画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 70P259L90BYGI | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-TFBGA | 70p259l | sram- デュアルポート、非同期 | 1.7V〜1.9V | 100-CABGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 90 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | S25FL512SAGMFIG10 | 9.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | 71V67603S133BGGI | 23.5662 | ![]() | 5821 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71v67603 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 684316-181-C | 48.5000 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-684316-181-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
BR24G64NUX-3ATTR | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | BR24G64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | VSON008X2030 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S99-50339 | - | ![]() | 1094 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 7016S35PF8 | - | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 7016S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 35 ns | sram | 16k x 9 | 平行 | 35ns | |||
![]() | A1229322-C | 17.5000 | ![]() | 8713 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A1229322-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | w631gu6nb12j | - | ![]() | 1739 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB12J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | MT45W512KW16PEGA-70 WT TR | - | ![]() | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
BR95040-WDW6TP | - | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR95040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR95040WDW6TP | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | IS61VF102418A-6.5B3I | - | ![]() | 2722 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 7130SA35J8 | - | ![]() | 6717 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7130SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | 71V016SA15BF | 4.1765 | ![]() | 8960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga | 71V016 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR | - | ![]() | 8654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E128M32D2DS-046AIT:ATR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | IS42S16160G-7BL | 3.7930 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | AT24C512BW-SH25-T | - | ![]() | 8029 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT24C512 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 550 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | IS45S16100C1-7TLA1 | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25q64jvzesq | - | ![]() | 3361 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVZESQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | MK22FN1M0VLL12557 | - | ![]() | 4610 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
IDT71256SA12YI8 | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256SA12YI8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | BR24G1M-3A | - | ![]() | 1836年年 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | BR24G1 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-dip-t | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 1mbit | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AS6C6416-55BINTR | 24.9000 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C6416 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64mbit | 55 ns | sram | 4m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | Cy62157EV30LL-45BVXA | 11.7250 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 960 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
![]() | IS41LV16100B-50KLI-TR | - | ![]() | 4324 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 42-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS41LV16100 | ドラム -江戸 | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL064LABMFA013 | 3.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | S26HL01GTFPBHM030 | 27.2300 | ![]() | 2989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,300 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms | |||||
R1EX25512ATA00I#S0 | 6.7700 | ![]() | 5934 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | R1EX25XXX | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 60 ns | Eeprom | 64k x 8 | spi | 5ms | |||||
7132LA55C | 104.7258 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7132la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 24C02A-E/j | 2.3700 | ![]() | 344 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 24C02 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 1.5ms |
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