画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 現在 -平均修正( io) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | edzfte6112b | - | ![]() | 6194 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | edz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜125°C | 表面マウント | edzft | 100 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-edzfte6112btr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||
![]() | MM5Z18VT1G | - | ![]() | 1175 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.4% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z1 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||
CDLL6321 | 14.6400 | ![]() | 4079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL6321 | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||
![]() | 1N4750A_S00Z | - | ![]() | 6972 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4750 | 1 W | DO-41 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||
BZX84B16Q-7-F | 0.0382 | ![]() | 1740 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-BZX84B16Q-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||
![]() | 1N1374 | 44.3850 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N137 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1374 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 91 v | 35オーム | |||||||||
![]() | HZS30-3TD-E | 0.1000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z12VB | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | MM3Z12 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 8 V | 12 v | 23オーム | ||||||
![]() | BZT52B33-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B33 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 80オーム | |||||||
BZT52C2V7 | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.41% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C2V7TR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||
jantxv1n4106-1 | - | ![]() | 8130 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||
![]() | BZG03C13-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.54% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C13 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 2 µA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||
![]() | UDZ12B-7 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | UDZ12 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 9 v | 12 v | 30オーム | |||||||
![]() | GBJ3502-BP | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ3502 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.05 V @ 17.5 a | 10 µA @ 200 v | 35 a | 単相 | 200 v | ||||||
![]() | 1N5527C | 3.6176 | ![]() | 3370 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5527C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||
![]() | 1N4745CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||
![]() | SZBZX84C36LT3 | 0.0600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZBZX84 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||
![]() | jantxv1n5530bur-1/tr | 17.2900 | ![]() | 7600 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5530bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.1 v | 10 v | 60オーム | |||||||
![]() | 1n6025ur/tr | 3.7350 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6025UR/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 110 v | |||||||||||
![]() | BZT52C11TQ-7-F | 0.0474 | ![]() | 7177 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||
![]() | CLL4730A BK | - | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | メルフ | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | |||||||||
![]() | BZG05C62-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C62 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 47 v | 62 v | 125オーム | ||||||
![]() | 1N5231bur-1/tr | 4.4023 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5231BUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||
![]() | BZW03D220-TR | - | ![]() | 1105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 158 v | 220 v | 700オーム | ||||||
![]() | 1N5377BRL | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5377 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 69.2 v | 91 v | 75オーム | ||||||
![]() | BZT52B15HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B15 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-BZT52B15HE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | |||||
jan1n4621d-1/tr | 10.7730 | ![]() | 5861 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4621d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | ||||||||
![]() | ZMC15 | 0.0442 | ![]() | 387 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMC15TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | |||||||||
![]() | MMXZ5249C-TP | 0.0488 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MMXZ5249 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | 353-MMXZ5249C-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 100 Ma | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||
![]() | Hzu3.0b1jtrf-e | 0.1100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
毎日の平均RFQボリューム
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