画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | surs8115t3g-vf01 | - | ![]() | 1624 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | surs8115 | 標準 | SMB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SMBT1570LT3 | 0.0200 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 12,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20H150CT | 0.7342 | ![]() | 1055 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS20H150CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 970 mV @ 20 a | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | SMD210PLQ-TP | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | ショットキー | SOD-123FL | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2a | 62pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | DD1200S17H4B2BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DD1200 | 標準 | AG-IHMB130-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 1700 v | - | 2.1 V @ 1200 a | 1250 A @ 900 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
BAT54S-QR | 0.0328 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C | ||||||||||
![]() | BZX84J-B51,115 | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZX84J-B51 | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | G4S06540 pt | - | ![]() | 9743 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247AC | - | 未定義のベンダー | 4436-G4S06540 pt | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 40 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 81.8a | 1860pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MURS1020FCTA-BP | 0.5250 | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | MURS1020 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | 353-MURS1020FCTA-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1 V @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-S1039 | - | ![]() | 9108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1039 | - | 112-VS-S1039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SE15FGHM3/i | 0.0936 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SE15 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.05 V @ 1.5 a | 900 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MURA120T3H | - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | MURA120 | 標準 | SMA | - | ROHS3準拠 | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||
![]() | VS-20CWT10TRL-E3 | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 20CWT10 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS3005B-02VH6327 | 0.0900 | ![]() | 275 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | ショットキー | PG-SC79-2-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 620 mV @ 500 Ma | 25 µA @ 30 V | 150°C | 500mA | 6PF @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4763A | 0.1118 | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4763 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | ||||||||||||
![]() | BZT52C56 | 0.0453 | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C56TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | MSC2X30SDA170J | 78.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | MSC2x30 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSC2X30SDA170J | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
S1JLSH | 0.0597 | ![]() | 5346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-s1jlshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 1.2 a | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1.2a | - | ||||||||||||
![]() | HS1FLH | 0.2378 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1flhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
JANKCA1N5529C | - | ![]() | 4268 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n5529c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | CBR6A-020 | - | ![]() | 4554 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 4 平方メートル、 cm | CM | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A B0G | - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4744 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||
![]() | SD200SCU150A.T2 | 1.7435 | ![]() | 4985 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SD200 | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0040 | 490 | 高速回復= <500ns | 150 v | 920 mv @ 60 a | 1.5 mA @ 150 v | -55°C〜200°C | 60a | 1500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | f15g | 0.0140 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-F15GTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004W-TP | - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | SOD-123 | 1N4004 | 標準 | SOD-123 | - | 353-1N4004W-TPTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5344E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2053 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5344 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5オーム | |||||||||||
![]() | VS-S1643 | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1643 | - | 112-VS-S1643 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 70HF160 | 4.2500 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-70HF160 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.3 V @ 70 a | 200 µA @ 1600 v | -65°C〜150°C | 70a | - | ||||||||||
![]() | PMEG6010CEGW-QJ | 0.0587 | ![]() | 3522 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | 1727-PMEG6010CEGW-QJTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 660 mV @ 1 a | 50 µA @ 60 V | 150°C | 1a | 60pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
ZM4734A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4734 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム |
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