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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N1204RB	1.9500	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準、逆極性		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1204RB	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	12a	-
jantxv1n4486	12.8850	RFQ	1961年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4486		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		250 na @ 60 v				75 v	130オーム
BZD27C75P MTG	-	RFQ	5068	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v				74.5 v	100オーム
1N5945AE3/TR13	-	RFQ	5093	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5945		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51.2 v				68 v	120オーム
jantx1n821ur-1	6.5700	RFQ	5613	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N821		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15オーム
DDZ9712S-7	0.0840	RFQ	6981	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	DDZ9712		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 21.2 v				28 v
BAS40WS-AU_R1_000A1	0.2100	RFQ	1	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F	BAS40	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BAS40WS-AU_R1_000A1DKR	ear99	8541.10.0070	5,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA		1 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
jans1n4495d	452.0100	RFQ	3577	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない	150-jans1n4495d	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		250 Na @ 144 v				180 v	1300オーム
1N5387CE3/TR12	-	RFQ	4650	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5387		5 W	T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 137 v				190 v	450オーム
MBR10100CTL	-	RFQ	1044	ダイオードが組み込まれています	*	チューブ	廃止					MBR1010				-		1 （無制限）	影響を受けた	MBR10100CTLDI	ear99	8541.10.0080	50
1N5956C	7.5750	RFQ	5298	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5956		1.25 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 152 v				200 v	1200オーム
MMSZ5257B	0.0433	RFQ	5398	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	MMSZ5257		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MMSZ5257BTR	ear99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
CD214A-FS150	-	RFQ	2148	Bourns Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CD214a	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
CDLL5258C	6.7200	RFQ	6136	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5258C	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V				36 v	70オーム
CDS3031B-1	-	RFQ	8569	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS3031B-1	ear99	8541.10.0050	50
1n6025ur-1/tr	3.7400	RFQ	7349	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 mA						110 v
TLZ27C-GS18	0.0335	RFQ	2864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ27		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 24.3 v				27 v	45オーム
FR202GT-G	0.0600	RFQ	5479	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		標準		DO-15	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		641-FR202GT-GTR	ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
BZT52C3V0-TP	0.1200	RFQ	6	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V0		200 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3 v	95オーム
jantx1n6677-1	-	RFQ	7599	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/610	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	1N6677	ショットキー		DO-213AA	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		500 mV @ 200 mA		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
jans1n827ur-1	195.9900	RFQ	2790	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15オーム
3SMBJ5933BHE3-TP	0.1613	RFQ	7534	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	3SMBJ5933		3 W	do-214aa	ダウンロード				353-3SMBJ5933BHE3-TP	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 16.7 v				22 v	17.5オーム
jans1n4101ur-1/tr	46.3100	RFQ	6177	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4101ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.24 v				8.2 v	200オーム
BZX84B22-E3-18	0.0324	RFQ	1616	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B22		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 15.4 v				22 v	55オーム
jantx1n969cur-1	16.6950	RFQ	6003	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N969		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 17 V				22 v	29オーム
MBRF10H100CT-E3/45	0.8983	RFQ	3823	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF10	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	760 mV @ 5 a		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
G5S06508PT	-	RFQ	9174	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-247-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247AC	-			未定義のベンダー	4436-G5S06508PT			1	回復時間なし> 500ma		650 V		1.5 V @ 8 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	31.2a	550pf @ 0V、1MHz
vs-8ews12strl-m3	2.9200	RFQ	1117	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews12	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	8a	-
BZT55A18-GS08	-	RFQ	3060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V				18 v	50オーム
PMEG045T150EPD139	-	RFQ	5553	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	5,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²