画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL256S10TFB023 | 8.5225 | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | AT45DB321D-SU-SL955 | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 512バイトx 8192ページ | spi | 6ms | |||||
S25FL128SDSBHV203 | 3.6925 | ![]() | 3469 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 80 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | 71321SA35PF | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | Cy7C1380KV33-167AXC | 32.4000 | ![]() | 360 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
MT40A2G4SA-075 C:e | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 557-MT40A2G4SA-075C:e | 廃止 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT53B256M32D1DS-062 XT:c | - | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | 70V26L12J8 | - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31 | - | 800-70V26L12J8TR | 1 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 12ns | ||||||||
![]() | MEM-DR316L-SL02-ER10-C | 51.2500 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR316L-SL02-ER10-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 70V06L12J | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | - | 800-70V06L12J | 1 | 揮発性 | 128kbit | 12 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||||
![]() | S99ML02G10041 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | sicで中止されました | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | FM24C04ULVM8 | 0.3700 | ![]() | 7808 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24C04 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 15ms | ||
![]() | NM24C08LN | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | NM24C08 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 40 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 3.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 15ms | ||||
![]() | 309977-128 01 | - | ![]() | 6676 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 309977-12801 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Cy7C1339-166AC | 7.2100 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1339 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | ||
![]() | NV24C08MUW3VLTBG | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | NV24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 450 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 4ms | ||
![]() | Cy7C1373BV25-100AC | 14.5700 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1373 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 29705apc | 14.3500 | ![]() | 87 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | GD25VQ80CSIG | - | ![]() | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25VQ80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
MT40A512M16TD-062E AUT:R TR | - | ![]() | 9159 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 96-TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 | - | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TD-062EAUT:RTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT25SF041B-MAHD-T | 0.5100 | ![]() | 8024 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | ||||
![]() | S25FL256LAGMFM003 | 9.8500 | ![]() | 8302 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | cy62128bll-70zrxet | - | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy62128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | AS4C256M8D3LC-12BANTR | 7.3150 | ![]() | 1833 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (7.5x10.5 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C256M8D3LC-12BANTR | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | IS46TR85120AL-125KBLA1 | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR85120AL-125KBLA1 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | 71256S35dB | 37.2500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm) | 71256S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 35 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 35ns | ||||||
![]() | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | CAT24C04ZI-G | 0.2300 | ![]() | 9757 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 96 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CAT25C128XI-T2 | 0.1400 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | - | 2156-CAT25C128XI-T2 | 2,000 |
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