画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jan1n6634dus/tr | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jan1n6634dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 v | 2オーム | |||||||||||||||||||
![]() | mtzj2v4sb | 0.0305 | ![]() | 3269 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj2 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ2V4SBTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||
![]() | GSIB2560NL-01M3/p | - | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB2560 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | BZX79-C10,143 | 0.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-C10 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | HZK36-3-90TR | 0.1100 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | murb1620ct | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 8a | 1 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | KBPC5002 | 1.8670 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | KBPC50 | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | シャーシマウント | 4 平方、KBPC | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-KBPC5002 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.2 V @ 25 a | 10 µA @ 200 v | 50 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5265BT1G | 0.3700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | onsemi | Automotive、AEC-Q101、SZMMSZ52XXXT1G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | SZMMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4970US | - | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±4.85% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4970 | 5 W | - | ダウンロード | 適用できない | 1N4970USS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | ||||||||||||||||||
![]() | TLZ30C-GS08 | 0.2500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ30 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 Na @ 26.9 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5242ELT1G | 0.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZMMBZ5242 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | MG49870-30 | - | ![]() | 7934 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | - | スタッド | MG49870 | - | - | 影響を受けていない | 150-MG49870-30 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | DFH10TG | 0.3600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-DFH10TG-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4967 | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4967 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 18.2 v | 24 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5925C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 5256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5925 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8 V | 10 v | 4.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | MA4E1338A1-1146T | 1.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | MA4E1338 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | SC-70、SOT-323 | MA4E1338 | SOT-323 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 3,000 | 30 Ma | 250 MW | 1PF @ 0V、1MHz | Schottky-シングル | 8V | - | |||||||||||||||||||
![]() | BAT6804WH6327XTSA1 | 0.6700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | SC-70、SOT-323 | BAT6804 | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 130 Ma | 150 MW | 1PF @ 0V、1MHz | Schottky -1ペアシリーズ接続 | 8V | 10ohm @ 5ma 、10kHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBZ5228BV_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MMBZ5228 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||||
![]() | BA892H6327XTSA1 | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | SC-80 | BA892 | SCD-80 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 1.1pf @ 3V、1MHz | 標準 -シングル | 35V | 500mohm @ 10ma 、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | L8107R | 2.7750 | ![]() | 2622 | 0.00000000 | セル | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | sq-melf | L8107 | メルフ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 51-L8107RTR | ear99 | 8541.10.0070 | 1,500 | 50 Ma | 1 W | 0.6pf @ 40V 、100MHz | ピン -シングル | 90V | 1.5OHM @ 50MA 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | SMZJ3801BHE3_A/H | 0.1597 | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3801 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||||||||
![]() | 30SQ045-TP | 0.8311 | ![]() | 4485 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 30sq | 標準 | R-6 | ダウンロード | 353-30SQ045-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 520 mV @ 30 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 30a | - | |||||||||||||||||
![]() | jantx1n4956dus/tr | 32.4000 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4956dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 1.5オーム | |||||||||||||||||||
RLZTE-1116A | - | ![]() | 5779 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 Na @ 12 v | 16 v | 18オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jan1n2805b | - | ![]() | 5827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2805 | 50 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 100 µA @ 5 V | 7.5 v | 0.3オーム | |||||||||||||||||
![]() | VS-161MT180C | 69.0800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | vs-161mt | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-161MT180C | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 1.85 V @ 300 a | 12 ma @ 1800 v | 257 a | 3フェーズ | 1.8 kv | |||||||||||||||
ER1GAFC_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | ER1G | 標準 | SMAF-C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | HTZ120A38K | - | ![]() | 5579 | 0.00000000 | ixys | HTZ120A | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | HTZ120 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 38000 v | 2a | 36.8 V @ 12 a | 500 µA @ 38000 v | ||||||||||||||||
1N6332US/TR | 14.7900 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 17 V | 22 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SSC54-M3/57T | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SSC54 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 40 v | 490 mV @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | - |
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