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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CAT93C66WGI-1.8 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C66WGI-1.8 0.1000
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C66 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ -
CY7C1618KV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1618KV18-300BZXC -
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1618 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 2 300 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 - 確認されていません
7164S55TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55TDB -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 7164S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 64kbit 55 ns sram 8k x 8 平行 55ns
CY7C1413KV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1413KV18-300BZC -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1413 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 7 300 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 - 確認されていません
71V3577S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85BGI 10.8200
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 128k x 36 平行 -
CY7C0851AV-133BBC Cypress Semiconductor Corp Cy7C0851AV-133BBC 161.3200
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 172-lbga Cy7C0851 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 172-FBGA （15x15 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit sram 64k x 36 平行 -
SST26VF032-80-5I-VA Microchip Technology SST26VF032-80-5I-VA -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST26SQI® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ SST26VF032 フラッシュ 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 150-SST26VF032-80-5I-VA 廃止 90 80 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 1.5ms
S99-50477 Infineon Technologies S99-50477 -
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 ECAD 1532 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1
CY44C036PW-GE1 Infineon Technologies Cy44C036PW-GE1 -
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 3,000
CY7C1513KV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1513KV18-300BZC 148.6800
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1513 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 3 300 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 - 確認されていません
CY7C1643KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1643KV18-400BZXC 319.9600
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1643 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 1 400 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 - 確認されていません
71V016SA12BFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFI 4.4700
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga 71V016 sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga ダウンロード 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
S29GL256N90TAA023 Infineon Technologies S29GL256N90TAA023 -
RFQ
 ECAD 9349 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 90ns
S29GL064S90FHI020 Infineon Technologies S29GL064S90FHI020 -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
S29GL128N11TFVR23 Infineon Technologies S29GL128N11TFVR23 -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 3V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 110ns
S29GL064S90TFA040 Infineon Technologies S29GL064S90TFA040 -
RFQ
 ECAD 5274 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
S29GL256S11FAI010 Infineon Technologies S29GL256S11FAI010 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
S29GL256N10FAA020 Infineon Technologies S29GL256N10FAA020 -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
S29GL128S90FFA023 Infineon Technologies S29GL128S90FFA023 -
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
S29GL128N90FFAR20 Infineon Technologies S29GL128N90FFAR20 -
RFQ
 ECAD 3310 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
S29GL064S90TFA070 Infineon Technologies S29GL064S90TFA070 -
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
71V35761S183PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S183PFGI 9.3200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71V35761S sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 183 MHz 揮発性 4.5mbit 3.3 ns sram 128k x 36 平行 -
CY7C1268KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1268KV18-550BZXC 82.6300
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1268 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 1 550 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 - 確認されていません
CY7C1150KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1150KV18-400BZXI 37.1400
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1150 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 9 400 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 - 確認されていません
CY62137FV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62137FV30LL-45BVXI 2.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62137 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 300 揮発性 2mbit 45 ns sram 128k x 16 平行 45ns 確認されていません
JS28F128J3F75A Alliance Memory, Inc. JS28F128J3F75A -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-JS28F128J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
EMMC16G-IB29-90F01 Kingston EMMC16G-IB29-90F01 11.3300
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 キングストン i-temp e•mmc™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-LFBGA EMMC16G フラッシュ-Nand （TLC） 1.8V〜3.3V 153-lfbga（11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3217-EMMC16G-IB29-90F01 ear99 8542.31.0001 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
CAT25020YGI Catalyst Semiconductor Inc. cat25020ygi 0.1400
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT25020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
CY14B101J2-SXI Cypress Semiconductor Corp Cy14b101j2-sxi 7.9600
RFQ
 ECAD 373 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード 38 3.4 MHz 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 i²c - 確認されていません
CY15B104Q-SXI Cypress Semiconductor Corp cy15b104q-sxi 21.0300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） Cy15B104 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 40 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi - 確認されていません
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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