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メモリ（ 70838）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V65603S133BGI | 28.5570 |  | 1276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71v65603 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
 | IS42S16400J-6TLI-TR | 1.6792 | | 8341 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
 | 24LC025-I/ST | 0.6400 | | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 24LC025 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
 | AT45DB321D-CCU | - | | 5212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 24-TBGA 、CSPBGA | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-cbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | AT45DB321DCCU | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 378 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 528バイトx 8192ページ | spi | 6ms | |||
 | MR25H40VDFR | 20.1096 | | 4604 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MR25H40 | ミスター（磁気抵抗ラム） | 3V〜3.6V | 8-dfn-ep、小さな旗（5x6） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 819-MR25H40VDFRTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 9 ns | ラム | 512k x 8 | spi | - | ||
 | MR25H256CDCR | 7.0650 | | 7486 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-tdfn露出パッド | MR25H256 | ミスター（磁気抵抗ラム） | 2.7V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 256kbit | ラム | 32k x 8 | spi | - | ||||
 | MR5A16AUMA45R | 77.9850 | | 2331 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-lfbga | MR5A16 | ミスター（磁気抵抗ラム） | 3V〜3.6V | 48-fbga （10x10） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 819-MR5A16AUMA45RTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 45 ns | ラム | 2m x 16 | 平行 | 45ns | |||
 | FT93C56A-ISR-B | - | | 4536 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 93C56A | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
 | MT62F2G32D4DS-023 AAT：c | 63.8550 | | 5422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | |||||||||
 | MR25H256CDFR | 6.9900 | | 8089 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MR25H256 | ミスター（磁気抵抗ラム） | 2.7V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 256kbit | ラム | 32k x 8 | spi | - | ||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES：c | 67.8450 | | 9186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5mx 64 | - | - | |||||||||
 | Cy62147CV33-70BVI | 2.4800 | | 479 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | S29AS016J70TFI030 | 2.4800 | | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | as-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29AS016 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S29AS016J70TFI030 | 202 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | ||||||
 | W972GG6JB-25 TR | - | | 8849 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA （11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | AS6C6264A-70SINTR | - | | 2909 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） | AS6C6264 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 64kbit | 70 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
 | CAT25C128VI-GT3 | - | | 9928 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | CAT25C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | |||||
| 7024S25G | - | | 4435 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 84-bpga | 7024S25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PGA （27.94x27.94 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
 | 25LC080CT-H/SNVAO | - | | 1364 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜150°C（ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2A | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||
| S70FS01GSAGBHB210 | - | | 9601 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S70FS01GSAGBHB210 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | AS7C1024B-12TJIN | - | | 9811 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | AS7C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
| MT29VZZZAD8FQKSL-046 W.12H TR | 47.1600 | | 7961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZAD8FQKSL-046W.12HTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | AS4C128M8D3B-12bin | 7.9600 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | DA28F320J5A120 | 3.3300 | | 95 | 0.00000000 | インテル | Strataflash™ | バルク | アクティブ | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 56ソップ | DA28F320 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 56スソップ | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 32mbit | 120 ns | フラッシュ | 2m x 16 | CFI | - | ||||
 | S29GL01GT10GHI010 | 10.3500 | | 270 | 0.00000000 | スパンション | gl-t | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||||||
 | 647883-S21-C | 37.0000 | | 5515 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647883-S21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| NM27C010V150 | - | | 9845 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 2156-NM27C010V150 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 11LC040T-I/MNY | 0.3750 | | 6103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 11LC040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
 | AT24C512C-CUM-T-834 | - | | 4993 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vfbga dsbga | AT24C512C | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-dbga （2.35x3.73） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||
 | Cy7C1312BV18-200BZXC | - | | 5027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
| 593921-B21-C | 43.7500 | | 7423 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-593921-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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