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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
R306040F	49.0050	RFQ	1966年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R306040F			1
CPT30045	-	RFQ	6215	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			シャーシマウント	md3cc		ショットキー		ツインタワー	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	150a	760 mV @ 200 a		4MA @ 45 v
jantx1n3019b-1/tr	8.9908	RFQ	1787	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3019b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		25 µA @ 6.9 v				9.1 v	6オーム
VS-88CNQ060ASMPBF	-	RFQ	2326	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	D-61-8-SM	88CNQ060	ショットキー		D-61-8-SM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs88cnq060asmpbf	ear99	8541.10.0080	400	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	40a	580 mV @ 40 a		640 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
2EZ18D/TR12	-	RFQ	5826	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ18		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 13.7 v				18 v	10オーム
1N5259B	0.0271	RFQ	2877	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5259		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N5259btr	ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V				39 v	80オーム
UF5402GP-TP	0.2472	RFQ	1043	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	UF5402	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 3 a	50 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	75pf @ 4V、1MHz
jans1n4111cur-1	97.9650	RFQ	3446	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V				17 v	100オーム
PDU620CT-13	0.5586	RFQ	6871	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5	PDU620	標準		Powerdi™5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1 V @ 3 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
TZQ5229B-GS08	0.0303	RFQ	5940	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5229		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				4.3 v	22オーム
TSZL52C9V1 RWG	-	RFQ	7982	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	1005 （2512 メトリック）	TSZL52		200 MW	1005	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 7 V				9.1 v	10オーム
BZX55F24-TAP	-	RFQ	6920	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V				24 v	80オーム
1N5230B	2.7150	RFQ	7483	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5230		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5230BMS	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		50 µA @ 2 V				4.7 v	19オーム
CZRQR12VB-HF	-	RFQ	1970年	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％	-55°C〜125°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	CZRQR12		125 MW	0402/SOD-923F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 9.1 v				12 v	12オーム
1N4704UR-1/TR	5.2400	RFQ	7128	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	186					1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 12.9 v				17 v
MB315_R1_00001	0.4600	RFQ	794	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	MB315	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MB315_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a		50 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	3a	140pf @ 4V、1MHz
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BZG03C200-M3-08	0.5000	RFQ	8157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C200		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V				200 v	500オーム
jan1n6350d	49.5300	RFQ	8224	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jan1n6350d	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 91 v				120 v	600オーム
SMBG5335AE3/TR13	-	RFQ	3723	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5335		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.9 v	2オーム
VS-16CTU04-N3	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	16CTU04	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-16CTU04-N3GI	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	8a	1.3 V @ 8 a	43 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
jans1n4624cur-1	165.5850	RFQ	3615	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				4.7 v	1550オーム
SMZG3799AHE3/52	-	RFQ	7935	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG37		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750							5 µA @ 20.6 v				27 v	23オーム
SMZJ3802B-M3/5B	0.1304	RFQ	5010	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3802		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 27.4 v				36 v	38オーム
jantx1n5538bur-1	14.7600	RFQ	5847	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5538		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16.2 v				18 v	100オーム
CDLL5914B	3.9300	RFQ	6621	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5914		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				3.6 v	9オーム
jans1n4127ur-1/tr	45.8600	RFQ	2104	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4127ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v				56 v	300オーム
CZRT55C27-G	0.0620	RFQ	9702	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 18.9 v				27 v	80オーム
BZT52H-B9V1-QX	0.0434	RFQ	9299	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.98％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZT52H-B9V1-QXTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V				9.1 v	10オーム
1N5221bur-1	3.3750	RFQ	4941	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5221		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				2.4 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²