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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NM27C010V150 Fairchild Semiconductor NM27C010V150 -
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 2156-NM27C010V150 1
11LC040T-I/MNY Microchip Technology 11LC040T-I/MNY 0.3750
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 11LC040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 100 kHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 単一ワイヤ 5ms
AT24C512C-CUM-T-834 Microchip Technology AT24C512C-CUM-T-834 -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vfbga dsbga AT24C512C Eeprom 1.7V〜3.6V 8-dbga （2.35x3.73） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 512kbit 900 ns Eeprom 64k x 8 i²c 5ms
CY7C1312BV18-200BZXC Infineon Technologies Cy7C1312BV18-200BZXC -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1312 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 200 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
593921-B21-C ProLabs 593921-B21-C 43.7500
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-593921-B21-C ear99 8473.30.5100 1
STK14C88-NF45ITR Infineon Technologies STK14C88-NF45ITR -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） STK14C88 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
AS4C128M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCN -
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 ECAD 8827 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1083 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q80DLZPIG TR Winbond Electronics w25q80dlzpig tr 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
IS43R32800D-5B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5B-TR -
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-LFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 8m x 32 平行 15ns
23LC512T-I/ST Microchip Technology 23LC512T-I/ST 1.9500
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 23LC512 sram 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 20 MHz 揮発性 512kbit sram 64k x 8 spi -quad i/o -
71V65603S100BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S100BGI 29.1800
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71v65603 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 9mbit 5 ns sram 256k x 36 平行 -
S26KS512SDGBHI030 Spansion S26KS512SDGBHI030 10.6400
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 スパンション Hyperflash™ks バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
S34ML04G200BHI903 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHI903 -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34ML04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-BGA （11x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
MR0A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35R 14.4172
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-lfbga MR0A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 48-fbga （8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1mbit 35 ns ラム 64k x 16 平行 35ns
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35 24.9685
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MR3A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 54-TSOP2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR3A16AYS35 ear99 8542.32.0071 108 不揮発性 8mbit 35 ns ラム 512K x 16 平行 35ns
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NZ-053 WT ES：c -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
S25FL256SDSMFBG01 Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG01 7.9450
RFQ
 ECAD 8512 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 705 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
MR256A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BSO35 -
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MR256A08 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 32-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-1028 ear99 8542.32.0071 108 不揮発性 256kbit 35 ns ラム 32k x 8 平行 35ns
MR5A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AYS35 63.9000
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MR5A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 54-TSOP2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR5A16AYS35 ear99 8542.32.0071 108 不揮発性 32mbit 35 ns ラム 2m x 16 平行 35ns
MT53D384M64D4NZ-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NZ-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
71T016SA12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71T016SA12PH 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） 71T016 sram-非同期 2.375V〜2.625V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB432BBBJ-1D-FD -
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
70V3319S166PRF Renesas Electronics America Inc 70V3319S166PRF -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 128-LQFP 70V3319 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 256k x 18 平行 -
CYD04S72V-133BBI Infineon Technologies CyD04S72V-133BBI -
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 484-BGA CYD04S72 sram- デュアルポート、同期 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 484-FBGA （23x23） - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 60 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 64k x 72 平行 -
70V3319S166PRF8 Renesas Electronics America Inc 70V3319S166PRF8 -
RFQ
 ECAD 1730 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 128-LQFP 70V3319 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 256k x 18 平行 -
FM93C86ALZN Fairchild Semiconductor fm93c86alzn -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93C86 Eeprom 2.7V〜5.5V 8ディップ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 250 kHz 不揮発性 16kbit Eeprom 1k x 16、2K x 8 マイクロワイヤ 15ms
IS34ML02G084-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-BLI 5.0397
RFQ
 ECAD 6929 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS34ML02G084-BLI 220 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
M3004316045NX0ITAY Renesas Electronics America Inc M3004316045NX0ITAY 11.4980
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 800-M3004316045NX0ITAY 135 不揮発性 4mbit 45 ns ラム 256k x 16 平行 45ns
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-75 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12bin -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1369 ear99 8542.32.0032 209 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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