画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7111372-C | 111.2500 | ![]() | 1779 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7111372-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STK14CA8-RF45TR | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK14CA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C245-35LMB | 22.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | Cy7C245 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 35 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | 7140SA25J | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7140SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 8kbit | 25 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | GD25LB512MEFIRR | 4.5486 | ![]() | 3154 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
![]() | w25q512jveiq | 6.5900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | 70V05S15PFG | - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 70V05S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-70V05S15PFG | 廃止 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 15 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 15ns | |||||||
![]() | MT53E1G64D4HJ-046 WT:TR | 47.4300 | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT:ATR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | gd55le511meyigy | 4.3092 | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD55LE511MEYIGY | 4,800 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 4x70p26062-c | 93.7500 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70p26062-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
w25q80ewzpag | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWZPAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||||
![]() | 71421SA25PFI | - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-71421SA25PFI | 1 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||
MX25V5126FM1I | 0.2800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MX25V5126 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1092-MX25V5126FM1I | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs、10ms | ||||
![]() | S29GL01GT10FAI030 | 19.6700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | 自動車、AEC-Q100、GL-T | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S29GL01GT10FAI030 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 26 | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | 確認されていません | ||
![]() | mtfc256gaxauea-wt tr | 27.5700 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-WFBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-wfbga(11.5x13 | - | 557-MTFC256GAXAUEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS | - | ||||||||||
![]() | IS43R16320E-6BI-TR | - | ![]() | 5548 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | GS8673ED18BGK-675I | 328.1075 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 260-BGA | GS8673ED | sram- クアッドポート、同期 | 1.3V〜1.4V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8673ED18BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IDT71P72604S200BQG | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71P72 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71P72604S200BQG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.88 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | W25N01JWZEIT | 3.3657 | ![]() | 8717 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01JWZEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 700µs | ||
![]() | S26361-F3935-L616-C | 770.0000 | ![]() | 7839 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F3935-L616-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 03x7052-c | 220.0000 | ![]() | 1100 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-03x7052-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W632GU8NB-11 TR | 4.2018 | ![]() | 6444 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB-11TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | S28HS02GTFPBHB050 | 48.4050 | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 2,600 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||||||
![]() | IDT71V67602S150PFI | - | ![]() | 2774 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v67602 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v67602S150pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | NV25080DTVLT3G | 0.5336 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | NV25080 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NV25080DTVLT3GTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 20 ns | Eeprom | 1k x 8 | spi | 4ms | ||
![]() | W632GG6AB-15 | - | ![]() | 7614 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | - | - | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS26KL128S-DABLA300 | - | ![]() | 9447 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q100 | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | ハイパーフラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-VFBGA | - | 1 | 100 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 96 ns | フラッシュ | 16m x 8 | ハイパーバス | - | |||||||||
![]() | MX25L1006EZUI-10G | 0.4500 | ![]() | 43 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX05/06/08 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | MX25L1006 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 12,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 50µs、3ms | ||||
S25FL512SAGBHMC10 | 12.9500 | ![]() | 9696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | M10162040054X0IWAR | 34.1348 | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | M10162040054 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.71V〜2V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M10162040054X0IWARTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 54 MHz | 不揮発性 | 16mbit | ラム | 4m x 4 | - | - |
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