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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A5039656-C | 30.0000 |  | 9336 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A5039656-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT62F768M64D4BG-036 WT：TR | - | | 7326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-036WT：ATR | 廃止 | 2,000 | 2.75 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | ||||||||
| A9781929-C | 130.0000 | | 5589 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A9781929-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C15632KV18-500BZC | 263.2600 | | 113 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C15632 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
| S25HS512TDPNHI010 | 9.3800 | | 3843 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
 | CAT25010VP2I-GT3 | - | | 7934 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | CAT25010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | ||||||
 | MT40A256M16GE-075E：B TR | - | | 5692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT40A256M16GE-075E：Btr | 廃止 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
 | IDT71V67602S150PF8 | - | | 6380 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v67602 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V67602S150PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | BR24G128NUX-5TR | 0.6700 | | 27 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | BR24G128 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | VSON008X2030 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||||
 | P00926-K21-C | 835.0000 | | 2545 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-P00926-K21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W25N01GVTBIR | - | | 2281 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
 | rmlv0808bgsb-4s2＃AA0 | 6.2000 | | 2504 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | RMLV0808 | sram | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -1161-RMLV0808BGSB-4S2＃AA0 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT：A TR | 22.0050 | | 7894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||||
 | W25Q32JVXGAQ | - | | 7178 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson （4x4） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVXGAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
 | AS4C256M16D3C-93BCN | 8.8996 | | 7927 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16D3C-93BCN | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 15ns | |||
 | C-2666D4DR4RN/16G | 113.5000 | | 6225 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2666D4DR4RN/16G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| IS61WV25616Fall-10Tli | 3.2472 | | 8981 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV25616FALL-10TLI | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||
| NDS76PT5-16ET | 2.0259 | | 4360 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS76PT5-16ET | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 8m x 16 | lvttl | - | |||||||||
 | MT58L256L18F1T-10 | 5.9800 | | 37 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||||
 | 70914S25PFGI8 | - | | 9257 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 80-lqfp | 70914S | sram- デュアルポート、標準 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP（14x14 | - | 800-70914S25PFGI8TR | 廃止 | 250 | 揮発性 | 36kbit | 25 ns | sram | 4k x 9 | 平行 | 25ns | |||||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES：c | 22.8450 | | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：c | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | |||||||||
 | FM24C32ULEM8 | - | | 6668 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | FM24C32 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 3.5 µs | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 15ms | |||
 | IS61VPS102436B-250B3L | 94.1664 | | 1583 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS102436 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 2.8 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
| 647907-S21-C | 35.0000 | | 4110 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647907-S21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 | - | | 2353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | - | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | |||||||||||
| 70V09S20PFI8 | - | | 5457 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | - | 800-70V09S20PFI8TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 485033-004-C | 17.5000 | | 3481 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-485033-004-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 7130la35pdg | - | | 6413 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 48-dip（0.600 "、15.24mm） | 7130la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
 | Cy7C1618KV18-333BZXC | 358.8200 | | 7936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1618 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 525 | 333 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | ||||
 | INT1600SB16L-C | 230.0000 | | 8844 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-INT1600SB16L-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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