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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
CD5519	2.2950	RFQ	6521	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD5519	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						3.6 v	24オーム
BZX84C39T-7-F	0.0630	RFQ	5137	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOT-523	BZX84		150 MW	SOT-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 27.3 v						39 v	130オーム
CZRT5235B-HF	0.0620	RFQ	3932	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	CZRT5235		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-CZRT5235B-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム
1N5226A （DO-35）	1.6400	RFQ	5	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5226		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V						3.3 v	28オーム
KBJ6005G	-	RFQ	2729	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、KBJ		標準		KBJ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	20						1 V @ 3 a		5 µA @ 50 V		6 a		単相	50 v
MM3Z12VT1G	0.1800	RFQ	9681	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	MM3Z12		300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
1 PMT4624C/TR7	-	RFQ	3038	Microsemi Corporation	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA			1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						4.7 v	1600オーム
NTE6070	25.8700	RFQ	11	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	DO-203AA		標準		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE6070	ear99	8541.30.0080	1	標準回復> 500ns			1600 v		1.15 V @ 200 a		2MA @ 1600 v	-65°C〜190°C	85a	-
SGL1-100	0.0962	RFQ	120	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		ショットキー		DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-SGL1-100TR		8541.10.0000	2,500	高速回復= <500ns			100 V		820 mv @ 1 a		500 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	-
BZX84-C62/LF1R	-	RFQ	3681	NXP USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-C62		250 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069501215	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 43.4 v						62 v	215オーム
D3Z36BF-7	0.4400	RFQ	5	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	D3Z36		400 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 27 V						35.97 v	60オーム
SS8P3CLHM3_A/H。	0.2826	RFQ	8464	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	30 V	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
SMBJ5377CE3/TR13	1.0800	RFQ	8535	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5377		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 65.5 v						91 v	75オーム
vs-6dkh02hm3/h	0.8100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	6DKH02	標準		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		2独立	200 v	3a	940 mV @ 3 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C
KBL404	1.1300	RFQ	500	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、kbl		標準		KBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-KBL404		8541.10.0000	100						1.1 V @ 4 a		10 µA @ 400 V		4 a		単相	400 V
ACZRC5367B-G	0.3480	RFQ	5020	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	do-214ab 、mc	ACZRC5367		5 W	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 32.7 v						43 v	20オーム
jans1n4127cur-1	97.9650	RFQ	8215	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v						56 v	300オーム
1N5336/TR12	-	RFQ	2529	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5336		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		10 µA @ 1 V						4.3 v	2オーム
ZMD33B	0.1011	RFQ	3935	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			1 W	DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-ZMD33BTR		8541.10.0000	2,500								500 NA @ 22 V						33 v	40オーム
1N6024UR-1/TR	3.7400	RFQ	9963	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264						1.1 V @ 200 mA								100 V
SBT3060C	62.1000	RFQ	1392	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	SBT3060	ショットキー		to-204aa	-			影響を受けていない	150-SBT3060C	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	15a	740 mV @ 30 a		1.5 mA @ 60 v	-65°C〜175°C
cdll5522d/tr	16.3950	RFQ	8885	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll5522d/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						4.7 v	22オーム
ES3A	-	RFQ	6854	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-ES3ATR	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns			50 v		950 mv @ 3 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
FYP1545DNTU	-	RFQ	9955	onsemi	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FYP15	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	45 v	15a	700 mV @ 15 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
STTH3006D	-	RFQ	4458	stmicroelectronics	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	stth30	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	497-6091-5	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns			600 V		1.85 V @ 30 a	70 ns	25 µA @ 600 V	175°C （最大）	30a	-
1N4567AE3/TR	4.2750	RFQ	2801	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4567AE3/TR	ear99	8541.10.0050	222								2 µA @ 3 V						6.4 v	200オーム
VSSB410S-E3/52T	0.4500	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB410	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns			100 V		770 mV @ 4 a		250 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	1.9a	230pf @ 4V、1MHz
Z47-BO123-HE3-08	-	RFQ	6859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆リール（ tr）	廃止					Z47-BO123				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
MMBD701	0.0600	RFQ	18	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		TO-236-3				SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0070	3,000		280 MW									1PF @ 20V、1MHz	Schottky-シングル	70V			-
SMBG5934C/TR13	-	RFQ	1792	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5934		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18.2 v						24 v	19オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²