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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV5128BLL-10KLI-TR | 3.3638 |  | 9944 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV5128 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
 | GD25B32CS2GR | 0.9688 | | 7690 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25B32CS2GRTR | 2,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | ||||||||
| 7008L35G | - | | 6424 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 84-bpga | 7008L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PGA （27.94x27.94 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 512kbit | 35 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
 | Cy7C106B-20VCT | 0.8900 | | 750 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | Cy7C106 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 256k x 4 | 平行 | 20ns | ||||
 | 71V67603S133BQ | 26.1188 | | 1983年年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | 71v67603 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
| 7133SA25JI | - | | 2016年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 68-lcc | 7133SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
 | 7143SA55PF | - | | 4315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 7143SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 32kbit | 55 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | Cy7C1512AV18-250BZIT | - | | 5137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
 | IS46DR16640B-25EBLA1 | - | | 3493 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | PCF85102C-2T/03：11 | - | | 1967年年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | PCF85 | Eeprom | 2.5V〜6.0V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | - | ||||
| MT25QL256ABA8E14-1SIT | - | | 2631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
 | R1LV0108ESP-7SI＃S0 | 5.0500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.450 "、11.40mm 幅） | R1LV0108 | sram | 2.7V〜3.6V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | ||||||
| IS46QR81024A-075VBLA2-TR | 20.2027 | | 8814 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46QR81024A-075VBLA2-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
| 03x6656-c | 19.7500 | | 6674 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-03x6656-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S25FL064LABBHI030 | 1.7400 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S25FL064LABBHI030 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 288 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | ||
 | 71V3556S133PFGI | 10.0700 | | 556 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3556 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||||
 | A0735493-C | 17.5000 | | 1368 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A0735493-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W29N01HWDINA | - | | 9844 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA （8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W29N01HWDINA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
| IS26KS128S-DPBLA200-TR | - | | 9116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
| MT53E768M32D2FW-046AIT：c | 20.7300 | | 4641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT：c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | STK15C88-NF45TR | - | | 3897 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | STK15C88 | nvsram （不揮発性 sram） | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
 | CY7C199D-10ZXI | - | | 2593 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | Cy7C199 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | 1 | 揮発性 | 256kbit | 10 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||||||
 | 3TK87AT-C | 29.5000 | | 9214 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-3TK87AT-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| A6996807-C | 58.5000 | | 8531 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A6996807-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| ndl26pfi-9mit tr | 6.6986 | | 7251 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1982-ndl26pfi-9mittr | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| W634GU8QB-11 | 5.9053 | | 9398 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB-11 | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| 7130L25C | - | | 3298 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | - | 800-7130L25C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 72141S35p | - | | 8522 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | - | 800-72141S35p | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IDT71V256SA10Y8 | - | | 9696 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | IDT71v256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 71V256SA10Y8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 10 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 10ns | |||
 | Cy62148EV30LL-45BVI | - | | 7799 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 36-VFBGA | Cy62148 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 36-VFBGA （6x8） | ダウンロード | 59 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | 確認されていません |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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