画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX25V1635FZBI | 0.5327 | ![]() | 3124 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-USON (4x3) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V1635FZBITR | 5,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 4、8m x 2、16m x 1 | spi -quad i/o | 100μs3.6ms | |||||||
![]() | R1LV5256ESP-7SR #S0 | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | R1LV5256 | sram | 2.7V〜3.6V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | GD25Q64CBIGY | - | ![]() | 6626 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
S25FL256SAGBHIY03 | 9.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S25FL256SAGBHIY03TR | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 52 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | |||
![]() | MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR | - | ![]() | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | Cy7C264-25wc | 26.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C264 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 25 ns | eprom | 8k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | w25q128jvtiq | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR | 22.0500 | ![]() | 8444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:ETR | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | SESY2C1Z-C | 37.5000 | ![]() | 3835 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SESY2C1Z-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 | - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SST49LF160C-33-4C-NHE | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST49 | チューブ | 廃止 | 0°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | SST49LF160 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SST49LF160C334CNHE | ear99 | 8542.32.0071 | 30 | 33 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 120 ns | フラッシュ | 2m x 8 | 平行 | 20µs | ||
![]() | W25Q32JVSSSSSM | - | ![]() | 7725 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSSSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | 確認されていません | ||||
![]() | CAT24C04HU4I-GT3 | 0.5400 | ![]() | 687 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn-ep(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CG6852AMT | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1,000 | ||||||||||||||||||||
MX25L3235EM2I-10G | 0.7612 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25L3235 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 50µs、3ms | |||||
![]() | S79FS01GSFABHB210 | 12.5818 | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-bga (8x6) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 338 | 102 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 2ms | |||||||
![]() | IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI | 480 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 8ns | |||||||
![]() | AS7C1026B-10TIN | 3.5700 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS7C1026B-10TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||||
Cy7C1380D-167AXI | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | A5272870-C | 51.2500 | ![]() | 3275 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A5272870-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S99-50536 | - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 71P72804S200BQG | 6.6800 | ![]() | 161 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | 71p72 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.88 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 70914S20PF/8029 | - | ![]() | 2132 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 70914S | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 36kbit | 20 ns | sram | 4k x 9 | 平行 | - | |||||
![]() | MT53E256M16D1FW-046AIT:B TR | 9.0450 | ![]() | 9333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT53E256M16D1FW-046AIT:BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | - | - | ||||||||
![]() | mtfc8gamalna-ait es | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR | 60.5400 | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V547S100PF | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V547 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V547S100PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 4.5mbit | 10 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
w25q80bvzpag | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVZPAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | 7024S35pfi | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7024S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 64kbit | 35 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 35ns |
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