画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-6TQ035STRL-M3 | 0.5613 | ![]() | 9889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 6tq035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 35 v | 600 mV @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜175°C | 6a | 400pf @ 5v、1MHz | ||||||||||
![]() | Zy6.8 | 0.0986 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | 2 W | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-Zy6.8tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 2 V | 6.8 v | 1オーム | ||||||||||||||
SB52AFC_R1_00001 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SB52 | ショットキー | SMAF-C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SB52AFC_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 540 mV @ 5 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 5a | 159pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B39S | 0.1300 | ![]() | 9175 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.03% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 29 v | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | SFAF805G | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFAF805G | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N3156A | 31.5600 | ![]() | 1030 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3156 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3156A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | S1GALH | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S1G | 標準 | sma | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
JANTX1N6626U | 18.1050 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/590 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N6626 | 標準 | D-5a | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | 1.75a | - | ||||||||||
![]() | ES3A | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3ATR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N3784 | 38.6100 | ![]() | 1391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N3784 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N3999ra | 8.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3999ra | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 2 V | 6.8 v | 1.2オーム | |||||||||||
![]() | SJPL-H6VR | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | サンケン | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD、Jリード | SJPL-H6 | 標準 | SJP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | SJPL-H6VR DK | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 2 a | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | 2A06GHB0G | - | ![]() | 9215 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A06 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MM3Z3V9 | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM3Z3V9TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | |||||||||||||
![]() | MSS1p3Hm3_a/h | 0.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | MSS1p3 | ショットキー | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | GBJ8005 | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | チューブ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n6320us/tr | 19.1254 | ![]() | 1688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6320us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | SD330S_L2_00001 | 0.2187 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | to-252-3 | SD330 | ショットキー | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 201,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||
jan1n6320us | 15.2850 | ![]() | 1977年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | B140AE-13 | - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B140 | ショットキー | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | APTDF430U100G | 105.9808 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF430 | 標準 | LP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.3 V @ 500 a | 120 ns | 2.5 mA @ 1000 v | 500a | - | ||||||||||
![]() | U8DT-E3/4W | - | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | U8 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | BZT585B2V4TQ-13 | 0.0417 | ![]() | 9660 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-BZT585B2V4TQ-13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3172R | 216.8850 | ![]() | 1524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3172 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3172RMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.55 V @ 940 a | 10 mA @ 800 v | -65°C〜200°C | 300a | - | ||||||||||
Jan1n4370d-1 | 9.3450 | ![]() | 1158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4370 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | CZRL5238B-G | - | ![]() | 1931年 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | CZRL5238 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ5244BT1H | 0.0200 | ![]() | 189 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10100FCT_T0_00001 | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | MBR1010 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3757-MBR10100FCT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 800 mV @ 5 a | 50 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | 10dq05 | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 10dq | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -65°C〜125°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX84C24 | 0.0301 | ![]() | 3 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-BZX84C24TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 80オーム |
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