画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX55C7V5-TAP | 0.2300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C7V5 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | BZX84C16-TP | 0.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C16 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | MUR20040CT | 101.6625 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR20040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR20040CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 100a | 1.3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | jans1n6340dus | 527.5650 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6340dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 36 V | 47 v | 75オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5929B-TP | 0.0890 | ![]() | 9197 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5929 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | 353-SMBJ5929B-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84W-B47-QF | 0.0312 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.91% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-B47-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||
![]() | cdll5249c/tr | 6.9150 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5249C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | |||||||||||||
![]() | SZBZX84C2V4ET1G | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±8% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | JANKCA1N4111D | - | ![]() | 3984 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4111d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.92 v | 17 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | BZG03B12-HM3-18 | 0.2310 | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B12 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 3 µA @ 9.1 v | 12 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | jantxv1n4995us/tr | - | ![]() | 7605 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jantxv1n4995us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 274 v | 360 v | 1400オーム | ||||||||||||||
MMBZ4713-G3-08 | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4713 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | ||||||||||||||
![]() | BZT52H-B6V2,115 | 0.2300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | Jan1n7049ur-1/tr | 9.3150 | ![]() | 4026 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n7049ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 30CTQ035S | 1.2835 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 30ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-30CTQ035S | 8541.10.0000 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 50 µA @ 35 V | -50°C〜175°C | ||||||||||
BZD27C15PHR3G | 0.2933 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 14.7 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | BZV85-C4V3,133 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZV85-C4V3 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 50 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 13オーム | |||||||||||
![]() | 1SMB5925_R1_00001 | 0.0810 | ![]() | 2109 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5925 | 1.5 w | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 500,000 | 5 µA @ 8 V | 10 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | PCDB20120G1_R2_00001 | 12.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | PCDB20120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 180 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 20a | 1040pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | BZM55B10-TR3 | 0.0433 | ![]() | 1611 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B10 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 70オーム | |||||||||||
![]() | MURSD1040CTA-TP | 0.3381 | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MURSD1040 | 標準 | dpak(to-252) | ダウンロード | 353-MURSD1040CTA-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 10a | 1.25 V @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1M150ZH | 0.1188 | ![]() | 7472 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M150 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 114 v | 150 v | 1000オーム | ||||||||||||
![]() | BZG05C51-HE3-TR | - | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 51 v | 115オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4108-1/tr | 6.7564 | ![]() | 5032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4108-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | v10km45Chm3/i | 0.3703 | ![]() | 5549 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V10KM45CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 600 mV @ 5 a | 150 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | ES1PB-E3/85A | - | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | ES1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT55B75-GS18 | 0.0433 | ![]() | 8825 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55B75 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | BZX84C3V9T-7-F | 0.0630 | ![]() | 4902 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOT-523 | BZX84 | 150 MW | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | 1SMC5352_R1_00001 | 0.1863 | ![]() | 9042 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1SMC5352 | 5 W | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 165,600 | 1 µA @ 11.5 v | 15 V | 3オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n6874utk2/tr | 364.6950 | ![]() | 2677 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6874utk2/tr | 100 |
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