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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NSEC53K008-AT Insignis Technology Corporation NSEC53K008-AT 18.8618
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Insignis Technology Corporation NSEC トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand （mlc） 3.3V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NSEC53K008-AT 152 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC_5 -
93AA76A-I/SN Microchip Technology 93AA76A-I/SN 0.5100
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93AA76 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 マイクロワイヤ 5ms
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 52.9800
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 1
S29WS128PABBFW000 Infineon Technologies S29WS128PABBFW000 -
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Infineon Technologies WS-P トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-VFBGA S29WS128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 84-FBGA （11.6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 200 104 MHz 不揮発性 128mbit 80 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
71V3577S85BQ Renesas Electronics America Inc 71V3577S85BQ 8.5003
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 87 MHz 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 128k x 36 平行 -
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. mt40a1g8we-083e aut：b -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
CAT93C56VGI-1.8 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C56VGI-1.8 -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C56 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ -
24LC01BT-E/MS Microchip Technology 24LC01BT-E/MS 0.4050
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 24LC01B Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 1kbit 3.5 µs Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
S25HL512TDPBHM010 Infineon Technologies S25HL512TDPBHM010 15.1500
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 Infineon Technologies HL-T トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25HL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
PC28F640P30BF65B Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65B 8.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory axcell™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-PC28F640P30BF65BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 平行 65ns
FM25V10-GTR Infineon Technologies FM25V10-GTR 14.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM25V10 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 40 MHz 不揮発性 1mbit フラム 128k x 8 spi -
NM93C46EMT8 Fairchild Semiconductor NM93C46EMT8 0.3500
RFQ
 ECAD 1913年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C46 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 10ms
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36W0R6050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
S25FL256SDPMFIG01 Infineon Technologies S25FL256SDPMFIG01 4.5850
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 705 66 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CY15B102N-ZS60XET Infineon Technologies CY15B102N-ZS60XET 21.0406
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Infineon Technologies Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1,000 不揮発性 2mbit 90 ns フラム 128k x 16 平行 90ns
CY7C188-25VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C188-25VC 2.7400
RFQ
 ECAD 922 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C188 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 288kbit 25 ns sram 32K x 9 平行 25ns
CY62147DV30LL-70BVXI Cypress Semiconductor Corp cy62147dv30ll-70bvxi 2.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62147 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 70 ns sram 256k x 16 平行 70ns
IDT71V124SA20TY8 Renesas Electronics America Inc IDT71V124SA20TY8 -
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IDT71V124 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V124SA20TY8 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
S25FL128SAGMFIG11 Nexperia USA Inc. S25FL128SAGMFIG11 -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL128SAGMFIG11 1
DS28E01PMOD+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E01PMOD+ 4.6800
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バッグ 廃止 DS28E01 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 175-DS28E01PMOD+ ear99 8473.30.1180 200
IS43TR16128CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBLI-TR 5.7449
RFQ
 ECAD 1777 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
S70GL02GT11FHB023 Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023 36.1375
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
71V3558S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133PF 2.0100
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71V3558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 256k x 18 平行 -
70V3389S5BC8 Renesas Electronics America Inc 70V3389S5BC8 131.2286
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga 70V3389 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 256-CABGA （17x17） ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 1.125mbit 5 ns sram 64k x 18 平行 -
71321SA20J Renesas Electronics America Inc 71321SA20J -
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 71321SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
AS7C34098A-15TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TINTR 4.5617
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
CY14B108L-BA45XIT Infineon Technologies cy14b108l-ba45xit 51.5025
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy14B108 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 不揮発性 8mbit 45 ns nvsram 1m x 8 平行 45ns
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド ミスター（磁気抵抗ラム） 1.65V〜2V 8-dfn （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 819-EM064LXQADG13IS1T ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 不揮発性 64mbit ラム 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3：D TR -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies S29GL512S11TFIV20 10.8400
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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