画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSB1A60 | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | DSB1A60 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 690 mV @ 1 a | 100 µA @ 80 V | - | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 1SMA4743_R1_00001 | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4743 | 1 W | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 100 Na @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | PZM7.5NB2,115 | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM7.5 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 4 V | 7.5 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | SMA5C7V5-TP | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMA5C7V5 | 3 W | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | ES2F | 0.1724 | ![]() | 12 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ES2FTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 300 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | SRAF5100HC0G | - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF5100 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | BZX55B4V3 | 0.0301 | ![]() | 1644 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B4V3TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | |||||||||||||
![]() | 1N825A | 4.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N825A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | smzj3798bhe3_b/h。 | 0.1508 | ![]() | 8328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3798 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-SMZJ3798BHE3_B/H。 | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | DBA100G-K15 | - | ![]() | 8539 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | DBA1 | 標準 | - | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 V @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 3.7 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3799bhm3_a/i | 0.1815 | ![]() | 7768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3799 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5248A_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | MMSZ5229A | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5248A_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5928CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 7628 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5928 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | VX80170PWHM3/p | 4.2987 | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VX80170PWHM3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 40a | 870 mV @ 40 a | 200 µA @ 170 v | -40°C〜175°C | ||||||||||||||
BZX84B11-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B11 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n6305 | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.18 V @ 150 a | 60 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 70a | ||||||||||||||
![]() | V15K170CHM3/i | 0.7996 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-V15K170CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 3a | 900 mV @ 7.5 a | 50 µA @ 170 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | FS2DFL-TP | 0.0560 | ![]() | 2198 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | FS2D | 標準 | DO-221AC | ダウンロード | 353-FS2DFL-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N3003RB | 40.3200 | ![]() | 3638 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3003 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84C3V9CC-HF | 0.0492 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.13% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-BZX84C3V9CC-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | BZV85-C47,133 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZV85-C47 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 33 v | 47 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | CD214B-R21000 | - | ![]() | 7174 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CD214B | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 2a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CZRFR52C2V2-HF | 0.0805 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRFR52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.2 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4742AGE3/TR | 3.7200 | ![]() | 1442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1 W | DO-41 | - | 影響を受けていない | 150-1N4742AGE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 256 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | |||||||||||||||
![]() | HS5A R6 | - | ![]() | 9571 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS5AR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VB60100CHE3/i | - | ![]() | 7401 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | VB60100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 790 mV @ 30 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | 1N823A | 3.6400 | ![]() | 239 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N823A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5372BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 3853 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5372 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 44.6 v | 62 v | 42オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ5234BT3G | - | ![]() | 7134 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | ||||||||||||||
CDLL5237A | 2.8650 | ![]() | 1378 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5237 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム |
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