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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
jantxv1n981b-1	2.9700	RFQ	9939	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N981		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 52 v						68 v	230オーム
BZX84C20T	0.0190	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-523			150 MW	SOT-523	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZX84C20TTR	ear99		3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 14 V						20 v	55オーム
1N5518B	2.7150	RFQ	7275	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5518		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						3.3 v	26オーム
cdll0.2a30/tr	3.5850	RFQ	8668	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		ショットキー		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL0.2A30/TR	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		500 mV @ 200 mA		5 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0V、1MHz
MUR360S V7G	-	RFQ	2336	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	MUR360	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	-
RB521S-30FJTE61	-	RFQ	1796	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止					RB521				ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		846-RB521S-30FJTE61TR	ear99	8541.10.0070	3,000
1N4002G R0G	-	RFQ	3944	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4002	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		100 V		1 V @ 1 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
VS-S934	-	RFQ	5768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					S934				-				112-VS-S934			1
CDLL4747A	3.4650	RFQ	3065	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4747			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 15.2 v						20 v	22オーム
1PGSMC5369H	0.3477	RFQ	4932	台湾半導体コーポレーション	自動車、AEC-Q101、1PGSMC53	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							500 NA @ 38.8 v						51 v	27オーム
HZM3.3NB2TR-E	0.1800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
BZT52C43K RKG	0.0474	RFQ	5058	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							2 µA @ 33 v						43 v	150オーム
BZX79C9V1-T50A	0.1700	RFQ	15	onsemi	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79C9		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 100 MA		500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
mm5z10vt1g	0.2500	RFQ	11	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	MM5Z10		500 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						10 v	20オーム
BZT52H-C33,115	-	RFQ	2920	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZT52				-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
BZX384B4V3-G3-08	0.0445	RFQ	9079	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B4V3		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
MBR2080CT	0.9500	RFQ	999	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2080	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	-	750 mv @ 10 a		1 MA @ 80 V	-55°C〜150°C
STPR1660	0.5748	RFQ	9233	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	STPR16	標準		to220ab	ダウンロード				31-STPR1660	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	8a	1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
1N4002GPEHE3/91	-	RFQ	4084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4002	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
2M170ZHB0G	-	RFQ	7363	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2M170		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000							500 NA @ 130.4 v						170 v	675オーム
MMSZ5238C-HE3-18	0.0454	RFQ	1830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5238		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							3 µA @ 6.5 v						8.7 v	8オーム
1N4122UR-1	3.7950	RFQ	4315	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N4122		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 27.4 v						36 v	200オーム
cus10f40、H3f	0.3300	RFQ	6	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	CUS10F40	ショットキー		USC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		40 v		670 mV @ 1 a		20 µA @ 40 V	150°C （最大）	1a	74pf @ 0V、1MHz
VS-1EFU06-M3/i	0.4400	RFQ	36	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	1EFU06	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		600 V		1.2 V @ 1 a	32 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1a	-
cdll4114e3/tr	3.1255	RFQ	4376	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4114E3/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.2 v						20 v	150オーム
se10dtlj-m3/i	1.2100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		600 V		1 V @ 10 a	280 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	3.5a	70pf @ 4V、1MHz
SF4004-TAP	0.3267	RFQ	9712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	SF4004	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	高速回復= <500ns		400 V		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	-
STR10100SS_AY_00301	0.6400	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	STR10100	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns		100 V		770 mV @ 10 a		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	10a	490pf @ 4V、1MHz
HZ3A3-E	-	RFQ	2354	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
DB1A	0.1500	RFQ	5031	ハリスコーポレーション	DB1	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	4 平方、BR		標準		br	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	435					1.1 V @ 1 a		10 µA @ 100 V		1 a		単相	100 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²