画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | プログラム可能なタイプ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cy7c1061g-10bvjxi | 38.5000 | ![]() | 9694 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1061 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | MT49H32M18FM-33:B TR | - | ![]() | 7780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | STK15C88-SF25TR | - | ![]() | 5596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK15C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | IS61LPS409618B-200TQLI-TR | 105.0000 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS409618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.1 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | MT49H32M9FM-33 TR | - | ![]() | 9902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 1,000 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1355B-100AC | - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1355 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | W25Q41EWUXAE | - | ![]() | 5418 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q41 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q41EWUXAE | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | FEMC008GTTG7-T13-16 | 43.2900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Flexxon Pte Ltd | Xtra III | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | FEMC008 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-FBGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3052-FEMC008GTTG7-T13-16 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | BR24T32FV-WE2 | 0.3658 | ![]() | 4842 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) | BR24T32 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | 70V9289L9PFGI | 125.3168 | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9289 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 1mbit | 9 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | - | |||||
EM008LXOAB320CS1R | 18.7500 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 24-tbga | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 24-tbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM008LXOAB320CS1RTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 8mbit | ラム | 1m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | |||||||
RMLV1616AGSA-4U2#KA0 | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RMLV1616A | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | RMLV1616 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 影響を受けていない | 559-RMLV1616AGSA-4U2#KA0 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 1m x 16、2m x 8 | 平行 | 45ns | |||||||
AS7C34098A-10TINTR | 4.5617 | ![]() | 8462 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34098 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IDT71V416VL15BEG8 | - | ![]() | 1911年年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V416VL15BEG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | TE28F008BET120 | 8.0000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | インテル | 28F008 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 40-tfsop (0.724 "、18.40mm | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 40-tsop | ダウンロード | 適用できない | 2(1 年) | 未定義のベンダー | ear99 | 3542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8mbit | 120 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 120ns | ||||||
![]() | MX29GL128ELT2I-90G | 5.5360 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | |||||
![]() | 7201SA50TDB | - | ![]() | 8392 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-7201SA50TDB | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V16M16TG-75:F | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | XCF16PFS48C | - | ![]() | 1634 | 0.00000000 | AMD | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 48-TFBGA 、CSPBGA | XCF16 | 確認されていません | 1.65V〜2V | 48-csp(8x9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 1 | プログラム可能なシステムで | 16MB | ||||||||||
![]() | S29CD016J0MQFM010 | 5.8782 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CD-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-BQFP | S29CD016 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 132 | 56 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 54 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | MT49H32M18FM-25:B TR | - | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | S79FL256SDSMFBG03 | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S79FL256SDSMFBG03 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR | 23.6850 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053WT:ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||||
![]() | SST39VF801C-70-4I-MAQE-T | 2.5200 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-wfbga | SST39VF801 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-wfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 16 | 平行 | 10µs | |||||
FM24C03UFLZEMT8 | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FM24C03 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 15ms | |||||
![]() | AT25160AN-SQ27T6 | 1.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25160 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 40 ns | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 70V9179L7PFG | - | ![]() | 3072 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9179 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 288kbit | 7.5 ns | sram | 32K x 9 | 平行 | - | |||||
![]() | IS61WV102416BLL-10TLI | 22.3000 | ![]() | 718 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61WV102416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | AT27LV010A-70TC | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT27LV010 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27LV010A70TC | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 156 | 不揮発性 | 1mbit | 70 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | STK14CA8-NF35 | - | ![]() | 9153 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK14CA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 不揮発性 | 1mbit | 35 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 35ns |
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