画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52H-A3V6-QX | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.11% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム | |||||||||||
jantxv1n4124-1 | 9.0450 | ![]() | 8083 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4124 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 32.7 v | 43 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | sml4755ahe3_a/h | 0.5700 | ![]() | 3770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4755 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||
![]() | BZV55B3V6 | 0.0357 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B3V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | ||||||||||
1N943A-1/TR | 18.4950 | ![]() | 4915 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N943A-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | BZG05B9V1-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.98% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B9V1 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.8 v | 9.1 v | 5オーム | ||||||||||
![]() | MMSZ5250C-TP | 0.0218 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5250 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 353-MMSZ5250C-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | jankca1n4111c | - | ![]() | 3383 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4111c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.92 v | 17 v | 100オーム | ||||||||||||
Jan1n5521d-1 | 17.6700 | ![]() | 8722 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5521 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1.5 v | 4.3 v | 18オーム | |||||||||||
![]() | DDZ30D-7 | 0.0435 | ![]() | 7441 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | DDZ30 | 310 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23 V | 30 V | 55オーム | ||||||||||
![]() | BZT52-B36S_R1_00001 | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-B36S_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 90オーム | ||||||||||
![]() | S3580 | 36.6600 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | S3580 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||
![]() | JANTX1N4107CUR-1 | 20.4900 | ![]() | 3774 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4107 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | ||||||||||
![]() | PR1006GL-T | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | DO-41 | - | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | CDS5527bur-1/tr | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5527BUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5242B | 0.0271 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5242 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5242BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9 V | 12 v | 30オーム | ||||||||||
![]() | BZT52B7V5JSHE3-TP | 0.0616 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZT52B7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | 353-BZT52B7V5JSHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||
ZMY5V6-GS08 | 0.4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | Zmy5v6 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 1.5 V | 5.6 v | 2オーム | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5355H | 0.3459 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMC53 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | SS1020FL_R1_00001 | 0.3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SS1020 | ショットキー | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mV @ 1 a | 30 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||
![]() | jantxv1n4471 | - | ![]() | 7010 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 14.4 v | 18 v | 11オーム | |||||||||||||||
![]() | SMAJ4742AHE3-TP | 0.1150 | ![]() | 1518 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4742 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | 353-SMAJ4742AHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 100 MA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||
Jan1n5527d-1/tr | 15.8137 | ![]() | 6387 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5527d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | ||||||||||||
![]() | RD15ES-T4-AZ | 0.0500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | SM4001PL-TP | 0.3000 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SM4001 | 標準 | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52B62-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B62 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 62 v | 150オーム | ||||||||||||
1N4625-1E3 | 2.8050 | ![]() | 9055 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4625 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | SZ1SMB5941BT3G | 0.6900 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SZ1SMB5941 | 3 W | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | ||||||||||
NZ8F47VMX2WT5G | - | ![]() | 5033 | 0.00000000 | onsemi | NZ8F | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-xdfn | 250 MW | 2-x2dfnw( 1x0.6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 38 V | 47 v | 170オーム | ||||||||||||
![]() | AZ23C27-TP | 0.0426 | ![]() | 6069 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C27 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-AZ23C27-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム |
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