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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
AMMSZ5229A-HF Comchip Technology ammsz5229a-hf 0.0725
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 comchipテクノロジー aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2.09％ -50°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123 AMMSZ5229 500 MW SOD-123 - ROHS3準拠 1 （無制限） 641-AMMSZ5229A-HFTR ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
BZX55C24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C24 A0G -
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 MA 100 Na @ 18 V 24 v 80オーム
BZD17C62P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RFG -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±6.45％ -55°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD17 800 MW sma ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 47 v 62 v 80オーム
CDLL5235A Microchip Technology CDLL5235A 2.8650
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5235 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
1N970B Microchip Technology 1N970B 2.0700
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AA 1N970 500 MW DO-7 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1N970BMS ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 18.2 v 24 v 33オーム
CDLL5263C/TR Microchip Technology cdll5263c/tr 6.9150
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA - 影響を受けていない 150-CDLL5263C/TR ear99 8541.10.0050 137 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 43 v 56 v 150オーム
BZX84B13-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B13-E3-18 0.0324
RFQ
 ECAD 8512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX84 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84B13 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
UFZVTE-1722B Rohm Semiconductor UFZVTE-1722B 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2.69％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 500 MW UMD2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 200 Na @ 17 V 21.35 v 30オーム
DZ2S03900L Panasonic Electronic Components DZ2S03900L -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました ±5％ - 表面マウント SC-79、SOD-523 DZ2S039 150 MW SSMINI2-F5-B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 130オーム
1N4748A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748A 0.1118
RFQ
 ECAD 8768 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4748 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 v 22 v 23オーム
GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 セミク amp+™ チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-247-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた 1560-1044-5 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 10a 635pf @ 1V、1MHz
B230LA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B230LA-E3/5AT 0.4200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA B230 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 2 a 500 µA @ 30 V -65°C〜150°C 2a -
PZU16B2L,315 Nexperia USA Inc. PZU16B2L 、315 0.0431
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-882 PZU16 250 MW DFN1006-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 100 MA 50 na @ 12 v 16 v 20オーム
CDLL4752A/TR Microchip Technology cdll4752a/tr 3.1255
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-CDLL4752A/TR ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25.1 v 33 v 45オーム
JAN1N4944 Semtech Corporation Jan1N4944 -
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 Semtech Corporation * バルク sicで中止されました - jan1n4944s ear99 8541.10.0080 1
1N3910 Microchip Technology 1N3910 48.5400
RFQ
 ECAD 5869 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3910 標準 do-203ab（do-5） ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 50 a 200 ns 15 µA @ 100 V -65°C〜150°C 50a -
69SPB135A SMC Diode Solutions 69SPB135A 7.9226
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 SMCダイオードソリューション - バルク アクティブ 表面マウント SPD-2A 69SPB ショットキー SPD-2A ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた 69SPB135ASMC ear99 8541.10.0080 300 高速回復= <500ns 135 v 870 mV @ 60 a 100 µA @ 135 v -55°C〜175°C 60a 100pf @ 5V、1MHz
BZX585-C5V1,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C5V1,115 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX585-C5V1 300 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
VS-HFA70FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA70FA120 53.7410
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® トレイ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック HFA70 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない VSHFA70FA120 ear99 8541.10.0080 160 高速回復= <500ns 2独立 1200 v 70a 3.8 V @ 60 a 51 ns 75 µA @ 1200 v -55°C〜150°C
1N4109UR Microchip Technology 1N4109UR 3.7950
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N4109 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 11.4 v 15 V 100オーム
BZT52C20K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 100 Na @ 15 V 20 v 55オーム
AZ23C13-7-G Diodes Incorporated AZ23C13-7-g -
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 ダイオードが組み込まれています * テープ＆リール（ tr） 廃止 AZ23C13 - 1 （無制限） 影響を受けていない AZ23C13-7-GDI ear99 8541.10.0050 3,000
JANTXV1N4621DUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n4621dur-1/tr 34.0081
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantxv1n4621dur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3.5 µA @ 2 V 3.6 v 1700オーム
VS-VSKD600-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD600-16PBF 388.7300
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント スーパーマグニュパック VSKD600 標準 スーパーマグニュパック ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない VSVSKD60016PBF ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1600 v 300a 50 mA @ 1600 v -40°C〜150°C
BZX84B8V2Q-7-F Diodes Incorporated bzx84b8v2q-7-f 0.0382
RFQ
 ECAD 9453 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 ダウンロード 影響を受けていない 31-BZX84B8V2Q-7-FTR ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15オーム
BZT52B5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B5V6-E3-08 0.3100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT52 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52B5V6 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 100 Na @ 1 V 5.6 v 40オーム
BR5010W-G Comchip Technology BR5010W-G -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 comchipテクノロジー - トレイ 廃止 -55°C〜125°C（TJ） 穴を通して 4 平方、BR-W 標準 BR-W ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 1000 v 50 a 単相 1 kV
ZPY22-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY22-TR 0.3700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ 175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 zpy22 1.3 w do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 17 V 22 v 7オーム
BZD27C51P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-E3-08 0.4400
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27C テープ＆リール（ tr） アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C51 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 39 v 51 v 60オーム
1PGSMC5352 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5352 M6G -
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました ±5％ -55°C〜175°C 表面マウント do-214ab 、mc 1pgsmc 5 W do-214ab - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1801-1PGSMC5352M6GTR ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 11.5 v 15 V 3オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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