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メモリ（70500）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W320DB70ZA3F TR | - |  | 5741 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 63-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | Cy7C1041CV33-20ZXI | 3.5400 | | 554 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 20ns | |||
 | 598858-001-C | 17.5000 | | 2159 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-598858-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS46TR81280BL-125JBLA2 | - | | 2694 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 | ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | 25LC080D-E/SN16KVAO | - | | 2947 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
| 5962-8700221ZA | - | | 3044 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-5962-8700221ZA | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MR10Q010SCR | 7.0944 | | 5497 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MR10Q010 | ミスター（磁気抵抗ラム） | 3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 819-MR10Q010SCRTR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 7 ns | ラム | 128k x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |
 | 575480-001-C | 30.0000 | | 5936 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-575480-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| IS43LQ32256AL-062BLI | 21.8535 | | 6801 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32256AL-062BLI | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES：b | 102.0600 | | 1696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | ||||||||
 | IS43TR16128B-093NBL-TR | - | | 4315 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16128B-093NBL-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | MT53E256M32D2DS-053 WT：b | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E256M32D2DS-053WT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
 | 868841-001-C | 130.0000 | | 5276 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-868841-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| 4x70G78061-C | 145.0000 | | 8456 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70G78061-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| CAT24C32YGI | 0.2400 | | 5 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT24C32YGI-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||
| IS43TR16128D-125KBL-TR | 3.3306 | | 7590 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16128D-125KBL-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
| 1832512095903 | - | | 3945 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C1381B-100BZI | 23.4400 | | 3703 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1381 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| IS43TR81024BL-107MBLI | 22.8583 | | 4644 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR81024BL-107MBLI | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | N01L83W2AT25IT | - | | 2948 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-lfsop （0.724 "、18.40mm 幅） | N01L83 | sram-非同期 | 2.3V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
| S25HS01GTDPBHV030 | 18.7250 | | 6394 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜2V | 24-FBGA （8x8） | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,300 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||||
| 24FC04T-E/ST36KVAO | - | | 4587 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 24FC04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-24FC04T-E/ST36KVAOTR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
| 707288l15pfi | - | | 3661 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | - | 800-707288L15PFI | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||
 | 27S19APC | 20.1300 | | 3 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| S99-50315 | - | | 6545 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C1470BV25-167BZIT | - | | 3829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
| S25FL064LABBHM020 | 3.4300 | | 1377 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-bga （8x6） | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 90µs 、1.35ms | ||||||
| IS29GL256-70DLET-TR | 4.8235 | | 4919 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - （slc） | 3V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL256-70DLET-TR | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | CFI | 70ns 、200µs | ||||||
 | M25P16-VMN6P | - | | 3255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| S29PL127J60TFI130 | - | | 5058 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29PL127J60TFI130 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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