram 2k x 8 平行 100ns
PC28F256P30BFF Alliance Memory, Inc. PC28F256P30BFF 6.9000
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory Strataflash™ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA フラッシュ-MLCもありません) 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) - 3 (168 時間) 1450-PC28F256P30BFFTR 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 CFI -
S29GL128S10TFIV10 Nexperia USA Inc. S29GL128S10TFIV10 -
RFQ
ECAD 2887 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S29GL128S10TFIV10 1
CY7C1312BV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1312Bv18-250bzc 35.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C1312 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 9 250 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 - 確認されていません
S29GL128S13FAEV10 Infineon Technologies S29GL128S13FAEV10 74.0600
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 2832-S29GL128S13FAEV10 3A991B1A 8542.32.0071 900 不揮発性 128mbit 130 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
IS61WV51216EDALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20TLI 12.2476
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61WV51216 sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 20 ns sram 512K x 16 平行 20ns
CAT93C86SE-26685T Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C86SE-26685T -
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ECAD 8457 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) CAT93C86 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 3 MHz 不揮発性 16kbit 100 ns Eeprom 1k x 16、2K x 8 マイクロワイヤ -
BQ4011YMA-70N Texas Instruments BQ4011YMA-70N -
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ECAD 7438 0.00000000 テキサスの楽器 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 28-dip モジュール(0.61 "、15.49mm) BQ4011 nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 28-dipモジュール( 18.42x37.72) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 14 不揮発性 256kbit 70 ns nvsram 32k x 8 平行 70ns
W63AH2NBVADE TR Winbond Electronics w63ah2nbvade tr 4.1409
RFQ
ECAD 3602 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVADETR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
M29W800FB70N3E Micron Technology Inc. M29W800FB70N3E -
RFQ
ECAD 4272 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
AT27BV512-70TU Microchip Technology AT27BV512-70TU -
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) AT27BV512 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 28-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1B2 8542.32.0061 234 不揮発性 512kbit 70 ns eprom 64k x 8 平行 -
X4VGV-C ProLabs X4VGV-C 102.5000
RFQ
ECAD 7416 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-X4VGV-C ear99 8473.30.5100 1
MT53E1G32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT:a 27.1500
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT:a 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 18ns
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FD -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,190 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MR4A16 ミスター(磁気抵抗ラム) 3V〜3.6V 54-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 819-MR4A16BUYS45 ear99 8542.32.0071 108 不揮発性 16mbit 45 ns ラム 1m x 16 平行 45ns
W66CP2NQUAGJ TR Winbond Electronics w66cp2nquagj tr 6.6300
RFQ
ECAD 7321 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CP2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66cp2nquagjtr ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q16FWSNSQ Winbond Electronics w25q16fwsnsq -
RFQ
ECAD 1699 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16FWSNSQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
S25FL512SDSBHV210 Cypress Semiconductor Corp S25FL512SDSBHV210 10.3400
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-s バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード 1 80 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o - 確認されていません
IS21TF08G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JQLI-TR -
RFQ
ECAD 5695 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga IS21TF08G フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS21TF08G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35 15.3663
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-lfbga MR1A16 ミスター(磁気抵抗ラム) 3V〜3.6V 48-fbga (8x8) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 819-MR1A​​ 16AMA35 ear99 8542.32.0071 348 不揮発性 2mbit 35 ns ラム 128k x 16 平行 35ns
CY14B104L-ZS25XI Infineon Technologies Cy14B104L-ZS25XI -
RFQ
ECAD 2813 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) Cy14B104 nvsram (不揮発性 sram) 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 不揮発性 4mbit 25 ns nvsram 512k x 8 平行 25ns
M3008316045NX0PBCR Renesas Electronics America Inc M3008316045NX0PBCR 28.5418
RFQ
ECAD 5927 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 484-BGA ミスター(磁気抵抗ラム) 2.7V〜3.6V 484-CABGA (23x23 - ROHS3準拠 800-M3008316045NX0PBCRTR 1 不揮発性 8mbit 45 ns ラム 512K x 16 平行 45ns
CY7C1460AV25-167BZXI Infineon Technologies Cy7C1460AV25-167BZXI -
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1460 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA (15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz 揮発性 36mbit 3.4 ns sram 1m x 36 平行 -
MT29F8G08FACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08FACWP:C Tr -
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
IS43LD32128C-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI-TR -
RFQ
ECAD 1550 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR ear99 8542.32.0036 1
51-32598Z01-A Infineon Technologies 51-32598Z01-A -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ sicで中止されました 51-32598 - ROHS3準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1
IS43LR16320C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL-TR 5.9250
RFQ
ECAD 3402 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
W9864G6JB-6I Winbond Electronics W9864G6JB-6I 3.0164
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA W9864G6 SDRAM 3V〜3.6V 60-VFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W9864G6JB-6I ear99 8542.32.0024 286 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 lvttl -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫