画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | dbd10c-e | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-DBD10C-E-600057 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
UTR32 | 9.2550 | ![]() | 4532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UTR32 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.1 V @ 1 a | 300 ns | 3 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 2a | 70pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MT5012A | 5.7350 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 5 平方メートル、MT-35a | 標準 | MT-35A | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MT5012A | ear99 | 50 | 1.2 V @ 25 a | 10 µA @ 1200 v | 50 a | 3フェーズ | 1.2 kv | |||||||||||||||
![]() | au1pg-m3/84a | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | au1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 11pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1SMB5934 | 0.1453 | ![]() | 2319 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5934 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||||
jantx1n4472c | 30.5400 | ![]() | 6972 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4472 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 16 V | 20 v | 12オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5241AS_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | MMSZ5241 | 200 MW | SOD-323 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5241AS_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | |||||||||||||
![]() | 3EZ18_R2_00001 | 0.1080 | ![]() | 5953 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ18 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-3EZ18_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 28,000 | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52H-C33-QX | 0.0378 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZT52H-C33-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n4127dur-1 | 30.4050 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 300オーム | |||||||||||||||
Jan1n3045c-1 | 17.3250 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3045 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5366B | 0.9200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N5366B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-E5TX3012S2LHM3 | 3.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 80 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | CDLL821 | 3.9450 | ![]() | 6516 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | CDLL821 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10100CT-JT | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF1010 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | MBRF10100CT-JTDI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 840 mV @ 5 a | 50 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | MBRT200150 | 98.8155 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 100a | 880 mV @ 100 a | 1 MA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
1N5711-1/tr | 7.0800 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5711-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 61CNQ035SM | 20.0719 | ![]() | 3370 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | PRM3-SM | 61cnq | ショットキー | PRM3-SM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 61CNQ035SMSMC | ear99 | 8541.10.0080 | 48 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 680 mV @ 30 a | 5 ma @ 35 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BZX84B5V6 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX84B5V6TR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
jantx1n4959us | 9.7050 | ![]() | 6489 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4959 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBG4742E3/TR13 | - | ![]() | 7706 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4742 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5248BW_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5248 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||||||||
![]() | VBO160-14NO7 | - | ![]() | 4604 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | PWS-E | VBO160 | 標準 | PWS-E | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 1.43 V @ 300 a | 300 µA @ 1400 v | 174 a | 単相 | 1.4 kV | |||||||||||||
JANTX1N6324 | 13.9950 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6324 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6オーム | ||||||||||||||
BZX84-A24,215 | 0.5100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-A24 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 NA @ 700 mV | 24 v | 70オーム | ||||||||||||||
![]() | IDW30C65D1XKSA1 | - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | 国際整流器 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | PG-to247-3 | - | 2156-IDW30C65D1XKSA1 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 650 V | 15a | 1.7 V @ 15 a | 114 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | ||||||||||||||||
1N4153/tr | 1.2600 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準、逆極性 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4153/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 747 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 880 mV @ 20 ma | 4 ns | 50 Na @ 50 V | -65°C〜200°C | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
Jan1n4990us | 13.2600 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4990 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 167 v | 220 v | 550オーム | ||||||||||||||
![]() | SDT5H100P5-13 | 0.1450 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Powerdi™5 | SDT5H100 | ショットキー | Powerdi™5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 620 mV @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | mur3060pt | - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-218-3 | MUR30 | 標準 | SOT-93 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 1.5 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C |
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