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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
CY7C1041BV33-25ZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041BV33-25ZC 4.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 25 ns sram 256k x 16 平行 25ns
BR24T32FVM-WTR Rohm Semiconductor BR24T32FVM-WTR 0.4900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） BR24T32 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
AS4C16M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BINTR -
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
X28C010D-15 Intersil X28C010D-15 118.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 インターシル - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm） X28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.32.0051 11 不揮発性 1mbit 150 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
BR24G32FJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G32FJ-3GTE2 0.4700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR24G32 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
70V05L20PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V05L20PFI8 -
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
GD5F1GQ5REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq5rewigy 2.3917
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F1GQ5REWIGY 5,700 104 MHz 不揮発性 1gbit 9.5 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o 600µs
UPD44324182BF5-E33-FQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD44324182BF5-E33-FQ1-A 57.0300
RFQ
 ECAD 463 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
MT62F512M128D8TE-031 XT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT：B TR 68.0400
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR 2,000
CY7C1356A-133AI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1356A-133AI 14.0800
RFQ
 ECAD 664 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1356 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 512K x 18 平行 -
W25M02GWTBIG Winbond Electronics W25M02GWTBIG -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
AT25SF081B-SHD-T Adesto Technologies AT25SF081B-SHD-T 0.5100
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT25SF081 フラッシュ - 2.5V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
M25PX80-VMP6TGY0 TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TGY0 TR -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
AS4C512M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12bin -
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1446 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
S29GL256P11FFIV13 Infineon Technologies S29GL256P11FFIV13 9.1700
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 Infineon Technologies GL-P テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8 平行 110ns
CY7C1360A1-150AJC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1360A1-150AJC 7.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1360 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
71V016SA15BFI8 Renesas Electronics America Inc 71V016SA15BFI8 3.5404
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga 71V016 sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,000 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
W25Q80EWUXBE Winbond Electronics w25q80ewuxbe -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80EWUXBE 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
MTFC128GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc128gbcavtc-aat es 60.4800
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GBCAVTC-AATES 1
NV34C02MUW3VTBG onsemi NV34C02MUW3VTBG 0.4132
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド NV34C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-udfn （2x3） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NV34C02MUW3VTBGTR ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
24AA64SC-I/W16K Microchip Technology 24AA64SC-I/W16K -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 24AA64 Eeprom 1.7V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
SM662GXE BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXE BESS 91.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GXEBESS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
AS4C64M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25bin 5.9900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1129 ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT58L32L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-10 6.4500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L32L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 1mbit 10 ns sram 32K x 32 平行 -
CY7C1414KV18-250BZXC Infineon Technologies Cy7C1414KV18-250BZXC 51.9400
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1414 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy7c1414kv18-250bzxc 3A991B2A 8542.32.0041 680 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
GD25LB512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYJGR 5.6243
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LB512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT41K2G4RKB-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107：N TR -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 -
CY7C1361C-133AXIKJ Cypress Semiconductor Corp Cy7C1361C-133333333333333333333333333333333333333333333333333333333 9.0600
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1361 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 6.5 ns sram 256k x 36 平行 -
GD25LD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld05ctigr 0.2404
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25LD05 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi-デュアルi/o 55µs 、6ms
W631GG6NB11I Winbond Electronics w631gg6nb11i 4.8800
RFQ
 ECAD 344 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB11I ear99 8542.32.0032 198 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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