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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70V28L20PFGI8 | 122.1438 |  | 5422 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V28 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
 | MX25UM25345GBEI00 | 3.4788 | | 6771 | 0.00000000 | マクロニックス | Octabus™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 49-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 49-wlcsp | - | 3 （168 時間） | 1092-MX25UM25345GBEI00TR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 5 ns | フラッシュ | 32m x 8、256m x 1 | SPI -OCTAL I/O、DTR | 60µs 、750µs | |||||||
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | MT41K256M16TW-107 IT：P | 5.8903 | | 9348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1,224 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
| IS43LQ32640AL-062TBLI | 10.4241 | | 9537 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32640AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| A8423729-C | 110.0000 | | 2443 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A8423729-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT47H128M8B7-5E L：A TR | - | | 1824年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
| A8650534-C | 81.7500 | | 1669 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A8650534-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V35761S183BGI | - | | 2053 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 183 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.3 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
 | S29GL032N90TFI020 | - | | 8610 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-n | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | 検証 | |||||
 | 34LC02-I/SN | 0.3200 | | 774 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 34LC02 | Eeprom | 2.2V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 34LC02ISN | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
 | IS43R16320E-5TLI | 7.4065 | | 1847 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| CG6142AA | - | | 6842 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
 | S70GL0AGS00FHCR00 | - | | 7202 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | 廃止 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 180 | ||||||||||||||||||||
| mtfc16gapalgt-ait | - | | 3887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALGT-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||||
| S25FL132K0XBHIS20Y | - | | 2592 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl1-k | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL132 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （8x6） | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
 | IDT71V3578S133PFI | - | | 3594 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3578 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V3578S133PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT：C TR | - | | 9237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||||
 | CAT24C128WIGT-QQ | 0.1700 | | 8242 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | CAT24C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
| IS46LQ32640AL-062TBLA1 | - | | 5977 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
 | M29W128GSL70ZA6E | - | | 6975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| mtfc32gasaons-aat | 23.2950 | | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-AAT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
 | IS45S16400F-7TLA2 | - | | 8590 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
 | CY7C1470BV25-167BZXC | - | | 7742 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
 | S70FS01GSDSBHB210 | 15.7100 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive 、AEC-Q100、FS-S | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | S70FS01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-bga （8x6） | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20 | 80 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | ||||||
| mtfc16gltdv-wt tr | - | | 8913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
| mt53b2darn-dc | - | | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,008 | |||||||||||||||||||||
| 273503-002 09 | - | | 1558 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 273503-00209 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| NDD36PT6-2AET TR | 2.3914 | | 1830 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndd | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD36PT6-2AETTR | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | SSTL_2 | - | |||||||||
 | AT24C16D-CUM-T | - | | 8731 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-VFBGA | AT24C16D | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-VFBGA （1.5x2） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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