画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-MBRB1045TRRHM3 | 1.0203 | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-MBRB1045TRRHM3TR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | 600pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
CDBU42-HF | 0.0600 | ![]() | 4888 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CDBU42 | ショットキー | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PG600B_R2_00001 | 0.4900 | ![]() | 669 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | PG600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-PG600B_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1 V @ 6 a | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5821-AP | 0.1220 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5821 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | 353-1N5821-AP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | 200pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MBRS20H200CT | 0.7722 | ![]() | 9101 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS20H200CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 970 mV @ 20 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | PMEG3020EP-QX | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | ショットキー | SOD-128/CFP5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 360 mV @ 2 a | 3 ma @ 30 v | 150°C | 2a | 325pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | HS1BLH | 0.2378 | ![]() | 2442 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1blhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SS23Q | 0.0620 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS23QTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6340dus/tr | 68.7000 | ![]() | 8374 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6340dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 36 V | 47 v | 75オーム | ||||||||||||||||
![]() | SF2003GHC0G | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF2003 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | GSGP0240SD | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | ショットキー | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 2 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 120pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX84W-C2V4-QX | 0.0335 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±8.33% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-C2V4-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
MMBZ5259B-E3-18 | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5259 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4751UR-1/TR | 3.6200 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||||
![]() | MR826 | 0.1699 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-MR826TR | 8541.10.0000 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 5 a | 300 ns | 10 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | IDB45E60ATMA1 | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | IDB45 | 標準 | PG-to263-3-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 45 a | 140 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 71a | - | ||||||||||||
![]() | 1N5346B TR | - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | ax-5w | ダウンロード | 1514-1N5346BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 7.5 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | SFM14PLHE3-TP | 0.1081 | ![]() | 9702 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SFM14 | 標準 | SOD-123FL | ダウンロード | 353-SFM14PLHE3-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | ZMM27 | 0.0257 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMM27TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | US1CFL-TP | 0.0509 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | US1c | 標準 | DO-221AC | ダウンロード | 353-US1CFL-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TS15P04G C2G | - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS15P04 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 400 V | 15 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | ug3dbf | 0.1440 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ug3dbftr | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | P2500J | 0.8233 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P2500 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-P2500JTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 25 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||
![]() | SDM1645CS_L2_00001 | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SDM1645 | ショットキー | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SDM1645CS_L2_00001CT | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 8a | 540 mV @ 8 a | 210 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BAT54-05WH6327 | 0.0700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT54 | ショットキー | PG-SOT323-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C | |||||||||||
![]() | SS82 | 0.1210 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS82TR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n941bur-1/tr | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n941bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n5538dur-1/tr | 42.0014 | ![]() | 7410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5538dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n3030bur-1/tr | 12.7801 | ![]() | 8531 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3030bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | ZLLS400TC-2477 | - | ![]() | 1812年年 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | ショットキー | SOD-323 | - | 31-ZLLS400TC-2477 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 400 Ma | 3 ns | 10 µA @ 30 V | 150°C | 520ma | 15pf @ 30V、1MHz |
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