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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
3SMBJ5925B-TP	0.4400	RFQ	503	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	3SMBJ5925		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V						10 v	4.5オーム
janhca1n754a	7.3283	RFQ	1787	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n754a	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 4 V						6.8 v	5オーム
1N4752A-T	-	RFQ	2719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4752		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 25.1 v						33 v	1000オーム
DBF10G	0.2200	RFQ	3172	sanyo	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	4-sip、dbf		標準		-	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.10.0080	100					1.05 V @ 500 MA		10 µA @ 600 V		1 a		単相	600 V
jantxv1n6346dus	68.5500	RFQ	8227	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6346dus	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 62 v						82 v	220オーム
TZM5240C-GS08	-	RFQ	5615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5240		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 8 V						10 v	17オーム
au01ws	-	RFQ	8764	サンケン	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	軸	AU01	標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		au01ws dk	ear99	8541.10.0070	1,000	高速回復= <500ns		400 V		1.7 V @ 500 Ma	400 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	500mA	-
GCX1204-23-0	6.0300	RFQ	60	マイクロチップテクノロジー	GCX1204	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	TO-236-3	GCX1204			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0060	1										1.8pf @ 4V、1MHz	シングル	30 V			3.5	C0/C30	3000 @ 4V、50MHz
SMBJ4743/TR13	0.8700	RFQ	2382	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4743		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v						13 v	10オーム
TFZVTR12B	0.3700	RFQ	8	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	2-SMD 、フラットリード	TFZVTR12		500 MW	tumd2m	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							200 Na @ 9 V						12 v	12オーム
1N3045bur-1	15.3000	RFQ	3829	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N3045		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 83.6 v						110 v	450オーム
jantx1n4493us	15.0600	RFQ	5124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		250 NA @ 120 V						150 v	700オーム
jantxv1n5822/tr	94.4550	RFQ	5078	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/620	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	b 、軸		ショットキー		b 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5822/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
MURS360S-M3/52T	0.1280	RFQ	9211	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS360	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		600 V		1.45 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
BZX84-A16,215	0.5100	RFQ	29	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-A16		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 NA @ 700 mV						16 v	40オーム
BZG05C5V6-E3-TR	-	RFQ	5688	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V						5.6 v	7オーム
SR2010-AP	0.0614	RFQ	6832	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SR2010	ショットキー		DO-41	ダウンロード				353-SR2010-AP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		850 mV @ 2 a		1 MA @ 100 V	-50°C〜125°C	2a	170pf @ 4V、1MHz
ESH3C M6	-	RFQ	6018	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-ash3cm6tr	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
SZMM5Z36VT5GF	0.3100	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 25.2 v						36 v	90オーム
BZX84C18	0.1600	RFQ	1028	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.39％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		350 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
au1fmhm3/i	0.0980	RFQ	7998	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		雪崩		do-219ab	ダウンロード			影響を受けていない	112-AU1FMHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.85 V @ 1 a	75 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C	1a	8.2pf @ 4V、1MHz
BZT52B7V5-E3-08	0.3100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B7V5		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 5 V						7.5 v	4オーム
1N5266B	0.1600	RFQ	6912	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±0.5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	-	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-1N5266B	ear99	8541.10.0050	1							100 Na @ 52 v						68 v	230オーム
AS4PJ-M3/87A	0.3036	RFQ	3783	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AS4	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	標準回復> 500ns		600 V		962 mV @ 2 a	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	2.4a	60pf @ 4V、1MHz
Jan1n5530bur-1	14.4600	RFQ	9035	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5530		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.1 v						10 v	60オーム
S8GCH	0.2111	RFQ	1683	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		400 V		985 mV @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	48pf @ 4V、1MHz
1N4153/tr	1.2600	RFQ	2702	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準、逆極性		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4153/tr	ear99	8541.10.0070	747	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		880 mV @ 20 ma	4 ns	50 Na @ 50 V	-65°C〜200°C	150ma	2PF @ 0V、1MHz
3EZ68D/TR8	-	RFQ	6449	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ68		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 51.7 v						68 v	70オーム
MMSZ5241AS_R1_00001	0.2100	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	MMSZ5241		200 MW	SOD-323	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5241AS_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	5,000							2 µA @ 8.4 v						11 v	22オーム
BAT54CHYT116	0.4200	RFQ	3	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	50 ns	2 µA @ 25 V	150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²